這篇文章我們將開始研究特定終端應(yīng)用需要考慮哪些具體注意事項(xiàng),首先從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開始。電機(jī)控制是 30V-100V 分立式 MOSFET 的一個(gè)巨大(且快速增長)市場,特別是對于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的許多拓?fù)?。在這里,我將重點(diǎn)介紹如何選擇正確的 FET 來驅(qū)動(dòng)有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少,而且可能有無數(shù)種不同的方法,但我希望這篇文章能夠讓我們根據(jù)我們的最終應(yīng)用程序從哪里開始。
也許當(dāng)前市場上高性能功率 MOSFET 最常見的用途也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價(jià)格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比在開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用 MOSFET 的情況更混亂。
功率因數(shù)校正 (PFC) 階段就像好壽司中的米飯。正如大米創(chuàng)造了一個(gè)讓其他成分發(fā)光的基礎(chǔ),PFC 階段可以讓其他成分為最終產(chǎn)品提供動(dòng)力。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 對 PFC 控制器輸出信號(hào)變化的響應(yīng)對 PFC 級(jí)至關(guān)重要。為了使時(shí)序正確,柵極驅(qū)動(dòng)電路必須僅在應(yīng)有的時(shí)候切換 FET。
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA",關(guān)注我們!2021年10月26日,中國——STPOWERMDmeshK6新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用,例如,LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...
2021 年 10 月 26 日,中國——STPOWER MDmesh K6 新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用,例如, LED 驅(qū)動(dòng)器、HID 燈,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。
集微網(wǎng)消息,10月23日,捷捷微電近日發(fā)布2021年第三季度報(bào)告,實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.94億元,同比增長74.25%;歸屬于上市公司股東的凈利潤1.49億元,同比增長94.11%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.37億元,同比增長88.11%。捷捷微電在最新的投資者活...
故事開始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過實(shí)驗(yàn)證明,為了獲得穩(wěn)定性,是不是真的必須把一個(gè)100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師Gureux對他的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了監(jiān)督,并全程提供專家指導(dǎo)。高端電流檢測簡介圖1中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測示例。圖1高端電...
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步,最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中,輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系,無任何輸入電流諧波。 目前,升壓拓?fù)涫?PFC 最常見的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上,必須要走向無橋型,才能進(jìn)一步減少器件使用,減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中,圖騰柱功率因素校正電路(totem-pole PFC)已證明為成功的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其控制法亦趨于成熟。
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖...
根據(jù)TrendForce研究顯示,MOSFET、IGBT與Bipolar屬于功率半導(dǎo)體元件(電晶體領(lǐng)域),用來做為半導(dǎo)體開關(guān),其中MOSFET長年占比超過五成,2020年占52.9%,2021年由于市場需求旺盛,占比有望小幅提升至54.2%。
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商,國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何?派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測試平臺(tái)針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā),具有較高的耐壓,極低的柵極電荷,較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),光伏,直流充電樁,儲(chǔ)能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì),可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),降低散熱成本,大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。
在過去的 10-30 年里,氣候變化一直是一個(gè)備受爭議的話題,引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來看,開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施,擺脫化石燃料等相對廉價(jià)的能源,成本要高得多。
穩(wěn)壓器采用5 mm x 7 mm封裝,輸出電流達(dá)40 A,提高了功率密度和瞬變響應(yīng)能力
MOSFET和IGBT的對比
新技術(shù)使電動(dòng)公共汽車等電動(dòng)交通動(dòng)力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴(yán)格的環(huán)境條件要求,同時(shí) 最大限度地提高效率
在開始新設(shè)計(jì)時(shí),工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項(xiàng)數(shù)量所淹沒。
【2021年9月17日,德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日,F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC),可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電,從而提高電路板空間利用率,為其他組件釋放空間。
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉(zhuǎn)載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
業(yè)界認(rèn)可該套件的創(chuàng)新加快更高能效的電機(jī)控制方案的開發(fā)