MOSFET
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MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理！
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使用 PowerStack 封裝堆疊電流以獲得更高功率的 POL
電壓調(diào)節(jié)器，尤其是帶有集成 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，已經(jīng)從簡(jiǎn)單的、由輸入電壓、輸出電壓和電流定義的低功率電源發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高的功率、監(jiān)控它們運(yùn)行的環(huán)境和適應(yīng)因此。
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高級(jí)控制器和 NexFET? 電源塊在高功率 POL 應(yīng)用中的靈活性
高性能電源設(shè)計(jì)繼續(xù)要求在日漸縮小的板上空間中提供更高的功率。更高的電源密度對(duì)電源設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)必須具有高于 90% 的轉(zhuǎn)換效率，以限制功耗和電源中的溫升。由于 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換的損耗和有限的氣流，使得散熱空間非常狹小，因此熱性能的設(shè)計(jì)尤其重要。
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如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件
如何為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用選擇最合適的場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) ，是非常困難的。根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格預(yù)測(cè)電路性能是一個(gè)乏味的過(guò)程?，F(xiàn)在，借助在線(xiàn)設(shè)計(jì)工具團(tuán)隊(duì)，TI 提供了一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的選擇工具，可幫助我們權(quán)衡各種 MOSFET 的成本和性能權(quán)衡。該工具使用上述應(yīng)用筆記中的公式，因此僅專(zhuān)門(mén)涵蓋同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹Ｈ欢?，由于這種拓?fù)浣^對(duì)是用于實(shí)現(xiàn)分立 FET 的最流行的非隔離 DC/DC 拓?fù)?，因此它仍然支持大量的電源終端應(yīng)用。
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Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供 碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)汽車(chē)、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可從碳化硅協(xié)議棧解決方案中獲益，提高性能和成本效率，可使產(chǎn)品最多提前6個(gè)月上市
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安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信
新器件提供卓越的開(kāi)關(guān)特性，使電源能符合80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)
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新品發(fā)布?|?高性能、低損耗的SUPERFET?V?MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，發(fā)布新的600VSUPERFET??VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿(mǎn)足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80PLUSTitanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600VSU...
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車(chē)”，擬建車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線(xiàn)
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
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7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用，不看不知道！
概述：MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器...
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意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開(kāi)關(guān)功率損耗
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國(guó)——STPOWERMDmeshK6新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...
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SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí)，將產(chǎn)生JF...
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全球MOSFET制造商名錄
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件?；旧?，功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件(PowerDiscrete)與功率積體電路(PowerIC)二大類(lèi)，其中，功率...
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如何選擇 MOSFET去對(duì)鋰電池進(jìn)行保護(hù)？
每年，越來(lái)越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。. 高功率密度、低自放電率和易于充電使它們成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類(lèi)型——如今，從口袋里的手機(jī)到電動(dòng)汽車(chē)，每天都有數(shù)百萬(wàn)人開(kāi)車(chē)上班由鋰離子電池供電。
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如何選擇合適的MOSFET作為電子開(kāi)關(guān)
MOSFET 被用作負(fù)載開(kāi)關(guān)的次數(shù)比它們?cè)谌魏纹渌麘?yīng)用中的使用量都要多，其數(shù)量一次達(dá)到數(shù)億。我可能應(yīng)該從我在這里如何定義“負(fù)載開(kāi)關(guān)”開(kāi)始。為了這篇文章，考慮負(fù)載開(kāi)關(guān)任何小信號(hào) FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (
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如何為用于設(shè)備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件
當(dāng)電源突然與其負(fù)載斷開(kāi)時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生劇烈的電壓尖峰，這可能對(duì)電路上的電子元件有害。與電池保護(hù)應(yīng)用類(lèi)似，這里的 MOSFET 用于將輸入電源與電路的其余部分隔離。
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如何正確的為電機(jī)控制選擇合適的MOSFET
這篇文章我們將開(kāi)始研究特定終端應(yīng)用需要考慮哪些具體注意事項(xiàng)，首先從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開(kāi)始。電機(jī)控制是 30V-100V 分立式 MOSFET 的一個(gè)巨大（且快速增長(zhǎng)）市場(chǎng)，特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的許多拓?fù)洹Ｔ谶@里，我將重點(diǎn)介紹如何選擇正確的 FET 來(lái)驅(qū)動(dòng)有刷、無(wú)刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少，而且可能有無(wú)數(shù)種不同的方法，但我希望這篇文章能夠讓我們根據(jù)我們的最終應(yīng)用程序從哪里開(kāi)始。
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如何為開(kāi)關(guān)模式電源選擇合適的MOSFET
也許當(dāng)前市場(chǎng)上高性能功率 MOSFET 最常見(jiàn)的用途也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價(jià)格和尺寸之間的權(quán)衡從來(lái)沒(méi)有比在開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用 MOSFET 的情況更混亂。
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用集成MOSFET解決方案取代 BJT
功率因數(shù)校正 (PFC) 階段就像好壽司中的米飯。正如大米創(chuàng)造了一個(gè)讓其他成分發(fā)光的基礎(chǔ)，PFC 階段可以讓其他成分為最終產(chǎn)品提供動(dòng)力。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 對(duì) PFC 控制器輸出信號(hào)變化的響應(yīng)對(duì) PFC 級(jí)至關(guān)重要。為了使時(shí)序正確，柵極驅(qū)動(dòng)電路必須僅在應(yīng)有的時(shí)候切換 FET。
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意法半導(dǎo)體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開(kāi)關(guān)功率損耗
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國(guó)——STPOWERMDmeshK6新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...
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意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開(kāi)關(guān)功率損耗
2021 年 10 月 26 日,中國(guó)——STPOWER MDmesh K6 新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如， LED 驅(qū)動(dòng)器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。
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