MOSFET
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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B
SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動模塊。
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一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計的驅(qū)動器
介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計的電力電子驅(qū)動器件——SCALE集成驅(qū)動器的性能特點和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
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Maxim:MAX1567
MAX1567是一款六通道、高效率、完整的數(shù)碼相機電源轉(zhuǎn)換器方案，它適應(yīng)2節(jié)AA，1節(jié)鋰電池和其它雙電池應(yīng)用。其主要特點如下：1：該器件具有六個直流-直流轉(zhuǎn)換器通道：內(nèi)置MOSFET的升壓轉(zhuǎn)換器；內(nèi)置MOSFET可配置為升壓或
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凌特公司通過2.6A超低正向電壓理想二極管提高二極管“或”效率
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低損耗 Power PathTM 控制器，能夠控制一個集成 P 溝道 MOSFET，為電源切換或負載共享提供近于理想的二極管功能。在導(dǎo)通時，MOSFET 的電壓降至 28mV，比同類別的肖特基二
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IR全新多功能驅(qū)動集成電路
功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR2304及IR2308多功能600V高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動集成電路，產(chǎn)品整合了專為照明鎮(zhèn)流器、電源及電機驅(qū)動內(nèi)的半橋MOSFET或IGBT電路而設(shè)的保護功能。IR230
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性
功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SM
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