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碳化硅功率電子器件將助力電動汽車的快充研發(fā)
（文章來源：意法半導(dǎo)體） 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體被雷諾 － 日產(chǎn) － 三菱聯(lián)盟指定為高能效碳化硅（SiC）技術(shù)合作伙伴，為聯(lián)盟即將推出的新一代電動汽車的先
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氮化鎵的技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)及在無線基站中的應(yīng)用分析
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素，作為最基礎(chǔ)的器件原料，硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動汽車、5G的新應(yīng)用的普及，對于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC（碳化硅）等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。
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比亞迪：漢EV首搭自研高性能碳化硅電機(jī)控制模塊 百公里僅需3.9秒
比亞迪漢是比亞迪即將推出的一款中大型轎車，并帶來混動DM和純電動EV兩種動力車型。從官方對外公布的信息中，可以發(fā)現(xiàn)其不僅擁有亮眼的外形設(shè)計(jì)，核心的動力性能更是優(yōu)異，因此受到了國內(nèi)不少消費(fèi)者的關(guān)注。 日
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新基建時代，碳化硅在六大領(lǐng)域的典型應(yīng)用
當(dāng)前，抗擊疫情的硬仗還沒打完，疫后重建的硬仗已經(jīng)打響，動力就是“新基建”。
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碳化硅半導(dǎo)體材料的來龍去脈
什么是碳化硅半導(dǎo)體?它的發(fā)展歷程是怎樣?在之前很長的時間里，我們基本都集中于以硅半導(dǎo)體材料為主的分立器件和集成電路的研究中，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、通信、汽車電子、航天航空等各個領(lǐng)域，帶來的發(fā)展是巨大的。
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肖特基和碳化硅二極管解析
什么是肖特基和碳化硅二極管，他們有哪些注意事項(xiàng)?電子行業(yè)發(fā)展日新月異，離不開元器件家族各位的一起辛勤耕耘。本文我們就對二極管之肖特基和碳化硅，這兩款二極管進(jìn)入深入學(xué)習(xí)，看看哪些點(diǎn)是你不清楚的，一起把正確的思想捋順了。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列解析
現(xiàn)在的電子產(chǎn)品離不開電子元器件，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用
科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計(jì)。
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高可靠性3300V碳化硅二極管，法國CALY授權(quán)一級代理商提供免費(fèi)樣品
CALY Technologies(卡利技術(shù))，是歐洲知名的碳化硅保護(hù)設(shè)備和電源轉(zhuǎn)換器件專家，能夠提供高性能、高可靠性、高耐用性的SiC限流裝置，SiC肖特基二極管等產(chǎn)品。
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CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。
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借助Littelfuse柵極驅(qū)動器評估平臺加快基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)周期
協(xié)助設(shè)計(jì)師為數(shù)據(jù)中心、汽車HEV和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議
該協(xié)議將提高SiC器件的制造靈活性，促進(jìn)車規(guī)級和工業(yè)級SiC商用
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
~有助于推動SiC在車載市場和工業(yè)設(shè)備市場的普及~
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
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中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn)，最大碳化硅材料基地即將誕生
今日，據(jù)悉，中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值 100 億元。該項(xiàng)目將有吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運(yùn)行時間
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%，有效延長系統(tǒng)運(yùn)行時間
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗
?2019年12月9日，美國新澤西州普林斯頓--新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
