MOSFET
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飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic訊 對于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計人員來說，構(gòu)建一個具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項非常重要的指標。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全
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飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic訊 對于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計人員來說，構(gòu)建一個具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項非常重要的指標。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最
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基于TOPSwitchⅡ的開關(guān)電源設(shè)計
摘 要: TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生產(chǎn)的開關(guān)電源專用集成電路,他將脈寬調(diào)制電路與高壓MOSFET 開關(guān)管及驅(qū)動電路等集成在一起,具備完善的保護功能。使用該芯片設(shè)計的小功率開關(guān)電源,可大大減少外
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IR推出WideLead 封裝的車用MOSFET系列
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。這款新型車用 MOSFET 系列適合
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飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic訊 DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
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飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic訊 DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
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Diodes推出全新DFN3020封裝MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代
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為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET
高電壓MOSFET技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應(yīng)用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
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IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含 AUIRL7
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IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含 AUIRL7
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IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含 AUIRL7
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采用測量放大電路推動的功放
放大器電路，特點是運算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級差分放大器，A3組成第二級差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
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量體裁衣，如何選擇適合自己的功率器件？
功率器件的選擇是做好一個電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對功率器件的實際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗
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技術(shù)：LED燈具驅(qū)動電源設(shè)計的五點忠告
進入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，led燈具的照明普及率會進一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中
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一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實現(xiàn)纖薄設(shè)計的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
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采用測量放大電路推動的功放
放大器電路，特點是運算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級差分放大器，A3組成第二級差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
