www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 電源 > 電源電路
[導(dǎo)讀]什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場(chǎng)中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多,并且隨著對(duì)SiC器件需求的增加,制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。

什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場(chǎng)中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多,并且隨著對(duì)SiC器件需求的增加,制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。

例如,Rohm和STMicroelectronics最近簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,SiCrystal(屬于Rohm Group)將向STMicroelectronics提供超過1.2億美元的150mm SiC晶圓。 SiCrystal將向ST提供單晶碳化硅晶片襯底(圖1)。為什么這個(gè)這么重要?因?yàn)镾iC的特性特別適合用于電動(dòng)汽車,快速充電站,可再生能源和各種工業(yè)應(yīng)用中的各種功率組件和設(shè)備。

電路中的碳化硅

碳化硅在能源方面具有許多優(yōu)勢(shì),這就是為什么碳化硅及其表親GaN一直并將成為新功率電子器件開發(fā)中關(guān)注的焦點(diǎn)。它們是主要的寬禁帶(WBD)半導(dǎo)體材料。 SiC能夠承受更高的電壓,比典型的硅高出十倍。這意味著可用于高壓電子應(yīng)用的串聯(lián)組件更少,從而降低了復(fù)雜性并降低了系統(tǒng)成本。

SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)已經(jīng)在半導(dǎo)體行業(yè)取代了硅。 GaN可能是特定市場(chǎng)的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。帶有SBD的逆變器大大降低了恢復(fù)損耗,從而提高了效率。電源設(shè)計(jì)必須牢記幾個(gè)要求,包括空間和重量,這些要求與效率一起發(fā)揮重要作用。SiC-SBD越來越多地應(yīng)用于開關(guān)電源中的功率因數(shù)校正器(PFC)電路和次級(jí)側(cè)橋式整流器。 Rohm SiC-SBD的產(chǎn)品組合包括600V和1200V模塊,額定電流范圍為5A至40A。

常規(guī)功率電子設(shè)備的效率無法充分利用半導(dǎo)體的全部品質(zhì),而熱量形式的效率損失約為15%。由于其物理特性,SiC半導(dǎo)體材料具有滿足這些市場(chǎng)趨勢(shì)要求的巨大潛力。較低的損耗對(duì)應(yīng)于較低的熱量產(chǎn)生,這反映在更直接、更便宜、更小、更輕的冷卻系統(tǒng)中,因此,功率密度也更高。低開關(guān)損耗允許增加開關(guān)頻率并減小元件尺寸。尺寸的減小或多或少與頻率的增加成正比。

SiCrystal GmbH全球銷售和營(yíng)銷負(fù)責(zé)人MarkusKr?mer表示:“基于電動(dòng)汽車的應(yīng)用場(chǎng)景,汽車制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)提出了各種要求。其中包括,例如耐溫度變化、抗振動(dòng),在不同溫度下的操作可靠性以及長(zhǎng)壽命。

他繼續(xù)說:“此外,汽車制造商已經(jīng)認(rèn)為集成系統(tǒng)對(duì)高功率密度的要求是不言而喻的。此外,整個(gè)系統(tǒng)的成本以及在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段所付出的努力都應(yīng)保持在較低水平,同時(shí)還要保證產(chǎn)品質(zhì)量和操作安全性。所有這些觀點(diǎn)以及我們目前認(rèn)識(shí)到未來幾年SiC產(chǎn)品需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)這一事實(shí)表明,我們需要為客戶提供高質(zhì)量的基材。該協(xié)議證實(shí),從SIC基板到組件和模塊的供應(yīng)鏈必不可少,”Kr?mer說。

隨著時(shí)間的流逝,眾所周知,硅可能會(huì)逐漸被淘汰。 SiC顯然比硅具有許多優(yōu)勢(shì),但在成本和生產(chǎn)工藝方面仍需要改進(jìn)。市場(chǎng)需要高效的設(shè)備,這些設(shè)備必須能夠處理高電壓和高電流,并且能夠在比硅更高的溫度下工作。新興行業(yè)強(qiáng)烈需要SiC和GaN。

從2019年到2025年,全球碳化硅市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以15.7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。該產(chǎn)品在電力電子領(lǐng)域(尤其是在電動(dòng)汽車領(lǐng)域)的越來越多的使用有望維持更為顯著的增長(zhǎng)?!? 2020年1月,SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.08億歐元。我們預(yù)計(jì)市場(chǎng)將進(jìn)一步增長(zhǎng),因此將為SiC的擴(kuò)展做出巨大貢獻(xiàn)。此外,我們堅(jiān)信,隨著SiC市場(chǎng)的增長(zhǎng),8英寸市場(chǎng)將加速發(fā)展?!币陨暇褪荢iC的相關(guān)解析,希望能給大家?guī)椭?

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用使得電源管理成為了一個(gè)至關(guān)重要的領(lǐng)域。從智能手機(jī)、筆記本電腦到數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車,高效的電源管理對(duì)于設(shè)備的性能、能效和尺寸都起著決定性作用。近年來,氮化鎵(GaN)技術(shù)的興起,為電源管...

關(guān)鍵字: 氮化鎵 電源管理 寬禁帶

在全球積極追求可持續(xù)發(fā)展與應(yīng)對(duì)氣候變化的大背景下,能源格局正經(jīng)歷著深刻變革。半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代科技的基石,在這場(chǎng)能源變革中扮演著極為關(guān)鍵的角色,其創(chuàng)新正從多個(gè)維度重塑能源的生產(chǎn)、傳輸與使用方式,成為推動(dòng)能源格局演變的核心...

關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 能源 寬禁帶

從 MOSFET、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案...

關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 寬禁帶 碳化硅

切換電容器接觸器、晶閘管投切電容器裝置(Tsc)、復(fù)合開關(guān)投切電容器裝置作為工業(yè)低壓系統(tǒng)中常用的電容器投切裝置 ,在可靠性、體積、能耗、壽命等方面各有不同的缺陷 。鑒于第三代半導(dǎo)體材料sic已在電力電子器件中大量使用 ,...

關(guān)鍵字: 投切電容器裝置 sic 節(jié)銀型交流接觸器 MATLAB仿真

正在持續(xù)擴(kuò)建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價(jià)值約 50 億歐元的設(shè)計(jì)訂單,并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。值得一提的是,這些設(shè)計(jì)訂單來自不同行業(yè)的客戶,包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的...

關(guān)鍵字: 英飛凌 居林 SiC GaN 寬禁帶 可持續(xù)發(fā)展

第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì),特別適用于5G射頻和...

關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 寬禁帶 高壓功率器件

泰克針對(duì)性的測(cè)試解決方案覆蓋了從半導(dǎo)體材料、生產(chǎn)、可靠性到電源設(shè)計(jì)應(yīng)用的全流程,幫助用好寬禁帶技術(shù),推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。

關(guān)鍵字: 寬禁帶 測(cè)試測(cè)量

為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。

關(guān)鍵字: 寬禁帶 半導(dǎo)體

是德科技公司日前宣布,芯派科技采用了是德科技的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案,二者將共同為促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出努力。

關(guān)鍵字: 是德科技 寬禁帶 功率器件

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一...

關(guān)鍵字: MOSFET 碳化硅 寬禁帶
關(guān)閉
關(guān)閉