英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。

GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管，你了解嗎？

什么是GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管?它有什么特點(diǎn)?中國(guó)，北京，2018年6月22日訊 - Littelfuse公司，今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴(kuò)充其碳化硅電源半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。 本次產(chǎn)品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會(huì)期間舉辦。

安森美半導(dǎo)體的世界級(jí)寬禁帶產(chǎn)品供應(yīng)鏈

當(dāng)采用寬禁帶材料如碳化硅(SiC)半導(dǎo)體等精密器件時(shí)，至關(guān)重要的是選擇一個(gè)不僅可提供產(chǎn)品，還可提供設(shè)計(jì)方案、信息和支援的供應(yīng)商。安森美半導(dǎo)體具有內(nèi)部的、端到端供應(yīng)鏈的優(yōu)勢(shì)。

新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用，你了解嗎？

什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用?它有什么作用?推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅（SiC）電源器件系列產(chǎn)品

你知道助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品嗎?它有什么作用?業(yè)界希望基于碳化硅(SiC)的系統(tǒng)能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量，從而幫助工程師創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案;這一需求正在持續(xù)、快速地增長(zhǎng)。SiC技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景包括電動(dòng)汽車、充電站、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力系統(tǒng)和飛機(jī)電力系統(tǒng)等。

臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布在中國(guó)(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”。

產(chǎn)能翻番，安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”？

導(dǎo)讀安森美半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額增長(zhǎng)極快，2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商，而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。具有優(yōu)異特性的“第三代半導(dǎo)體材料”碳化硅（SiC）相比傳統(tǒng)硅材料，因具有良好的帶隙、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高飽和電子漂移速度而被制為SiCMOSFET...

當(dāng)碳化硅變成地?cái)傌?/a>

充電樁剛性需求，新基建加速SiC應(yīng)用

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。因此，碳化硅在光伏逆變器、新能源汽車的電機(jī)控制器以及充電樁等應(yīng)用中，相比于傳統(tǒng)硅器件有著很大優(yōu)勢(shì)。

【媒體訪談】解讀安森美半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域的機(jī)遇

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 不久前，安森美半導(dǎo)體剛剛推出新的900V和1200V SiC MOSFET，借此機(jī)會(huì)，EEWORLD專訪了安森美半導(dǎo)體寬禁帶產(chǎn)品線經(jīng)理Brandon Becker，就安森美SiC的產(chǎn)品、機(jī)遇、策略等相關(guān)話題給予了解讀。 以下是文章詳情： Q 目前安森美半導(dǎo)體...

關(guān)于碳化硅的合成、用途及制造工藝

碳化硅(SiC)，又稱金剛砂。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，僅次于世界上最硬的金剛石(10級(jí))，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路

電信行業(yè)連接著全球數(shù)十億人和數(shù)百萬(wàn)家企業(yè)。電信行業(yè)的增長(zhǎng)是以新技術(shù)為基礎(chǔ)的。這些新技術(shù)使互聯(lián)互通成為可能，為用戶提供頗具吸引力的新功能，并證明升級(jí)和擴(kuò)大蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的投資是合理的。伴隨著早期 4G LTE 技術(shù)支持的數(shù)據(jù)通信的出現(xiàn)，通信服務(wù)呈爆

探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng)，揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變

Formula E已經(jīng)走到第五個(gè)賽季，一路展示著EV（電動(dòng)汽車）其獨(dú)有的魅力。電光火石間，“科技凝聚體”以280Km/h的速度穿過(guò)紐約，巴黎，香港等各大城市的公共道路，同時(shí)收獲了以千禧一代為首，

CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成合作 攜手推進(jìn)基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)

雙方攜手推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。 比利時(shí)·蒙 - 圣吉貝爾和中國(guó)·北京 – 2019年4月8日 – 高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公

基本半導(dǎo)體與廣電計(jì)量達(dá)成戰(zhàn)略合作，加快推出車規(guī)級(jí)碳化硅器件

　在5月8日時(shí)，深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱廣電計(jì)量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，加快推出車規(guī)級(jí)碳化硅器件，

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量，工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此，半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神，來(lái)強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。

安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢(shì)

安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動(dòng)器及集成模塊。

三代半導(dǎo)體材料之間的區(qū)別？

半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段，那么有網(wǎng)友有疑問(wèn)：第三代半導(dǎo)體材料誕生之后，第一代和第二代半導(dǎo)體材料還在發(fā)揮作用嗎?以及第三代半導(dǎo)體相較第一代、第二代有哪些進(jìn)步?這三代半導(dǎo)體之間有什么技術(shù)區(qū)別?為何氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半導(dǎo)體中備受追捧?

SiC晶圓激光切割技術(shù)

常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料，主要由硅、鍺、硒等;化合物半導(dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。

【媒體訪談】車用級(jí)碳化硅應(yīng)用如何？

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體： 不斷推進(jìn)與車企的各種合作項(xiàng)目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 （SiC） MOSFET 和車用SiC二極管，包括：650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET （現(xiàn)提供樣品，今...