MOSFET
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飛兆半導體在IIC China 2011展示先進功率與便攜技術
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)將在2月24日至26日舉行的IIC China 2011展會上，展示其最新的功率技術和便攜技術，公司展臺位于深圳會展中心2號展館2J19展臺。 飛兆半導體華南地區(qū)銷售總監(jiān)藍仕偉表示：
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。新器件系列采用了 IR 經過驗證的平面技術，包括 55V 和 150V 標準柵極驅動
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
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遼寧工學院 TOPSwitch的特點及設計時需注意的問題
摘要：對TOPSwitch的特點作了進一步的分析，并講述了設計中如何求得一個最佳電感值的問題。1引言 對于200W以下的開關電源，應用TOPSwitch與應用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡化，體積和重量進一
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。新器件系列采用了 IR 經過驗證的平面技術，包括 55V 和 150V 標準柵極驅動
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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UniFET II MOSFET器件（飛兆）
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發(fā)出經優(yōu)化的功率MOSFET產品UniFET™ II MOSFET，新產品
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大陸MOSFET需求強勁 供應商出貨不及
2010年大陸因市場需求勁揚5成，產能受限，導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroel
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漢磊連4季漲價
國際整合元件制造廠（IDM）大動作對臺釋出類比IC晶圓代工及磊晶晶圓（EPI Wafer）訂單，隨著訂單在1月起陸續(xù)到位，磊晶晶圓需求強勁爆增，已出現(xiàn)供給吃緊現(xiàn)象。由于IDM廠持續(xù)加碼下單，磊晶晶圓將重演去年大缺貨榮景
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電源設計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
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電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分
在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應市場持續(xù)高漲的節(jié)
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應市場持續(xù)高漲的節(jié)
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
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英飛凌擬改12寸晶圓量產
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應市場持續(xù)高漲的節(jié)
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英飛凌擬改12寸晶圓量產
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應市場持續(xù)高漲的節(jié)
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MOSFET雪崩能量的應用考慮
在功率MOSFET的數(shù)據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中
