UnitedSiC推出9款新品：6mΩ導(dǎo)通電阻750V SiC暫無敵手

日前，UnitedSiC推出業(yè)界最小導(dǎo)通電阻RDS（on）6mΩ的750V第四代碳化硅場效應(yīng)管，并一口氣推出9款全新的UJ4C/SC器件。

持續(xù)碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新，踐行綠色可持續(xù)發(fā)展

出品?21ic中國電子網(wǎng)劉巖軒網(wǎng)站：21ic.com2021年一個(gè)繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導(dǎo)體廠商扮演著重要的角色——如何設(shè)計(jì)出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時(shí)提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導(dǎo)體廠商努力的共同方向。早在去年12月，意...

持續(xù)碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新，踐行綠色可持續(xù)發(fā)展——專訪意法半導(dǎo)體功率與分立產(chǎn)品大中華區(qū)總監(jiān)周志強(qiáng)

2021年一個(gè)繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導(dǎo)體廠商扮演著重要的角色——如何設(shè)計(jì)出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時(shí)提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導(dǎo)體廠商努力的共同方向。

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)

新技術(shù)使電動(dòng)公共汽車等電動(dòng)交通動(dòng)力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴(yán)格的環(huán)境條件要求，同時(shí) 最大限度地提高效率

英飛凌在奧地利新建300毫米晶圓廠，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提升和靈活調(diào)度

根據(jù)Semi保守預(yù)測，從2020到2024，芯片行業(yè)將增加至少38個(gè)新的 300毫米量產(chǎn)晶圓廠，在300毫米晶圓廠上的投入將在2030年達(dá)到700億美元?dú)v史新高。

碳化硅第一股來了！曾獲得華為注資

近日，科創(chuàng)板上市委2021年第65次審議會(huì)議結(jié)果公告顯示，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡稱“山東天岳”）符合發(fā)行條件、上市條件和信息披露要求。山東天岳招股書披露，本次公開發(fā)行不超過42，971，105股（不考慮超額配售選擇權(quán)），且發(fā)行完成后公開發(fā)行股份數(shù)占發(fā)行后總股數(shù)的比例...

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達(dá)到17...

第三代半導(dǎo)體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求，供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢壘二極管提供更快的開關(guān)和更高的效率

極快和低損耗的開關(guān)非常適合數(shù)據(jù)中心、樓宇自動(dòng)化和其他高功率電子應(yīng)用

東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)提高了可靠性的同時(shí)減小了尺寸

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，開發(fā)了用于碳化硅（SiC）功率模塊的封裝技術(shù)，能夠使產(chǎn)品的可靠性提升一倍[1]，同時(shí)減少20%的封裝尺寸[2]。與硅相比，碳化硅可以實(shí)現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料...

東芝新款高壓MOSFET，碳化硅功不可沒

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）眾所周知，硅元素因其獨(dú)特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展，越來越多的化合物半導(dǎo)體材料走上歷史舞臺(tái)。近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料正憑借其優(yōu)越的性能...

科普｜碳化硅芯片怎么制造？

芯片是如何制造的？網(wǎng)絡(luò)熱議的碳化硅芯片與傳統(tǒng)硅基芯片有什么區(qū)別？為大家解開謎團(tuán)，走進(jìn)神秘的芯片世界?？苿?chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院特別推出的一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個(gè)芯片通！碳化硅來了！寬禁帶半導(dǎo)體材料開啟新時(shí)代以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，突破原有半導(dǎo)體材料在大功率...

碳化硅如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)賦能

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！前言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太...

東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用（包括大容量電源），將于今日開始出貨。該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的...

碳化硅邁入新時(shí)代ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

1996年，ST開始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動(dòng)汽車。

極端溫度半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品

7月，來自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強(qiáng)硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。

UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator

該在線電源設(shè)計(jì)工具的增強(qiáng)型功能使確定最優(yōu)SiC FET設(shè)計(jì)解決方案更加容易

吉利汽車集團(tuán)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)締結(jié)以碳化硅為核心的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

加速汽車領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對效率和功率密度的選擇范圍

擴(kuò)產(chǎn)能，降成本！意法半導(dǎo)體制造首批200mm碳化硅晶圓

晶圓升級到200mm標(biāo)志著擴(kuò)大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計(jì)劃取得階段性成功！