2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長、中國有色金屬工業(yè)協(xié)會特邀副會長屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導體要做好頂層設計，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長聯(lián)半導體為您介紹如何搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點。

他指出，半導體材料的研發(fā)與應用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。近年來，SiC電力電子器件和GaN射頻器件顯現(xiàn)出了良好的市場前景，發(fā)達國家紛紛將其列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持。當前，中國發(fā)展寬禁帶半導體具有良好的機遇和合適的環(huán)境。從消費類電子設備、新型半導體照明、新能源汽車、風力發(fā)電、航空發(fā)動機、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、大數(shù)據(jù)中心，均對高性能SiC和GaN器件有著極大的期待和需求。因此寬禁帶半導體材料的發(fā)展空間都很大，市場前景也很好。但發(fā)展寬禁帶半導體材料需要關注以下幾點。

第一，寬禁帶半導體材料及應用具有學科交叉性強、應用領域廣、產(chǎn)業(yè)關聯(lián)性大等特點，需要設計、工藝、材料、可靠性、成品率、性價比全面滿足各類應用系統(tǒng)的要求。同時要注重設備儀器、檢驗標準、稅收政策、金融環(huán)境等全產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)環(huán)境的建設，強化多方配合與協(xié)同發(fā)展。因此做好頂層設計，進行統(tǒng)籌安排非常重要。

第二，寬禁帶半導體材料是機遇與挑戰(zhàn)并存的領域。當前，國內SiC和GaN的研究與應用仍存在諸多問題，其產(chǎn)業(yè)化的難度比外界想象的還要大。從國際專利構架布局上看，寬禁帶半導體已經(jīng)進入市場競爭階段，我們不能過多時間只停留在研發(fā)階段，要研發(fā)和生產(chǎn)并重，加速第三代半導體進入市場的步伐。因此，在重視研發(fā)的基礎上，也需要將市場化作為關注重點。

第三，SiC、GaN材料適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，能有效提高系統(tǒng)的效率，對發(fā)展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN 器件不會取代硅集成電路，但它能做硅半導體做不到的事情。未來，SiC、GaN 和硅將在不同的應用領域發(fā)揮各自的作用、占據(jù)各自的市場份額。即便是電力電子器件，寬禁帶半導體材料也不可能完全替代硅，緣于應用和市場還會細分，同時也要權衡材料與器件的成本和性價比。

第四，當前第三代半導體全國布局眾多，參與的機構也很多，如果集中力量協(xié)同創(chuàng)新，有可能在相關領域獲得比較優(yōu)勢進而占據(jù)領先地位。因此，要應避免熱炒概念、盲目投資、低水平重復建設。在這一點上，希望聯(lián)盟能發(fā)揮好作用與優(yōu)勢，做好協(xié)調與指導。

展望未來，進一步加強寬禁帶半導體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展將具有舉足輕重的作用。相信中國有能力搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點，為實現(xiàn)世界科技強國的宏偉目標奠定堅實的基礎。

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