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臺積電想再稱霸20年，就得靠這種新材料！
第三代半導(dǎo)體雖然發(fā)展已經(jīng)有一段時間，不過，其實(shí)今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國大陸在今年發(fā)布的「十四五規(guī)劃」，將第三代半導(dǎo)體納入其中，再度引起市場對第三代半導(dǎo)體的關(guān)注。
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國內(nèi)首家!打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成量產(chǎn)平臺打造
中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺——三安集成日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導(dǎo)體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
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最全！解析碳化硅外延材料產(chǎn)業(yè)鏈
與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。碳化硅一般采用PVT方法，溫度高達(dá)2000多度，且加工周期比較長，產(chǎn)出比較低，因而碳化硅襯底的成本是非常高的。
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碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計、測試與系統(tǒng)評估
臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。
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一款62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計的CoolSiC?模塊
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
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你了解AgileSwitchò數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊工具包嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊。
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關(guān)于可能接觸的交換式電源供應(yīng)器，你知道嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如交換式電源供應(yīng)器。
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英飛凌簽約GT Advanced Technologies，擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX)與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。通過這份供貨合同，英飛凌將進(jìn)一步確保滿足其在該領(lǐng)域不斷增長的需求。
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關(guān)于新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“TW070J120B”解析
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的碳化硅(SiC)MOSFET嗎?
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快來了解Microchip的SiC汽車功率器件，你知道嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如碳化硅肖特基二極管。
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第三代半導(dǎo)體碳化硅的國產(chǎn)化
碳化硅(SiC)，與氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO)等一起，屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能。
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源)，并于今日開始出貨。
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首片國產(chǎn) 6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品發(fā)布！在上海
2020年10月17日東方衛(wèi)視的報道，首片國產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET(金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)晶圓于 10 月 16 日在上海正式發(fā)布。
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半導(dǎo)體迎重磅利好！國產(chǎn)借此“彎道超車”？
近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出，第三代半導(dǎo)體的火爆，一方面受國家政策面影響：另外有消息稱，中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好，支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績。
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碳化硅，氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料爆發(fā)！
當(dāng)前先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面，2025年目標(biāo)滲透率超過50%。底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，《中國制造2025》分別對第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。
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科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型
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【網(wǎng)絡(luò)研討會】看資深專家為您講解用于電動汽車的碳化硅解決方案，快報名！
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們 網(wǎng)上研討會 ? 2020年8月18日 上午10:00 ? 點(diǎn)擊“閱讀原文”，預(yù)先報名 活動介紹 電動汽車 (BEV) 和插電式混合動力汽車 (PHEV) 的廣泛普及持續(xù)快速增長-估計2019年美國售出30萬輛BEV，約占新車總銷量的2％。這些車輛中的每一輛車都有...
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
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我司的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出一款適用于太陽能逆變器應(yīng)用的全SiC功率模塊，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用，用于支持其M70A三...
