Power Integrations近日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率,并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。
先進(jìn)的氮化鎵(GaN)技術(shù)可大幅提高功率和效率
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個(gè)模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強(qiáng)可靠性
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個(gè)模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強(qiáng)可靠性
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能,能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開關(guān)頻率。不過(guò),SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù),這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
王洪陽(yáng)
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