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英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC™ MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅（ SiC ）智能功率模塊
CISSOID公司近日宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項(xiàng)目的支持下開發(fā)而成，通過減小重量和尺寸，該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度，從而支持多電飛機(jī)(More-Electrical Aircraft)中的發(fā)電系統(tǒng)和機(jī)電致動(dòng)器。
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高強(qiáng)度超輕金屬材料問世：用處大！
據(jù)國外媒體報(bào)道，目前，美國加州大學(xué)洛杉磯分校研究小組最新研制出一種超高強(qiáng)度，非常輕的金屬材料，他們使用一種新方法分散和穩(wěn)定納米微粒進(jìn)入熔化狀態(tài)的鎂金屬。這種新型
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Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)
Littelfuse公司日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措，Littelfuse對(duì)碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith Semiconductor公司進(jìn)行了投資。 碳化硅是一種發(fā)展迅速的新興半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)硅相比，能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作。 這讓逆變器和其他能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度、能源效率并降低成本。
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Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)
21ic訊 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措，Littelfuse對(duì)碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳
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Qorvo GaN產(chǎn)能即將實(shí)現(xiàn)翻倍
21ic訊 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集
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效率達(dá)98.7%的電動(dòng)車DC-DC轉(zhuǎn)化器
日前，由賽車運(yùn)動(dòng)及技術(shù)公司Prodrive領(lǐng)導(dǎo)的合作聯(lián)盟宣布成功研制出一種可應(yīng)用于電動(dòng)車的基于碳化硅的多端口DC-DC轉(zhuǎn)化器。該碳化硅多端口 DC-DC轉(zhuǎn)化器可以控制利用多種能
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我國第3代半導(dǎo)體被壟斷 國防所需受限
由于我國在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚，目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí)，我國對(duì)基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠，相關(guān)人才便很難被吸引，人才隊(duì)伍建設(shè)的問題也將逐漸成為發(fā)
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新聞大爆炸：大突破！國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國外壟斷
1、大突破!國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國外壟斷不久前，中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅
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國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片誕生 打破國外壟斷
日前，中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
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英飛凌主導(dǎo)的“NeuLand” 研究項(xiàng)目可將電路中的能耗降低35%
新型半導(dǎo)體材料意味著個(gè)人電腦、平板電視、服務(wù)器和電信系統(tǒng)所采用的開關(guān)模式電源可降低50%能耗，讓太陽能逆變器變得更加緊湊，成本效益更高。由英飛凌科技股份公司主導(dǎo)的“NeuLand” 研究項(xiàng)目的合作公司開發(fā)出高度集
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英飛凌推出第五代1200V thinQ碳化硅肖特基二極管
英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ在升壓拓?fù)浜凸β室蛩匦Ｕ≒FC）升壓拓?fù)渲薪Y(jié)合新的1200V thinQ碳化硅肖特基二極管和英飛凌出類拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能夠全面提升系統(tǒng)性能。相比于采用傳統(tǒng)硅二極管
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英飛凌推出第五代1200V thinQ! 碳化硅肖特基二極管
21ic訊 英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進(jìn)一步擴(kuò)展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其
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天域半導(dǎo)體投1.8億聯(lián)合中科院研究碳化硅
【導(dǎo)讀】記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第
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東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容
21ic訊 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其 650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)
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住友電氣SEDI 借助AIXTRON 愛思強(qiáng)系統(tǒng)推動(dòng)碳化硅基氮化鎵設(shè)備生產(chǎn)
核心提示：日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社所屬Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)已訂購一套4 英寸晶圓規(guī)格AIXTRON 愛思強(qiáng)CRIUS? MOCVD 系統(tǒng)，以推動(dòng)用于高頻數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的碳化硅基氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)
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GT宣布一系列戰(zhàn)略舉措優(yōu)化藍(lán)寶石應(yīng)用
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 GT Advanced Technologies（NASDAQ：GTAT）12天宣布了幾項(xiàng)新舉措，旨在為下一代消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品擴(kuò)展其藍(lán)寶石與碳化硅解決方案組合。公司已與位于歐洲的特種粘合與材料處理設(shè)備全球領(lǐng)導(dǎo)
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解讀中國LED芯片現(xiàn)況及國際大廠技術(shù)
芯片，是LED的核心部件。目前中外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分；若按顏色分類， 則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種；若按形狀分類，一般分為方片、
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LED芯片現(xiàn)狀：襯底材料和晶圓生長技術(shù)是關(guān)鍵
芯片，是LED的核心部件。目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片
