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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源),將于今日開始出貨。



該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比,具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性,有利于降低功耗,精簡系統(tǒng)。


新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計生產(chǎn)[1],實現(xiàn)了輸入電容、柵輸入電荷、漏源導(dǎo)通電阻等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”關(guān)斷開關(guān)損耗降低80%左右,開關(guān)時間(下降時間)縮短大約70%,并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。


它的柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi),有助于減少故障風(fēng)險(意外開啟或關(guān)閉)。此外,內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)也有助于降低功率損耗。


在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中,這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的,而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻。


應(yīng)用

  • 大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器

  • 光伏逆變器

  • 大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器


特性

  • 第2代芯片設(shè)計(內(nèi)置碳化硅SBD)

  • 高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓:

VDSS=1200VCiss=1680pF(典型值)Qg=67nC(典型值)RDS(ON)=70mΩ(典型值)VDSF=-1.35V(典型值)Vth=4.2~5.8V
  • 增強類型易于操作


主要規(guī)格

(除非另有說明,@Ta=25℃)


注釋:

[1] 東芝于2020年7月30日發(fā)布的新聞:“可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的東芝新器件結(jié)構(gòu)問世”

https://toshiba.semicon-storage.com/cn/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html

[2] 環(huán)境溫度25℃


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TW070J120B

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關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社


東芝電子元件及存儲裝置株式會社,融新公司活力與經(jīng)驗智慧于一身。自2017年7月成為獨立公司以來,已躋身通用元器件公司前列,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。


公司24,000名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化。東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進價值共創(chuàng),共同開拓新市場,實現(xiàn)了超過7500億日元(68億美元)的年銷售額。公司期望為世界各地的人們建設(shè)更加美好的未來。


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