一種寬輸入雙管反激式開關(guān)電源的設(shè)計

摘要：光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)中通常使用寬輸入范圍的開關(guān)電源來為低壓微控制器、IGBT驅(qū)動器以及LCD供電。文中介紹了一種輸入范圍為120～800 V，輸出為20V／1A的開關(guān)隔離電源的設(shè)計方法，從而有效地解決了光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來，內(nèi)核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番，即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會高達(dá)40A之大，而電壓在0.9V和1.75

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來，內(nèi)核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番，即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會高達(dá)40A之大，而電壓在0.9V和1.75

皮衛(wèi)星智能航天電源系統(tǒng)設(shè)計

本文針對皮衛(wèi)星電源系統(tǒng)的特點(diǎn)開發(fā)了一套智能化、高效率的數(shù)字化電源系統(tǒng)，其智能化設(shè)計主要體現(xiàn)在：通過多種測量電路對電源系統(tǒng)各關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電壓、電流等重要信號進(jìn)行實(shí)時采集、處理與分析，隨時掌握電源系統(tǒng)的能量

皮衛(wèi)星智能航天電源系統(tǒng)設(shè)計

本文針對皮衛(wèi)星電源系統(tǒng)的特點(diǎn)開發(fā)了一套智能化、高效率的數(shù)字化電源系統(tǒng)，其智能化設(shè)計主要體現(xiàn)在：通過多種測量電路對電源系統(tǒng)各關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電壓、電流等重要信號進(jìn)行實(shí)時采集、處理與分析，隨時掌握電源系統(tǒng)的能量

NS推出內(nèi)置MOSFET門極驅(qū)動器的全橋PWM控制器

21ic訊 美國國家半導(dǎo)體公司（NS）宣布推出業(yè)界首款內(nèi)置全部4個初級端橋接MOSFET門極驅(qū)動器的全橋脈沖調(diào)制（PWM）控制器。這兩款型號分別為LM5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8磚電源模塊的效率和功率密度，其

MOSFET的AGC環(huán)路

飛兆半導(dǎo)體在展會上重點(diǎn)展示功率技術(shù)解決方案

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會上，展示超過20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案，展臺編

瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體

瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因

意法半導(dǎo)體上市LED燈泡用驅(qū)動IC MOSFET

意法合資的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)上市了小型LED燈泡用驅(qū)動IC“HVLED805”。該IC用在反激型絕緣AC-DC轉(zhuǎn)換器的一次側(cè)，在一個芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐壓的功率MOSFET。無需使用電流檢測電阻便可檢測出

IR將攜最新節(jié)能電源管理解決方案參展IIC-China 2011

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布將攜行業(yè)領(lǐng)先的節(jié)能電源管理解決方案參展第十六屆國際集成電路研討會暨展覽會（IIC-China 2011）。　　IR的工程師和

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠

LED恒流驅(qū)動器件MOSFET選擇

常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動設(shè)計要求.所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主.　　功率MOSFET的開關(guān)特性:MOSFET功率場效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來

LED恒流驅(qū)動器件MOSFET選擇

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同步MOSFET柵極驅(qū)動器LTC4444/-5的H級版本（Linear）

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)

利用STR F6656設(shè)計34寸彩色電視機(jī)開關(guān)電源

摘要：介紹Sanken公司的混合型開關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用，作為實(shí)例，介紹了使用STR?F6656設(shè)計一個34″彩電用的開關(guān)電源，并給出滿意的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。1引言　　混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

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