什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用?它有什么作用?推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。
你知道助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品嗎?它有什么作用?業(yè)界希望基于碳化硅(SiC)的系統(tǒng)能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量,從而幫助工程師創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案;這一需求正在持續(xù)、快速地增長。SiC技術(shù)的應(yīng)用場景包括電動(dòng)汽車、充電站、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力系統(tǒng)和飛機(jī)電力系統(tǒng)等。
中國新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”。
導(dǎo)讀安森美半導(dǎo)體的市場份額增長極快,2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商,而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。具有優(yōu)異特性的“第三代半導(dǎo)體材料”碳化硅(SiC)相比傳統(tǒng)硅材料,因具有良好的帶隙、擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高飽和電子漂移速度而被制為SiCMOSFET...
碳(C)是元素周期表中第六號元素,在生活中比較常見,在有機(jī)化學(xué)中也扮演者重要角色。碳形成的物質(zhì)性質(zhì)差異很大,有自然界硬度最大的金剛石,也有質(zhì)地非常柔軟的石墨。硅(Si)與碳處于周期表中的同一列,所以二者化學(xué)性質(zhì)也相似。硅在自然界中主要以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在,儲量豐富。提取到純度99%以上的硅單質(zhì)開創(chuàng)了“信息時(shí)代”,硅制成的集成電路與晶體管等半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)大大加速了信息化的進(jìn)程,而二氧化硅制造的光纖更是將世界連接了一起。碳與硅比較常見,那你有沒有想過碳+硅是什么呢?
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。因此,碳化硅在光伏逆變器、新能源汽車的電機(jī)控制器以及充電樁等應(yīng)用中,相比于傳統(tǒng)硅器件有著很大優(yōu)勢。
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 不久前,安森美半導(dǎo)體剛剛推出新的900V和1200V SiC MOSFET,借此機(jī)會,EEWORLD專訪了安森美半導(dǎo)體寬禁帶產(chǎn)品線經(jīng)理Brandon Becker,就安森美SiC的產(chǎn)品、機(jī)遇、策略等相關(guān)話題給予了解讀。 以下是文章詳情: Q 目前安森美半導(dǎo)體...
碳化硅(SiC),又稱金剛砂。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。
電信行業(yè)連接著全球數(shù)十億人和數(shù)百萬家企業(yè)。電信行業(yè)的增長是以新技術(shù)為基礎(chǔ)的。這些新技術(shù)使互聯(lián)互通成為可能,為用戶提供頗具吸引力的新功能,并證明升級和擴(kuò)大蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的投資是合理的。伴隨著早期 4G LTE 技術(shù)支持的數(shù)據(jù)通信的出現(xiàn),通信服務(wù)呈爆
Formula E已經(jīng)走到第五個(gè)賽季,一路展示著EV(電動(dòng)汽車)其獨(dú)有的魅力。電光火石間,“科技凝聚體”以280Km/h的速度穿過紐約,巴黎,香港等各大城市的公共道路,同時(shí)收獲了以千禧一代為首,
雙方攜手推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。 比利時(shí)·蒙 - 圣吉貝爾和中國·北京 – 2019年4月8日 – 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公
在5月8日時(shí),深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司(簡稱廣電計(jì)量)在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作,加快推出車規(guī)級碳化硅器件,
由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商,是該技術(shù)的先鋒,并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù),全面的高能效電源方案,包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動(dòng)器及集成模塊。
半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段,那么有網(wǎng)友有疑問:第三代半導(dǎo)體材料誕生之后,第一代和第二代半導(dǎo)體材料還在發(fā)揮作用嗎?以及第三代半導(dǎo)體相較第一代、第二代有哪些進(jìn)步?這三代半導(dǎo)體之間有什么技術(shù)區(qū)別?為何氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半導(dǎo)體中備受追捧?
常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料,主要由硅、鍺、硒等;化合物半導(dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體: 不斷推進(jìn)與車企的各種合作項(xiàng)目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 (SiC) MOSFET 和車用SiC二極管,包括:650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET (現(xiàn)提供樣品,今...
具有優(yōu)異特性的“第三代半導(dǎo)體材料”碳化硅 (SiC) 相比傳統(tǒng)硅材料,因具有良好的帶隙、擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高飽和電子漂移速度而被制為SiC MOSFET和SiC二極體,大面積應(yīng)用于汽車和工業(yè)市場。 ? 圖:Si、GaAS、GaN和SiC半導(dǎo)體材料特性對比 ?
安森美半導(dǎo)體的市場份額增長極快,2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商,而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。
2020年,“新基建”政策無疑是國家發(fā)放的“香餑餑”,其涉及領(lǐng)域眾多,包含了5G基建、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、高特壓、新能源汽車充電樁、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等。據(jù)悉,“新基建”相關(guān)總投資規(guī)模有接近34萬億元,這也為各行各業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展時(shí)機(jī),其中,半導(dǎo)體作為“新基建”的基礎(chǔ)設(shè)施建材,也...