MOSFET
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下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號(hào)Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶
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本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品
功率MOSFET市場為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場。甚至，隨著高壓功率器件市場的快速增長，幾年前IR也開始不斷
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下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號(hào)Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶
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新型-30V P 溝道功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS
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準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算
如果不用固定的時(shí)鐘來初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰
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多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導(dǎo)通電阻(70
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多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導(dǎo)通電阻(70
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汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開關(guān)應(yīng)用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開關(guān)應(yīng)用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計(jì)算電源損耗：下一步是利用上述簡單表達(dá)式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電
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如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計(jì)算電源損耗：下一步是利用上述簡單表達(dá)式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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汽車用功率 MOSFET 專用系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 日前宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。新的 MO
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