針對(duì)開關(guān)應(yīng)用中的低RDSon、低尖峰和高效率進(jìn)行了優(yōu)化
集成自動(dòng)復(fù)位低電阻FET，降低工作功耗
封裝配置使整流二極管符合更高的爬電距離和電氣間隙標(biāo)準(zhǔn)
擴(kuò)大研發(fā)和生產(chǎn)能力，支持未來(lái)技術(shù)的發(fā)展
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的肖特基二極管現(xiàn)采用R2P DPAK封裝
1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品
戰(zhàn)略投資和持續(xù)進(jìn)展為未來(lái)增長(zhǎng)鋪平道路
為工程師提供精確的數(shù)據(jù)，以找到出色的能量采集解決方案
簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。
提供卓越散熱性能的同時(shí)維持較小尺寸
延長(zhǎng)智能手機(jī)和VR頭顯的電池續(xù)航時(shí)間及視頻顯示器壽命
結(jié)合銅夾片封裝和寬禁帶半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)
1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源轉(zhuǎn)型
此次合作將利用雙方的協(xié)同優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步提升碳化硅(SiC)技術(shù)
liqinglong1023
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