電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
《國際電子商情》記者日前在中國電子展上走訪了若干家被動(dòng)器件供應(yīng)商,主要以二極管,三極管,MOSFET,大功率晶體管為主。在現(xiàn)場《國際電子商情》記者了解到,2010年被動(dòng)器件銷售額增長幅度較大,2011需求仍然強(qiáng)勁,
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。新系列 MOSFET 器件采用 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的平面技術(shù)和 SO-8 封裝,內(nèi)含單雙 N/
21ic訊 Allegro MicroSystems 公司推出完整的三相無刷直流電動(dòng)機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,可為最高電源電壓為 38 V 的全 N 通道功率 MOSFET 三相橋的直接大電流門極驅(qū)動(dòng)提供輸出。 Allegro 的 A4938 具有霍爾元件輸入、一個(gè)用于整
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缺貨嗎?不缺;不缺貨?缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存,數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心,對(duì)此,業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存,真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來,但
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21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本,該器件是一款 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在 -55°C 至 125°C 的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本,該器件是一款 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在 -55°C 至 125°C 的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
21ic訊 進(jìn)入2011年,澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈,這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕,另外,隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈,LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升,這讓掘金綠色照明革
設(shè)計(jì)中,根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù),利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例
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本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40~300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
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