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英飛凌

文章數(shù)598

  • 英飛凌推出全新緊湊型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP），可在寬輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出

    【2025年5月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出。系統(tǒng)中的高壓 MOSFET采用小型SMD封裝，擁有低RDS(ON)且無需外部散熱器，從而縮小了系統(tǒng)尺寸并降低了復雜性。CoolSET? SiP支持零電壓開關（ZVS）反激式操作，在實現(xiàn)低開關損耗和低EMI特性的同時，提高系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)健性。這使其成為大型家用電器和AI服務器等應用的理想解決方案。此外，這款控制器使開發(fā)者更容易滿足嚴格的能源標準，幫助他們設計開發(fā)出與時俱進的最新功率解決方案。

  • 英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU，在單塊芯片中集成先進的傳感和系統(tǒng)控制功能

    【2025年5月27日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術的 Arm? Cortex?-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進技術。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強功能和先進傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機接口（HMI）應用提供了完整的解決方案。

  • 英飛凌推出650 V CoolGaN? G5雙向開關，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性

    【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650 V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設計和雙柵極結(jié)構(gòu)，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和CoolGaN?技術的單片雙向開關，能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關。

  • 英飛凌攜手偉世通合作開發(fā)面向新一代電動汽車的先進功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

    【2025年5月23日, 美國加利福尼亞州圣何塞和密歇根州范布倫鎮(zhèn)訊】汽車半導體領域領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)與全球汽車座艙電子產(chǎn)品領導者偉世通(NASDAQ代碼：VC)近日宣布，雙方已簽署諒解備忘錄(MOU)，將共同推進下一代電動汽車動力總成的開發(fā)。

  • 英飛凌攜手NVIDIA，引領未來AI服務器機架電源架構(gòu)變革

    【2025年5月22日，德國慕尼黑和美國加州圣克拉拉訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在推動電源供應架構(gòu)的革新，以滿足未來的AI數(shù)據(jù)中心需求。英飛凌攜手NVIDIA正在開發(fā)采用集中式電源供電的800 V高壓直流（HVDC）架構(gòu)所需的下一代電源系統(tǒng)。新的系統(tǒng)架構(gòu)將顯著提升數(shù)據(jù)中心的電源傳輸效率，并且能夠在服務器主板上直接進行電源轉(zhuǎn)換進而提供給AI芯片（GPU）。英飛凌在電源轉(zhuǎn)換領域擁有深厚的積淀和技術專長，能夠提供從電網(wǎng)到處理器核心的電源轉(zhuǎn)換解決方案，全面覆蓋硅、碳化硅和氮化鎵等所有相關的半導體材料，正在加速實現(xiàn)其全面的 HVDC 架構(gòu)路線圖。

  • 英飛凌二氧化碳減排目標獲科學碳目標倡議組織認證

    【2025年5月X日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近期在低碳化方面取得新進展：其溫室氣體減排目標獲得科學碳目標倡議組織（SBTi）的認證。獲批的目標包括公司自身的排放量（范圍 1和范圍2）目標以及供應鏈排放量（范圍 3）目標。英飛凌的范圍1和范圍2目標符合《巴黎協(xié)定》將全球氣溫升幅控制在1.5攝氏度以內(nèi)的要求，達到了SBTi對近期碳減排目標的最高標準。此外，英飛凌還針對供應鏈制定了正式的范圍3目標，并將與供應商合作作為公司可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的基本組成部分。例如，英飛凌采購團隊已經(jīng)與100多家供應商就碳減排解決方案開展了積極合作。

  • 英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破

    【2025年5月20日, 中國上海訊】在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網(wǎng)絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT， CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術升級，顯著提升充換電設備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。

  • 英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹立領先AI服務器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標準

    【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領先處理器制造商AI服務器平臺的 IBC級。應用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面，如服務器機架或整個數(shù)據(jù)中心，則將帶來顯著的節(jié)能效果。

  • 英飛凌啟動公司25周年傳播項目

    【2025年5月16日，德國慕尼黑訊】為慶祝公司25周年，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）啟動了一項全球整合傳播活動，旨在彰顯半導體技術的經(jīng)濟和社會價值，以及英飛凌在推動低碳化和數(shù)字化方面做出的貢獻。這場傳播活動的核心主旨是：英飛凌的產(chǎn)品和解決方案對我們每個人的日常生活都至關重要。活動內(nèi)容將圍繞“Matters to me”這一主題展開一系列的情感講述。

  • 英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊，進一步擴大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合

    【2025年5月15日, 德國慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產(chǎn)品上市時間。

  • 英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術創(chuàng)新與智能綠色生活

    【2025年5月14日, 中國上海訊】近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過深度整合各自優(yōu)勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務。

  • 英飛凌發(fā)布2025財年第二季運營成果：營收增長證實了預期的經(jīng)濟復蘇，但關稅政策及匯率的負面影響，給下半財年帶來不確定性

    2025 財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設為1:1.05），預計營收較上一年將略有下降。這包括了對關稅政策潛在影響的估算。調(diào)整后的毛利率預計在 40% 左右，利潤率為14%~16%左右。投資額降至約 23 億歐元。調(diào)整后的自由現(xiàn)金流（扣除對前道廠房的投資后）約為16 億歐元，報告的自由現(xiàn)金流保持不變，約為 9 億歐元

  • 英飛凌SiC超結(jié)技術樹立新標準，加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升

    【2025年5月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務開發(fā)經(jīng)驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域的創(chuàng)新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術。

  • 英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

    【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。

  • 英飛凌與馬瑞利在2025上海車展展示MEMS激光束掃描技術，攜手開啟汽車座艙設計新紀元

    【2025年4月30日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）與全球頂尖汽車系統(tǒng)制造商馬瑞利宣布聯(lián)合推出創(chuàng)新的MEMS激光束掃描（LBS）系統(tǒng)，共同推進汽車顯示技術的發(fā)展。這一基于英飛凌LBS技術的解決方案助力馬瑞利突破傳統(tǒng)顯示屏的限制，創(chuàng)造沉浸式的座艙體驗。這項前沿技術已在2025上海車展的馬瑞利展臺首次亮相。