比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。

這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。

該可擴展平臺中的第一款產(chǎn)品是一個三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導(dǎo)通損耗特性，導(dǎo)通電阻為3.25毫歐(mOhm)，同時具有低開關(guān)損耗特性，在600V/300A時導(dǎo)通和關(guān)斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個輕質(zhì)的鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板進行水冷，結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓(經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試)。

內(nèi)置的柵極驅(qū)動器包括3個板載隔離電源(每相1個)，可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(> 50KV/μs)的抗擾性可實現(xiàn)功率模塊的快速開關(guān)和低開關(guān)損耗。還具備欠壓鎖定(UVLO)、有源米勒鉗位(AMC)、去飽和檢測和軟關(guān)斷(SSD)等保護功能，以確保一旦發(fā)生故障時可以安全地驅(qū)動功率模塊并提供可靠的保護。

“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)碳化硅功率模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)允且粋€挑戰(zhàn)，”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton表示?！斑@款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅(qū)動器方面進行多年開發(fā)的成果，這源于我們和汽車與交通運輸領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者們的密切合作。我們很樂意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品，從而去支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡?！?