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產能翻番，安森美碳化硅為何“必不可少”？
具有優(yōu)異特性的“第三代半導體材料”碳化硅 （SiC） 相比傳統(tǒng)硅材料，因具有良好的帶隙、擊穿場強、高熱導率、高電子遷移率、高飽和電子漂移速度而被制為SiC MOSFET和SiC二極體，大面積應用于汽車和工業(yè)市場。 ? 圖：Si、GaAS、GaN和SiC半導體材料特性對比 ?
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產能翻番，安森美碳化硅為何“必不可少”？
安森美半導體的市場份額增長極快，2019年成為了排名第五的碳化硅供應商，而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。
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【媒體訪談】半導體業(yè)在“新基建”中機遇與挑戰(zhàn)
2020年，“新基建”政策無疑是國家發(fā)放的“香餑餑”，其涉及領域眾多，包含了5G基建、大數據中心、人工智能、高特壓、新能源汽車充電樁、工業(yè)互聯(lián)網等。據悉，“新基建”相關總投資規(guī)模有接近34萬億元，這也為各行各業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展時機，其中，半導體作為“新基建”的基礎設施建材，也...
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碳化硅功率電子器件將助力電動汽車的快充研發(fā)
（文章來源：意法半導體） 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體被雷諾 － 日產 － 三菱聯(lián)盟指定為高能效碳化硅（SiC）技術合作伙伴，為聯(lián)盟即將推出的新一代電動汽車的先
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氮化鎵的技術優(yōu)缺點及在無線基站中的應用分析
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半導體產業(yè)的代表元素，作為最基礎的器件原料，硅的性能已經接近了其物理極限。近年來隨著電動汽車、5G的新應用的普及，對于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC（碳化硅）等新材料半導體器件已經成為了行業(yè)內備受關注的產品。
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比亞迪：漢EV首搭自研高性能碳化硅電機控制模塊 百公里僅需3.9秒
比亞迪漢是比亞迪即將推出的一款中大型轎車，并帶來混動DM和純電動EV兩種動力車型。從官方對外公布的信息中，可以發(fā)現(xiàn)其不僅擁有亮眼的外形設計，核心的動力性能更是優(yōu)異，因此受到了國內不少消費者的關注。 日
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新基建時代，碳化硅在六大領域的典型應用
當前，抗擊疫情的硬仗還沒打完，疫后重建的硬仗已經打響，動力就是“新基建”。
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碳化硅半導體材料的來龍去脈
什么是碳化硅半導體?它的發(fā)展歷程是怎樣?在之前很長的時間里，我們基本都集中于以硅半導體材料為主的分立器件和集成電路的研究中，廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制、通信、汽車電子、航天航空等各個領域，帶來的發(fā)展是巨大的。
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肖特基和碳化硅二極管解析
什么是肖特基和碳化硅二極管，他們有哪些注意事項?電子行業(yè)發(fā)展日新月異，離不開元器件家族各位的一起辛勤耕耘。本文我們就對二極管之肖特基和碳化硅，這兩款二極管進入深入學習，看看哪些點是你不清楚的，一起把正確的思想捋順了。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列解析
現(xiàn)在的電子產品離不開電子元器件，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應用
科學技術的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
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高可靠性3300V碳化硅二極管，法國CALY授權一級代理商提供免費樣品
CALY Technologies(卡利技術)，是歐洲知名的碳化硅保護設備和電源轉換器件專家，能夠提供高性能、高可靠性、高耐用性的SiC限流裝置，SiC肖特基二極管等產品。
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CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產品組合，推出650V器件。
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借助Littelfuse柵極驅動器評估平臺加快基于碳化硅的電源轉換器的設計周期
協(xié)助設計師為數據中心、汽車HEV和工業(yè)應用實現(xiàn)碳化硅節(jié)能
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議
該協(xié)議將提高SiC器件的制造靈活性，促進車規(guī)級和工業(yè)級SiC商用
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羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
~有助于推動SiC在車載市場和工業(yè)設備市場的普及~
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CISSOID強勁可靠的柵極驅動器為Wolfspeed的快速開關碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅動器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
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中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產業(yè)園即將投產，最大碳化硅材料基地即將誕生
今日，據悉，中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產業(yè)園即將投產，項目達產后，預計形成產值 100 億元。該項目將有吸引上游企業(yè)，形成產業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三
