MOSFET
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三季度報(bào)告，捷捷微電：部分MOSFET因產(chǎn)能上漲了50%-60%
集微網(wǎng)消息，10月23日，捷捷微電近日發(fā)布2021年第三季度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.94億元，同比增長(zhǎng)74.25%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.49億元，同比增長(zhǎng)94.11%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)1.37億元，同比增長(zhǎng)88.11%。捷捷微電在最新的投資者活...
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MOSFET柵極前?100?Ω?電阻有什么用？
故事開始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過實(shí)驗(yàn)證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個(gè)100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師Gureux對(duì)他的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了監(jiān)督，并全程提供專家指導(dǎo)。高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介圖1中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測(cè)示例。圖1高端電...
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無(wú)任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓?fù)涫?PFC 最常見的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無(wú)橋型，才能進(jìn)一步減少器件使用，減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其控制法亦趨于成熟。
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開關(guān)電源的MOSFET如何選擇，看這篇就夠了
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖...
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MOSFET最新市場(chǎng)報(bào)告：規(guī)模沖百億美元，留意交期延長(zhǎng)變數(shù)
根據(jù)TrendForce研究顯示，MOSFET、IGBT與Bipolar屬于功率半導(dǎo)體元件（電晶體領(lǐng)域），用來(lái)做為半導(dǎo)體開關(guān)，其中MOSFET長(zhǎng)年占比超過五成，2020年占52.9％，2021年由于市場(chǎng)需求旺盛，占比有望小幅提升至54.2％。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場(chǎng)上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國(guó)外廠商，國(guó)內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測(cè)試平臺(tái)針對(duì)650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試。本文分享測(cè)試結(jié)果。
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首款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“，可提升電源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對(duì)高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，光伏，直流充電樁，儲(chǔ)能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì)，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。
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使用合適的MOSFET可以提高太陽(yáng)能利用效率
在過去的 10-30 年里，氣候變化一直是一個(gè)備受爭(zhēng)議的話題，引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來(lái)看，開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施，擺脫化石燃料等相對(duì)廉價(jià)的能源，成本要高得多。
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VishaySiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
穩(wěn)壓器采用5 mm x 7 mm封裝，輸出電流達(dá)40 A，提高了功率密度和瞬變響應(yīng)能力
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igbt和電力mosfet在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性
MOSFET和IGBT的對(duì)比
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)
新技術(shù)使電動(dòng)公共汽車等電動(dòng)交通動(dòng)力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴(yán)格的環(huán)境條件要求，同時(shí) 最大限度地提高效率
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如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝
在開始新設(shè)計(jì)時(shí)，工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項(xiàng)數(shù)量所淹沒。
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英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關(guān)式電容中間總線轉(zhuǎn)換器，為48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高功率密度
【2021年9月17日，德國(guó)慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。
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漲知識(shí)！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽(yáng)能逆變器中的性能比較
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國(guó)際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽(yáng)能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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安森美電機(jī)開發(fā)套件獲中國(guó)2021年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
業(yè)界認(rèn)可該套件的創(chuàng)新加快更高能效的電機(jī)控制方案的開發(fā)
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SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性
作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識(shí)到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)，試試這樣看！
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最...
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溫度對(duì)MOSFET工作和性能的影響
我們?cè)谝恍╅_關(guān)電源中會(huì)使用MOSFET去做控制。
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MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流
本文將重點(diǎn)討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。
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