MOSFET
-
運放做自動OR操作的電源選擇器
一般來說，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個任務(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內。這個壓降會消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可
-
運放做自動OR操作的電源選擇器
一般來說，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個任務(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內。這個壓降會消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可
-
最佳電源模塊選擇標準
目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無線網(wǎng)絡系統(tǒng)采用分布式電源架構供電。這些復雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個精確的參數(shù)。為達到這種性能水平，大部分設計采用FPGA、微處理器、
-
最佳電源模塊選擇標準
目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無線網(wǎng)絡系統(tǒng)采用分布式電源架構供電。這些復雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個精確的參數(shù)。為達到這種性能水平，大部分設計采用FPGA、微處理器、
-
理解功率 MOSFET 的電流
通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們如何影響系統(tǒng)以及如何選
-
晶片設計/封裝別出心裁 電源供應系統(tǒng)加速“綠”化
隨著各國法規(guī)對電子產(chǎn)品耗電量的要求日益嚴苛，消費者也開始將節(jié)能效果的良窳，做為采購時的重要參考指標。為符合市場需求，電源晶片商正全力開發(fā)更高轉換效率的解決方案，以因應電源供應器朝向更高節(jié)能效率發(fā)展的風
-
Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。 《今
-
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于
-
一種高效率AC/DC電源的設計
由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率。現(xiàn)在，市場上可
-
兩種常見的MOSFET驅動電路設計
由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下： A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
-
集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
-
低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！ ”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、
-
電動自行車控制器MOSFET驅動電路的設計
電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
-
高精度MOSFET設計技巧
隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
-
Blade封裝技術助力 低壓MOSFET效能升級
在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴格等因素驅使下，市場對電源供應系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術的低壓金屬氧化物場效電晶體(
-
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
-
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
-
集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
-
集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
-
低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！ ”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、
