現(xiàn)在的電子產(chǎn)品離不開電子元器件,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
科學技術的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新,傳統(tǒng)硅基MOSFET技術日趨成熟,正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
CALY Technologies(卡利技術),是歐洲知名的碳化硅保護設備和電源轉換器件專家,能夠提供高性能、高可靠性、高耐用性的SiC限流裝置,SiC肖特基二極管等產(chǎn)品。
比利時·蒙-圣吉貝爾,2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
【2020年2月25日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。
協(xié)助設計師為數(shù)據(jù)中心、汽車HEV和工業(yè)應用實現(xiàn)碳化硅節(jié)能
該協(xié)議將提高SiC器件的制造靈活性,促進車規(guī)級和工業(yè)級SiC商用
~有助于推動SiC在車載市場和工業(yè)設備市場的普及~
比利時·蒙-圣吉貝爾,2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布,為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅動器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
今日,據(jù)悉,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn),項目達產(chǎn)后,預計形成產(chǎn)值 100 億元。該項目將有吸引上游企業(yè),形成產(chǎn)業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%,有效延長系統(tǒng)運行時間
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET,采用共源共柵的方式將其燒結在一起,是United SiC的最大設計特色。這種結構確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅動電壓,從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎的電路中進行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件,更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度,面對電動汽車和5G等全新應用需求,United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
?2019年12月9日,美國新澤西州普林斯頓--新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。
?從材料專業(yè)知識和工藝工程,到SiC MOSFET和二極管設計制造,意法半導體加強內部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設
基于碳化硅的電源解決方案在整個汽車市場中的采用率正在快速提高,因為該行業(yè)力求加快行業(yè)從內燃機向電動汽車的轉型,提高系統(tǒng)效率,使電動汽車具有更長的續(xù)航里程和更快的充電速度,同時降低成本,減輕車重,節(jié)省空間。
?電動、混動汽車可通過直流充電樁或普通的交流電源插座對其高壓電池子系統(tǒng)進行充電,車載充電器(OBC)是交流充電的核心系統(tǒng)。
?中國,2019年11月21日——Cree有限公司和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體于19日宣布,雙方將現(xiàn)有碳化硅(SiC)晶圓片多年長期供貨協(xié)議總價提高至5億美元以上,并延長協(xié)議有效期。這份延長供貨協(xié)議將原合同總價提高一倍,按照協(xié)議規(guī)定,Cree在未來幾年內向意法半導體提供先進的150mm碳化硅裸片和外延晶圓。
科銳與意法半導體宣布擴大并延伸現(xiàn)有多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應協(xié)議至5億多美元。意法半導體是全球領先的半導體供應商,橫跨多重電子應用領域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價值的雙倍,科銳將在未來數(shù)年向意法半導體提供先進的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應,幫助意法半導體應對在全球范圍內快速增長的SiC功率器件需求,特別是在汽車應用和工業(yè)應用。
該項目旨在通過提供先進技術與產(chǎn)品,提高碳化硅的可用性及性能,以滿足電動汽車、通信及工業(yè)應用領域對碳化硅不斷上漲的需求
采用Vienna拓撲有著諸多優(yōu)勢,但也會帶來不小的挑戰(zhàn),因為采用該拓撲需要實現(xiàn)大功率高頻轉換開關操作,此舉還會產(chǎn)生開關損耗,加之轉換損耗所產(chǎn)生的熱量也需要得到處理。