MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

電源
2011-09-17

MOSFET 高精度 BSP 電壓
高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

功率器件
2011-09-17

MOSFET 高精度 BSP 電壓
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

21ic訊國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)

汽車電子
2011-09-14

器件導(dǎo)通電阻 MOSFET BSP
閘能科技朝高效率綠能產(chǎn)品應(yīng)用IC發(fā)展

綠能環(huán)保已成全球電子業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，位于南港IC設(shè)計(jì)育成中心的IC設(shè)計(jì)新創(chuàng)公司閘能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等產(chǎn)品線的多項(xiàng)成果，符合手持裝置、LED燈源、LCD面板以及車載等電子系統(tǒng)在綠

消費(fèi)電子
2011-09-14

IC IC設(shè)計(jì) TECHNOLOGY MOSFET
開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零

電源
2011-09-13

軟開關(guān) 推挽逆變器 MOSFET 電壓
開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零

數(shù)字電源
2011-09-13

軟開關(guān) 推挽逆變器 MOSFET 電壓
開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零

功率器件
2011-09-13

軟開關(guān) 推挽逆變器 MOSFET 電壓
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

21ic訊國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)

功率器件
2011-09-12

器件導(dǎo)通電阻 MOSFET BSP
高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計(jì)

本文介紹一種以TL494為控制器，可以工作在60V輸入的降壓變換器。

電源
2011-09-11

高電壓 DC-DC變換器 VI MOSFET
高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計(jì)

本文介紹一種以TL494為控制器，可以工作在60V輸入的降壓變換器。

功率器件
2011-09-11

高電壓 DC-DC變換器 VI MOSFET
Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動(dòng)器

21ic訊 Intersil公司今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動(dòng)能力的雙通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器---ISL89367。此款獨(dú)特器件為設(shè)計(jì)人員提供了高速驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D

功率器件
2011-09-11

驅(qū)動(dòng)器雙通道 INTERSIL MOSFET
準(zhǔn)諧振反激式電源架構(gòu)及應(yīng)用

低成本和高可靠性是離線電源設(shè)計(jì)中兩個(gè)最重要的目標(biāo)。準(zhǔn)諧振 (Quasi resonant) 設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)人員提供了可行的方法，以實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)目標(biāo)。準(zhǔn)諧振技術(shù)降低了MOSFET的開關(guān)損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關(guān)改善了電源

功率器件
2011-08-27

電流諧振反激式電源 MOSFET
PMOS開關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì)

首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間

功率器件
2011-08-26

開關(guān) 電路設(shè)計(jì) MOS開關(guān) MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出非同步升壓控制器NCV8871

21ic訊安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為

功率器件
2011-08-21

安森美半導(dǎo)體拓?fù)?/a> 升壓控制器 MOSFET
航空和國防應(yīng)用的電源保護(hù)

凌力爾特向國防工業(yè)供應(yīng)高性能模擬集成電路已經(jīng)近 30 年了，一直奉獻(xiàn)各種資源來支持該市場的專門需求。凌力爾特提供包括工業(yè)、汽車和軍用溫度范圍在內(nèi)的多種產(chǎn)品級(jí)別以及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量和 0.1 FIT 級(jí)的“同類最

電源
2011-08-19

電源保護(hù) 紋波 MOSFET BSP
航空和國防應(yīng)用的電源保護(hù)

凌力爾特向國防工業(yè)供應(yīng)高性能模擬集成電路已經(jīng)近 30 年了，一直奉獻(xiàn)各種資源來支持該市場的專門需求。凌力爾特提供包括工業(yè)、汽車和軍用溫度范圍在內(nèi)的多種產(chǎn)品級(jí)別以及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量和 0.1 FIT 級(jí)的“同類最

功率器件
2011-08-19

電源保護(hù) 紋波 MOSFET BSP
歐姆龍與IceMos Technology量產(chǎn)采用MEMS超結(jié)構(gòu)造MOSFET

圖1：開發(fā)的MOSFET（點(diǎn)擊放大）美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET（圖1）。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)

模擬
2011-08-08

MEMS ICE TECHNOLOGY MOSFET
一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)?？梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率（1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率

電源
2011-08-06

集成溫度 MOSFET BSP
一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)?？梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率（1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率

功率器件
2011-08-06

集成溫度 MOSFET BSP
用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

功率器件
2011-07-30

高功率 CMOS器件 MOSFET BSP

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MOSFET

高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

閘能科技朝高效率綠能產(chǎn)品應(yīng)用IC發(fā)展

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計(jì)

高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計(jì)

Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動(dòng)器

準(zhǔn)諧振反激式電源架構(gòu)及應(yīng)用

PMOS開關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì)

安森美半導(dǎo)體推出非同步升壓控制器NCV8871

航空和國防應(yīng)用的電源保護(hù)

航空和國防應(yīng)用的電源保護(hù)

歐姆龍與IceMos Technology量產(chǎn)采用MEMS超結(jié)構(gòu)造MOSFET

一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

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