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中國(guó)電科二所實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)新突破
近日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。
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大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。
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Littelfuse新推經(jīng)過擴(kuò)展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列
Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，近日宣布新推出了四個(gè)隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換
Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對(duì)
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高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評(píng)測(cè)了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命
LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。 這些新一代組件的商品化，為電力電子產(chǎn)業(yè)打開了全新的應(yīng)用可能性。
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三菱電機(jī)投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線擴(kuò)大碳化硅功率器件產(chǎn)量
三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)執(zhí)行官Gourab Majumdar博士日前表示，為了提高三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲透率，公司已經(jīng)開始投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線來擴(kuò)產(chǎn)，再配合創(chuàng)新技術(shù)向市場(chǎng)推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)品。
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美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶設(shè)計(jì)和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)提供用戶友好的設(shè)計(jì)指南，并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時(shí)間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。
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Littelfuse 新推新平臺(tái)開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管 具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 結(jié)構(gòu)可增強(qiáng)抗浪涌能力并降低泄漏電流Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以
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英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC™ MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅（ SiC ）智能功率模塊
CISSOID公司近日宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項(xiàng)目的支持下開發(fā)而成，通過減小重量和尺寸，該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度，從而支持多電飛機(jī)(More-Electrical Aircraft)中的發(fā)電系統(tǒng)和機(jī)電致動(dòng)器。
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高強(qiáng)度超輕金屬材料問世：用處大！
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，目前，美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校研究小組最新研制出一種超高強(qiáng)度，非常輕的金屬材料，他們使用一種新方法分散和穩(wěn)定納米微粒進(jìn)入熔化狀態(tài)的鎂金屬。這種新型
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Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)
Littelfuse公司日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措，Littelfuse對(duì)碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith Semiconductor公司進(jìn)行了投資。 碳化硅是一種發(fā)展迅速的新興半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)硅相比，能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作。 這讓逆變器和其他能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度、能源效率并降低成本。
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Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)
21ic訊 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措，Littelfuse對(duì)碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳
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Qorvo GaN產(chǎn)能即將實(shí)現(xiàn)翻倍
21ic訊 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集
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效率達(dá)98.7%的電動(dòng)車DC-DC轉(zhuǎn)化器
日前，由賽車運(yùn)動(dòng)及技術(shù)公司Prodrive領(lǐng)導(dǎo)的合作聯(lián)盟宣布成功研制出一種可應(yīng)用于電動(dòng)車的基于碳化硅的多端口DC-DC轉(zhuǎn)化器。該碳化硅多端口 DC-DC轉(zhuǎn)化器可以控制利用多種能
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我國(guó)第3代半導(dǎo)體被壟斷 國(guó)防所需受限
由于我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚，目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí)，我國(guó)對(duì)基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠，相關(guān)人才便很難被吸引，人才隊(duì)伍建設(shè)的問題也將逐漸成為發(fā)
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新聞大爆炸：大突破！國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國(guó)外壟斷
1、大突破!國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國(guó)外壟斷不久前，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅
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