在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOSFET

MOSFET的主要參數(shù)有漏極電流、漏極電壓、控制電流、控制電壓、放大倍數(shù)等。漏極電流是MOSFET的基本參數(shù)，它決定了MOSFET的功耗。漏極電壓是MOSFET的基本參數(shù)，它決定了MOSFET的工作電壓?？刂齐娏魇荕OSFET的基本參數(shù)，它決定了MOSFET的控制電流?？刂齐妷菏荕OSFET的基本參數(shù)，它決定了MOSFET的控制電壓。放大倍數(shù)是MOSFET的基本參數(shù)，它決定了MOSFET的放大倍數(shù)。

MOSFET的具有低功耗、高頻響應(yīng)、低噪聲、高可靠性等。MOSFET的功耗比普通晶體管要低，因此在電源管理方面有很大的優(yōu)勢(shì)。此外，MOSFET的頻率響應(yīng)能力也很強(qiáng)，可以滿足高頻應(yīng)用的要求。另外，MOSFET的噪聲水平也很低，可以滿足高精度應(yīng)用的要求。最后，MOSFET的可靠性也很高，可以滿足長(zhǎng)期可靠性的要求。

同時(shí)它的漏極電流較大，因此在高頻應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生較大的噪聲。此外，MOSFET的溫度穩(wěn)定性也不是很好，在高溫環(huán)境下會(huì)出現(xiàn)參數(shù)變化的情況。因此，在使用MOSFET時(shí)，應(yīng)該注意溫度穩(wěn)定性的問(wèn)題。

二、MOSFET常見電路

01、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

為了幫助MOSFET最大化開啟和關(guān)閉時(shí)間，需要驅(qū)動(dòng)電路。如果MOSFET需要較長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)出導(dǎo)通，那么我們就無(wú)法利用使用MOSFET的優(yōu)勢(shì)。這將導(dǎo)致MOSFET發(fā)熱，器件將無(wú)法正常工作。MOSFET驅(qū)動(dòng)器通常可以使用自舉電路產(chǎn)生電壓，以將柵極驅(qū)動(dòng)到高于MOSFET電源電壓的電壓。

實(shí)際上，MOSFET的柵極對(duì)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)就像一個(gè)電容器，或者驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)分別對(duì)柵極進(jìn)行充電或放電來(lái)非?？焖俚卮蜷_或關(guān)閉MOSFET。

02、MOSFET開關(guān)電路

MOSFET工作在三個(gè)區(qū)域，截止區(qū)，三極管區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)MOSFET處于截止三極管區(qū)域時(shí)，它可以作為開關(guān)工作。

MOSFET開關(guān)電路由兩個(gè)主要部分組成-MOSFET(按晶體管工作)和開/關(guān)控制塊。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，MOSFET將電壓源傳遞給特定負(fù)載。在大多數(shù)情況下，n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET，因?yàn)樗袔讉€(gè)優(yōu)點(diǎn)。

在MOSFET開關(guān)電路中，漏極直接連接到輸入電壓，源極連接到負(fù)載。為了開啟n溝道MOSFET，柵源電壓必須大于閾值電壓，必須大于器件的閾值電壓。對(duì)于p溝道MOSFET，源極到柵極的電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現(xiàn)得比BJT更好，因?yàn)镸OS開關(guān)中不存在偏移電壓。

03、MOSFET逆變器電路

逆變器電路是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的基本組成部分之一(不要與功率逆變器混淆)。反相器可以直接應(yīng)用于邏輯門和其他更復(fù)雜的數(shù)字電路的設(shè)計(jì)。理想逆變器的傳輸特性如下所示。

早期的MOS數(shù)字電路是使用p-MOSFET制成的。但是隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，MOS的閾值電壓可以控制，并且MOS技術(shù)成為主導(dǎo)，因?yàn)镹MOS的多數(shù)載流子，即電子比空穴快兩倍，PMOS的多數(shù)載流子，所以在CMOS技術(shù)出現(xiàn)之前，逆變器電路也使用N-MOS技術(shù)。這里我們討論三種類型的MOS反相電路。

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