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意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓
晶圓升級到 200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功
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快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領域可每年省電40億度
眾所周知，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。
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華為哈勃投資天域半導體：發(fā)力第三代半導體材料碳化硅
除了投資“芯片之母”EDA企業(yè)，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司，后
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Microchip與貿(mào)澤合作推出新電子書探索未來的汽車設計與制造
2021年7月8日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與Microchip Technology合作推出一本新電子書Enabling the Future of Mobility。
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雷諾集團與意法半導體達成電力電子戰(zhàn)略合作
2021 年 6 月 30 日——雷諾集團和意法半導體宣布戰(zhàn)略合作，意法半導體為雷諾集團設計、開發(fā)、制造和供應純電動汽車和混動汽車電力電子系統(tǒng)所用芯片和相關封裝解決方案。
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UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
2021年5月20日，美國新澤西州普林斯頓 --- 全球領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。
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碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用
國際能源署(IEA)估計，電機功耗占世界總電力的45%以上。
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積極布局碳化硅廣闊應用前景，基本半導體亮相慕尼黑電子展
當前碳化硅的推動力需求很足，5G和數(shù)據(jù)激增帶來了數(shù)據(jù)中心的電源功率密度高度提升的要求；碳中和和新基建推動了新能源汽車的市場擴大；消費端自然地往下走的用戶體驗升級，同樣也來自碳化硅和GaN等新材料功率器件對于方案功率密度的提升。碳化硅的應用前景蔚然廣闊...
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。
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對于電源管理來說，碳化硅到底比硅強了多少？
諸如太陽能和風力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎的電廠，并且由于儲能和收集方法的改善，從而節(jié)省了大量成本，已經(jīng)超過了昂貴的“發(fā)電廠”。
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意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半導體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達1200V。
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碳化硅半導體2021年技術(shù)展望
隨著寬禁帶技術(shù)不斷滲透到傳統(tǒng)和新興的電力電子應用中，半導體廠商一直在以驚人的速度開發(fā)其產(chǎn)品系列。其中一些已發(fā)布了多代技術(shù)產(chǎn)品。安森美半導體憑借其經(jīng)證實的碳化硅(SiC)MOSFET器件性能和對客戶一流的支持，是該領域的一個領袖。
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碳化硅、氮化鎵有什么差別？
人工智能（AI）、邊緣運算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務器、網(wǎng)通設備，到手機上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應電力的功率元件，都將因化合物半導體的普遍運用，在性能上出現(xiàn)重大突破。
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)...
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英飛凌通過與GT Advanced Technologies合作擴大碳化硅供應基礎
GT Advanced Technologies與英飛凌科技（Infineon Technologies AG）聯(lián)合新聞稿德國慕尼黑和新罕布什爾州哈德遜, Nov. 13, 2020 (GLOBE
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基本半導體完成數(shù)億元B輪融資，打造行業(yè)領先的碳化硅IDM企業(yè)
2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國內(nèi)第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)基本半導體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資。
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臺積電想再稱霸20年，就得靠這種新材料！
第三代半導體雖然發(fā)展已經(jīng)有一段時間，不過，其實今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國大陸在今年發(fā)布的「十四五規(guī)劃」，將第三代半導體納入其中，再度引起市場對第三代半導體的關注。
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國內(nèi)首家!打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成量產(chǎn)平臺打造
中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺——三安集成日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應用領域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應用領域擴展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
