MOSFET
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SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性
作為一家開(kāi)發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識(shí)到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)，試試這樣看！
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最...
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溫度對(duì)MOSFET工作和性能的影響
我們?cè)谝恍╅_(kāi)關(guān)電源中會(huì)使用MOSFET去做控制。
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MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流
本文將重點(diǎn)討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺(tái)與您分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見(jiàn)解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動(dòng)節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個(gè)全新內(nèi)容平臺(tái)，用于介紹無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見(jiàn)解。
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漲知識(shí)！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽(yáng)能逆變器中的性能比較
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國(guó)際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽(yáng)能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？
在開(kāi)關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來(lái)帶你具體分析。??MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開(kāi)關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！??SOA安全工作區(qū)SOA指的是安全工作區(qū)，由一系列限制條件組成的一個(gè)漏源極電壓VDS和漏...
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
參與面向汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管現(xiàn)場(chǎng)討論;直接觀看點(diǎn)播來(lái)自Nexperia實(shí)驗(yàn)室視頻演示
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MOSFET告急！大廠停工、交期不斷延長(zhǎng)，第三季再漲10%~20%
近日，馬來(lái)西亞實(shí)施了更為強(qiáng)硬的「強(qiáng)化行動(dòng)管制令」，當(dāng)?shù)豂DM大廠都被迫停工，據(jù)悉，IDM均已通知客戶交期延長(zhǎng)至少2周以上，MOSFET供給缺口將再擴(kuò)大，成為現(xiàn)今終端最缺的元器件之一，業(yè)界預(yù)期，受各家搶料及晶圓成本上漲，MOSFET第三季價(jià)格可望再漲10%~20%。多家MOSFET...
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東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！目前碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)樗裙璧碾妷焊?，損耗更低。然而，雖然碳化硅器件具有很大的發(fā)展前景，但該類器件的產(chǎn)品可靠性一直備受爭(zhēng)議，這也使其使用情況和市場(chǎng)增長(zhǎng)受到了阻礙。其中一個(gè)重要問(wèn)題是當(dāng)電流流過(guò)位于功率MOSFE...
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超結(jié)型MOSFET前來(lái)助陣，TOLL封裝為大功率產(chǎn)品錦上添花
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，功率MOSFET約占據(jù)全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模的22%。功率MOSFET在近幾年間需求的快速增長(zhǎng)，源于其獨(dú)特的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：第一，功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路較為簡(jiǎn)單，通?？梢杂蒚TL驅(qū)動(dòng)電路或者CMOS直接驅(qū)動(dòng)；第二，功率MOSFET的...
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內(nèi)含福利｜東芝SiC?MOSFET為您開(kāi)啟電源新大門(mén)
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！環(huán)境和能源問(wèn)題是一個(gè)重要的全球性問(wèn)題。同時(shí)，隨著電力需求持續(xù)升高，對(duì)節(jié)能的呼聲以及對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能，將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換...
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東芝MOSFET來(lái)襲，是你的心中所想么？
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！MOSFET因其開(kāi)關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)特性在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域引領(lǐng)風(fēng)騷已有數(shù)十年之久。在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，MOSFET會(huì)根據(jù)不同的耐受等級(jí)來(lái)分類設(shè)計(jì)其電氣屬性，實(shí)現(xiàn)了物盡其用。一些電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)控制信號(hào)的精度要求比較高，并要求經(jīng)過(guò)MOSFET的損耗必須小，但一...
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手指一戳，車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET就到面前了
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！MOSFETMOSFET所具備的開(kāi)關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)特性在整個(gè)電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的歷史進(jìn)程中都具備劃時(shí)代的意義。其中，汽車(chē)電子領(lǐng)域?qū)OSFET有很?chē)?yán)苛的要求：1、在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)候，精度要高；2、開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)特性下的抗干擾能力要強(qiáng)；3、在正常運(yùn)行下自身...
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關(guān)于MOSFET的十五個(gè)“為什么”
（1）為什么E－MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大？而隨著溫度的升高而下降？【答】E－MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層（導(dǎo)電溝道）所需要加的柵極電壓。對(duì)于n溝道E－MOSFET，當(dāng)柵電壓使得p型半導(dǎo)體表面能帶向下彎曲到表面勢(shì)ψs≥2ψB時(shí)，即...
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東芝SiC?MOSFET降低功率損耗，邁向碳中和
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！電力電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開(kāi)關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而在高開(kāi)關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯，這就使得SiCMOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存等應(yīng)用場(chǎng)景中的需求不斷提升。S...
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MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)，試試這樣看！
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表...
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