【2025年8月28日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布與臺達電子工業(yè)股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)強化既有合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。

英飛凌OptiMOS?系列 TDM22544D 雙相功率模塊

這項合作結(jié)合了英飛凌的超薄硅基(MOSFET)芯片與嵌入式封裝技術(shù)，以及臺達行業(yè)領(lǐng)先的電源模塊設(shè)計與制造能力，共同開發(fā)具備高能效的高功率密度電源模塊，以實現(xiàn)超大型數(shù)據(jù)中心xPUs(運算單元)的垂直供電架構(gòu)(VPD)。相較于傳統(tǒng)的平面橫向供電分立式解決方案，垂直供電模塊可為單一機柜在三年的產(chǎn)品周期中減少高達150噸的二氧化碳排放。若未來的超大型數(shù)據(jù)中心將包含多達100個服務(wù)器機柜，總計二氧化碳減排量將相當于4000戶家庭一年的碳排放。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“與臺達的緊密合作是兩家公司相輔相成的一個完美的典范——結(jié)合英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的硅基技術(shù)與封裝專業(yè)技術(shù)，和臺達卓越的模塊開發(fā)能力相結(jié)合。通過這項合作，我們攜手為超大型數(shù)據(jù)中心創(chuàng)造了顯著價值，在保持高效率與高可靠性的同時，也降低了成本，進一步推動了低碳化的進程。”

臺達電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理陳盈源表示：“我們與英飛凌的合作已推進至共同開發(fā)高度先進的VPD模塊，可為客戶提供卓越的電源效率、可靠性與可擴展性。我們對于能夠在推動超大型數(shù)據(jù)中心電源基礎(chǔ)設(shè)施生態(tài)系統(tǒng)節(jié)能方面發(fā)揮關(guān)鍵作用而感到自豪，并且期待通過兩家公司的聯(lián)合創(chuàng)新為整個行業(yè)做出重要貢獻。”

臺達的這項VPD模塊采用英飛凌的硅基OptiMOS? 90A功率級解決方案，其垂直供電技術(shù)是提高系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素，因為垂直供電實現(xiàn)了更直接且精簡的供電路徑。通過垂直供電而非橫向供電，VPD模塊可減少系統(tǒng)的供電網(wǎng)絡(luò)損耗，從而實現(xiàn)更高的功率密度與效率，同時也減少因電源損耗產(chǎn)生的散熱需求。另外，垂直供電設(shè)計還能釋放出更多系統(tǒng)板上的面積，幫助超大型數(shù)據(jù)中心更有效地利用空間，設(shè)計出更為緊湊與高密度的數(shù)據(jù)中心，并降低整體擁有成本。

隨著AI時代的持續(xù)推進，對高功率數(shù)據(jù)中心的需求正呈指數(shù)級增長。為滿足這一需求，數(shù)據(jù)中心需要能夠支持AI訓練與推理應(yīng)用日益增長的功率需求的供電解決方案。此外，由于整合了更多高度互連的xPUs，IT機柜內(nèi)的密度日益增加，需要開發(fā)更高電壓的配電解決方案，更為高效地為這些高密度系統(tǒng)供電。英飛凌與臺達正在合作開發(fā)下一代AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)解決方案，以應(yīng)對在不久的將來這些數(shù)據(jù)中心機柜即將出現(xiàn)的兆瓦(MW)等級供電需求

除了在氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)電源解決方案方面擁有廣泛的產(chǎn)品組合外，英飛凌還是硅MOSFET領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，其設(shè)計的硅MOSFET旨在為電源開關(guān)、控制和轉(zhuǎn)換帶來一流的性能、可靠性與易用性，幫助產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案實現(xiàn)更高的效率、功率密度和成本效益。