MOSFET
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全
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80V浪涌吸收器原理與設(shè)計(jì)
摘要 針對飛機(jī)直流電源上的浪涌干擾，分析了采用電壓鉗位和開關(guān)式穩(wěn)壓電路兩種方法，實(shí)現(xiàn)80V浪涌吸收器的可行性。經(jīng)過設(shè)計(jì)和試驗(yàn)，較好地解決了這一問題。 關(guān)鍵詞 機(jī)載電子設(shè)備；80V浪涌吸收器；浪涌干擾 隨
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IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅(jiān)固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
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IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅(jiān)固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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基于UC3844的反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)
引言 隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，開關(guān)電源正朝著小、輕、薄的方向發(fā)展。反激變換器因具有電路拓?fù)浜唵?、輸入電壓范圍寬、輸入輸出電氣隔離、體積重量小、成本低、性能良好、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于實(shí)際變
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矽晶片/封裝技術(shù)加持 新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化
新問世的NexFET Power Block透過矽晶片及封裝技術(shù)的突破，來滿足小尺寸產(chǎn)品的高效率及高電量需求，其所占空間約為離散式MOSFET的一半，可降低相關(guān)寄生效應(yīng)，并使同步降壓電源配置，能夠在效能方面超越離散式MOSFET電
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說出你的故事：中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例
現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
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飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊
21ic訊 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu
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飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊
21ic訊 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu
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基于雙管正激的模塊電源設(shè)計(jì)
高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成為當(dāng)前模塊電源技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。雙管正激電路是實(shí)現(xiàn)這些要求的實(shí)用電路之一,被廣泛應(yīng)用在中、高功率電源設(shè)計(jì)中。本文簡要介紹了雙管正激電路的工作原理及優(yōu)點(diǎn),同時(shí)詳細(xì)介
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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電池電路工作原理
電池電路工作原理 電路具有過充電保護(hù)、過放電保護(hù)、過電流保護(hù)與短路保護(hù)功能，其工作原理分析如下： 1、正常狀態(tài) 在正常狀態(tài)下電路中N1的“CO"與“DO"腳都輸出高電壓，兩個(gè)MOSFET都處于導(dǎo)通狀
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