CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成技術(shù)合作意向，共同研發(fā)基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)

CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡(jiǎn)稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實(shí)現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢(shì)，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開(kāi)展廣泛應(yīng)用。

加強(qiáng)RF/功率半導(dǎo)體布局　Cree 3.1億美元出售照明業(yè)務(wù)

為了更專注于加強(qiáng)RF業(yè)務(wù)及碳化硅(Silicon Carbide)和氮化鎵(GaN)技術(shù)，Cree將其照明業(yè)務(wù)出售給IDEAL INDUSTRIES。并借此行為將更多資源投注于擴(kuò)展其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，強(qiáng)化該公司在SiC和GaN市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，滿足電動(dòng)汽車、5G等應(yīng)用需求。

泰科天潤(rùn)六英寸SiC項(xiàng)目落戶江西九江

在江西九江市委、市政府主要領(lǐng)導(dǎo)的高位推動(dòng)下，3月29日，由泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項(xiàng)目正式簽約落戶九江經(jīng)開(kāi)區(qū)。該項(xiàng)目的落戶是經(jīng)開(kāi)區(qū)大力發(fā)展戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)取得的重大新成果，為九江市打造千億電子電器產(chǎn)業(yè)集群和壯大經(jīng)開(kāi)區(qū)首位產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能。

羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

意法半導(dǎo)體擬收購(gòu)碳化硅晶圓制造商N(yùn)orstel AB的多數(shù)股權(quán)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)日前宣布簽署一份協(xié)議，擬收購(gòu)瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB(以下簡(jiǎn)稱“Norstel”)的多數(shù)股權(quán)。在此項(xiàng)收購(gòu)交易完成后，意法半導(dǎo)體將在全球產(chǎn)能受限的情況下掌控部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈，為把握一個(gè)重大的發(fā)展機(jī)會(huì)做好準(zhǔn)備。

富士康要做芯片了，濟(jì)南2019重點(diǎn)項(xiàng)目透露了這些！

在實(shí)體經(jīng)濟(jì)項(xiàng)目中有幾個(gè)重大項(xiàng)目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設(shè)項(xiàng)目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體緊跟時(shí)代步伐，采用國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，推出國(guó)內(nèi)首款通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET，助推國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。

Cree與意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議

2019年1月10日，Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圓。按照該協(xié)議的規(guī)定，在當(dāng)前碳化硅功率器件市場(chǎng)需求顯著增長(zhǎng)期間，Cree將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價(jià)值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。

Cree與ST簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議

Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圓。

UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布推出采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現(xiàn)有的UJC3系列相比，F(xiàn)AST系列具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率水平。

作為金牌合作代理商，世強(qiáng)元件電商出席ROHM技術(shù)研討會(huì)

2018年9月起，ROHM技術(shù)研討會(huì)在全國(guó)巡回舉行，研討會(huì)圍繞\"電源\"與\"SiC(碳化硅) \"等話題開(kāi)展技術(shù)。

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。

碳化硅晶圓全球產(chǎn)能有限，緊缺狀態(tài)何時(shí)能解?

由于碳化硅的生產(chǎn)瓶頸尚未解決，原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定，造成整體市場(chǎng)無(wú)法大規(guī)模普及。

碳化硅無(wú)法轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模 主因是碳化硅晶圓制造和產(chǎn)能不順暢

相較于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。

突破！國(guó)內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈門投產(chǎn)

近日，國(guó)內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線在廈門芯光潤(rùn)澤科技有限公司正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)在碳化硅芯片這個(gè)戰(zhàn)略新興行業(yè)又實(shí)現(xiàn)了一次重要的突破。

寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開(kāi)始在材料中自由移動(dòng)。因而具有比硅更佳的特性和性能。

安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)。

中國(guó)電科二所實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)新突破

近日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。

大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。