本文中，小編將對MOSFET負載開關予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、MOSFET負載開關基本電路

功率MOSFET是一種具有良好開關特性的器件：導通時其導通電阻RDS(ON)很小；在關斷時其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓范圍很寬，從幾十V到幾百V，漏極電源范圍寬，從幾A到幾十A，所以非常適合作負載開關。

N溝道MOSFET可以組成最簡單的負載開關，如圖1所示。負載接在電源與漏極之間（負載可以是直流電動機、散熱風扇、大功率LED、白熾燈泡或螺管線圈等）。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導通，負載得電；在其柵極加一個邏輯低電平，則N-MOSFET關斷，負載失電。

圖1 用MOSFET組成的負載開關

從圖1可以看出，負載開關接是在電源與負載之間，用邏輯電平來控制通、斷，使負載得電或失電的功率器件。由于開關在負載的下邊，一般稱為低端負載開關。

如果負載是一個要求接地的電路（如功率放大電路、發(fā)射電路或接收電路等），則低端負載開關不能用，要采用高端負載開關。高端負載開關主要由P溝道MOSFET組成，如圖2所示。圖2(a)是由一個P-MOSFET與一個反相器組成的，圖2(b)是由一個P-MOSFET與一個N-MOSFET組成的。開關在負載的上面，稱高端負載開關。

圖2 高端負載開關

二、如何用雙MOS設計分立式負載開關？

在這部分，我們主要來設計一款具有反向電流保護的共漏極負載開關，共漏雙NMOS。

在一些應用中，需要能夠阻斷兩個方向的電流，例如電池驅(qū)動應用，其中應防止電池在充電器連接器側(cè)短路等故障情況下放電，或在電氣故障導致連接電纜和交流適配器泄露的情況下放電。

更全面的負載開關功能包括反向電壓保護、反向電流保護，這些可以用共漏極或共源極配置的MOSFET實現(xiàn)。

阻斷反向電流的常見方法是使用二極管。但是使用MOSFET負載開關可以更有效地實現(xiàn)該功能。為了實現(xiàn)兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖3和 圖4 ，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這種方法允許創(chuàng)建兩種反向驅(qū)動保護負載開關的替代拓撲，背靠背連接漏極或源極，稱為共漏極或共源極。

圖3：反向電流保護共漏雙NMOS負載開關

圖3為共漏極雙NMOS高邊負載開關，與單NMOS高邊負載開關一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅(qū)動。

圖4：反向電流保護共漏雙PMOS負載開關

圖4為共漏極雙PMOS高邊負載開關，與單PMOS高邊負載開關一樣，Ctrl端需要可以達到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要增加一個三極管或者MOS管驅(qū)動G極。

經(jīng)由小編的介紹，不知道你對MOSFET負載開關是否充滿了興趣？如果你想對它有更多的了解，不妨嘗試在我們的網(wǎng)站里進行搜索哦。