體積更小且支持大功率!ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
GaNSiC功率器件應(yīng)用,高頻高效電路設(shè)計與熱管理挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體的極致演繹,英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進行全面技術(shù)創(chuàng)新
英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性,為客戶帶來更高靈活度
AC-DC電源中SiC MOSFET與超結(jié)MOSFET的對比選型:開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡分析
ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”,可實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性和功率密度
羅姆攜眾多先進解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
TrendForce集邦咨詢: 2Q25全球牽引逆變器裝機量年增19%,增程式電動車助力SiC機種普及
搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
e絡(luò)盟全面開售 Nexperia 廣泛新品組合
分布式顯示卡(墨水屏電子標(biāo)簽)原型設(shè)計
預(yù)算:¥20000