MOSFET
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺與您分享BLDC電機控制新品與技術(shù)見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。
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漲知識！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽能逆變器中的性能比較
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？
在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。??MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！??SOA安全工作區(qū)SOA指的是安全工作區(qū)，由一系列限制條件組成的一個漏源極電壓VDS和漏...
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
參與面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管現(xiàn)場討論;直接觀看點播來自Nexperia實驗室視頻演示
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MOSFET告急！大廠停工、交期不斷延長，第三季再漲10%~20%
近日，馬來西亞實施了更為強硬的「強化行動管制令」，當(dāng)?shù)豂DM大廠都被迫停工，據(jù)悉，IDM均已通知客戶交期延長至少2周以上，MOSFET供給缺口將再擴(kuò)大，成為現(xiàn)今終端最缺的元器件之一，業(yè)界預(yù)期，受各家搶料及晶圓成本上漲，MOSFET第三季價格可望再漲10%~20%。多家MOSFET...
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東芝新器件結(jié)構(gòu)問世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！目前碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為它比硅的電壓更高，損耗更低。然而，雖然碳化硅器件具有很大的發(fā)展前景，但該類器件的產(chǎn)品可靠性一直備受爭議，這也使其使用情況和市場增長受到了阻礙。其中一個重要問題是當(dāng)電流流過位于功率MOSFE...
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超結(jié)型MOSFET前來助陣，TOLL封裝為大功率產(chǎn)品錦上添花
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，功率MOSFET約占據(jù)全球功率器件市場規(guī)模的22%。功率MOSFET在近幾年間需求的快速增長，源于其獨特的產(chǎn)品優(yōu)勢：第一，功率MOSFET驅(qū)動電路較為簡單，通?？梢杂蒚TL驅(qū)動電路或者CMOS直接驅(qū)動；第二，功率MOSFET的...
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內(nèi)含福利｜東芝SiC?MOSFET為您開啟電源新大門
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！環(huán)境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時，隨著電力需求持續(xù)升高，對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能，將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換...
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東芝MOSFET來襲，是你的心中所想么？
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！MOSFET因其開關(guān)特性和驅(qū)動特性在電子設(shè)計領(lǐng)域引領(lǐng)風(fēng)騷已有數(shù)十年之久。在實際應(yīng)用場景中，MOSFET會根據(jù)不同的耐受等級來分類設(shè)計其電氣屬性，實現(xiàn)了物盡其用。一些電機驅(qū)動電路對控制信號的精度要求比較高，并要求經(jīng)過MOSFET的損耗必須小，但一...
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手指一戳，車規(guī)級MOSFET就到面前了
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！MOSFETMOSFET所具備的開關(guān)特性和驅(qū)動特性在整個電子設(shè)計領(lǐng)域的歷史進(jìn)程中都具備劃時代的意義。其中，汽車電子領(lǐng)域?qū)OSFET有很嚴(yán)苛的要求：1、在傳輸數(shù)字信號時候，精度要高；2、開關(guān)特性、驅(qū)動特性下的抗干擾能力要強；3、在正常運行下自身...
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關(guān)于MOSFET的十五個“為什么”
（1）為什么E－MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大？而隨著溫度的升高而下降？【答】E－MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層（導(dǎo)電溝道）所需要加的柵極電壓。對于n溝道E－MOSFET，當(dāng)柵電壓使得p型半導(dǎo)體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs≥2ψB時，即...
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東芝SiC?MOSFET降低功率損耗，邁向碳中和
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiCMOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。S...
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MOSFET 數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！
▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表...
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MOSFET的每個特性參數(shù)都講透了，干貨滿滿！
01絕對最大額定值02電參數(shù)來源：機智的互聯(lián)網(wǎng)——TheEnd ——
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MOS驅(qū)動電路設(shè)計需要注意的地方
來源| 巧學(xué)模電數(shù)電單片機一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流，然而，在MOSFET的GS兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI的要求話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)...
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英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計
近日，英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%，并將PCB占用空間減小80%
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本
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MOSFET價格飆漲供貨緊張，多家本土廠商就位
海外MOSFET供給有限，國內(nèi)哪些廠商能夠解市場之渴？
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