MOSFET
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同步降壓轉換器的設計方案
設計降壓轉換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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同步降壓轉換器的設計方案
設計降壓轉換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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同步降壓轉換器的設計方案
設計降壓轉換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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光伏逆變器拓撲結構及設計思路
1 引言 對于傳統(tǒng)電力電子裝置的設計，我們通常是通過每千瓦多少錢來衡量其性價比的。但是對于光伏逆變器的設計而言，對最大功率的追求僅僅是處于第二位的，歐洲效率的最大化才是最重要的。因為對于光伏逆變器
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高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器（飛兆）
為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出
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德儀3座晶圓廠 瞄準模擬IC
德儀（TI）近兩年分別在美國德州、日本會津若松市及中國成都大舉收購晶圓廠生產(chǎn)設備，藉以擴充模擬IC產(chǎn)量，昨（16）日臺灣區(qū)總經(jīng)理陳建村對外界說明，包括位于德州Richardson的12吋晶圓廠（RFAB）及會津若松市、成都
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高
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高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器（飛兆）
為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出
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高壓功率VDMOSFET的設計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準工藝，結合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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高壓功率VDMOSFET的設計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準工藝，結合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、
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Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）
隨著功率模塊、電信和服務器等DC-DC應用設備變得愈加空間緊湊，設計人員尋求更小的器件以應對其設計難題，而器件的熱性能是人們關注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fa
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Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）
隨著功率模塊、電信和服務器等DC-DC應用設備變得愈加空間緊湊，設計人員尋求更小的器件以應對其設計難題，而器件的熱性能是人們關注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fa
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車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、
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滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET
當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
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控制驅動VR的方法
為減小導通損耗及反向恢復損耗，同步整流需要精確的時間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅動信號的定時系統(tǒng)。其關鍵優(yōu)點在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特
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一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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安森美半導體下一代計算產(chǎn)品用平臺方案
日前，應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計算平臺的設計，包括應用于即將發(fā)布的第二代Intel Core處理
