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積極布局碳化硅廣闊應(yīng)用前景，基本半導(dǎo)體亮相慕尼黑電子展
當(dāng)前碳化硅的推動力需求很足，5G和數(shù)據(jù)激增帶來了數(shù)據(jù)中心的電源功率密度高度提升的要求；碳中和和新基建推動了新能源汽車的市場擴(kuò)大；消費(fèi)端自然地往下走的用戶體驗(yàn)升級，同樣也來自碳化硅和GaN等新材料功率器件對于方案功率密度的提升。碳化硅的應(yīng)用前景蔚然廣闊...
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。
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對于電源管理來說，碳化硅到底比硅強(qiáng)了多少？
諸如太陽能和風(fēng)力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎(chǔ)的電廠，并且由于儲能和收集方法的改善，從而節(jié)省了大量成本，已經(jīng)超過了昂貴的“發(fā)電廠”。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。
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碳化硅半導(dǎo)體2021年技術(shù)展望
隨著寬禁帶技術(shù)不斷滲透到傳統(tǒng)和新興的電力電子應(yīng)用中，半導(dǎo)體廠商一直在以驚人的速度開發(fā)其產(chǎn)品系列。其中一些已發(fā)布了多代技術(shù)產(chǎn)品。安森美半導(dǎo)體憑借其經(jīng)證實(shí)的碳化硅(SiC)MOSFET器件性能和對客戶一流的支持，是該領(lǐng)域的一個(gè)領(lǐng)袖。
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碳化硅、氮化鎵有什么差別？
人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)...
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英飛凌通過與GT Advanced Technologies合作擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)基礎(chǔ)
GT Advanced Technologies與英飛凌科技（Infineon Technologies AG）聯(lián)合新聞稿德國慕尼黑和新罕布什爾州哈德遜, Nov. 13, 2020 (GLOBE
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基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資，打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領(lǐng)投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資。
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臺積電想再稱霸20年，就得靠這種新材料！
第三代半導(dǎo)體雖然發(fā)展已經(jīng)有一段時(shí)間，不過，其實(shí)今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國大陸在今年發(fā)布的「十四五規(guī)劃」，將第三代半導(dǎo)體納入其中，再度引起市場對第三代半導(dǎo)體的關(guān)注。
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國內(nèi)首家!打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成量產(chǎn)平臺打造
中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺——三安集成日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導(dǎo)體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
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最全！解析碳化硅外延材料產(chǎn)業(yè)鏈
與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。碳化硅一般采用PVT方法，溫度高達(dá)2000多度，且加工周期比較長，產(chǎn)出比較低，因而碳化硅襯底的成本是非常高的。
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碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測試與系統(tǒng)評估
臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。
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一款62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的CoolSiC?模塊
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
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你了解AgileSwitchò數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊工具包嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊。
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關(guān)于可能接觸的交換式電源供應(yīng)器，你知道嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如交換式電源供應(yīng)器。
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英飛凌簽約GT Advanced Technologies，擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX)與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。通過這份供貨合同，英飛凌將進(jìn)一步確保滿足其在該領(lǐng)域不斷增長的需求。
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關(guān)于新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“TW070J120B”解析
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的碳化硅(SiC)MOSFET嗎?
