你了解MOSFET驅(qū)動電路嗎?2款常見的MOSFET驅(qū)動電路分享
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET驅(qū)動電路的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內(nèi)容如下。
一、MOSFET驅(qū)動電路
MOSFET驅(qū)動電路?是一種專門用于驅(qū)動大功率負載的電路,它能夠接受控制器的控制信號,并且具有足夠的功率來驅(qū)動負載。這種電路設計的目的在于解決控制芯片發(fā)出的控制信號輸出功率有限的問題,使其只能驅(qū)動極小功率的負載。為了能讓控制芯片控制大功率負載(比如電機、電磁鐵等),我們需要設計一個轉(zhuǎn)換電路,由這個電路驅(qū)動負載,而控制芯片則負責指揮這個電路。這種電路就是驅(qū)動電路,它可以接受控制器的控制信號,并且具有足夠的功率來驅(qū)動負載。
在MOSFET驅(qū)動電路的設計中,使用三極管只能設計出較小輸出功率(能承受的電流較小,這里是物理限制,承載大電流容易燒毀)的驅(qū)動電路,還有三極管的開關速度有限,所以開關損耗較高。相比之下,使用MOSFET設計驅(qū)動電路是更完美的選擇,因為它可以承載更大的電流和更快的開關速度,從而降低開關損耗。MOSFET的工作原理基于場效應,通過改變MOSFET的柵源電壓和源漏電壓來控制其導通或截止,從而實現(xiàn)電流的控制。
二、2款常見的MOSFET驅(qū)動電路
1、驅(qū)動電路加速MOS管關斷時間
關斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管,如上圖所示,其中D1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。
在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源IC的驅(qū)動能力足夠時,可以加速MOS管關斷時間,得到如上圖所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻,當PNP三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內(nèi)把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。上圖拓撲設計,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC,提高了可靠性。
2、驅(qū)動電路加速MOS管關斷時間
為了滿足如上圖所示高端MOS管的驅(qū)動,經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。
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