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科天（KLA-Tencor）：制程管控這門生意
如今工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮，從90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、10nm、7nm，再到5nm、3nm、1nm，晶體管數(shù)量越來越多，單顆芯片中晶體管數(shù)量超過數(shù)十億個(gè)。不僅如此，工藝步驟也在增多，制造工藝可能包括1000個(gè)以上的工藝步驟，外加上超過1英里長的電路布線，這些所有的品質(zhì)都集中體現(xiàn)在一顆小小的晶圓上，而其中任意一個(gè)步驟出現(xiàn)問題，整個(gè)芯片就會(huì)報(bào)廢。
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大規(guī)模商用還需IP支持，圖像處理應(yīng)用或是FD-SOI落地關(guān)鍵
“世界日趨復(fù)雜，技術(shù)向前發(fā)展遇到了越來越多的問題，要更好地應(yīng)對挑戰(zhàn)，就需要差異化解決方案。”在第六屆上海FD-SOI論壇上，格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，F(xiàn)D-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
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薛定諤的摩爾定律
“FinFET之后，所謂的14nm、10nm、7nm、5nm工藝只是一個(gè)數(shù)字，其實(shí)它根本不是半導(dǎo)體的線寬。所以我們的發(fā)展還沒有到半導(dǎo)體行業(yè)的極限值。”說這話的是海思平臺(tái)與關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)部部長夏禹女士。
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聯(lián)電：汽車業(yè)務(wù)增速快，特殊制程爭第一
根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights的數(shù)據(jù)，2017年全球晶圓代工市場規(guī)模為623億美元，其中臺(tái)積電一家公司占比過半。先進(jìn)晶圓制造工藝研發(fā)、產(chǎn)線建設(shè)成本越來越高，全球半導(dǎo)體行業(yè)只有三星、英特爾與臺(tái)積電才有實(shí)力每年在半導(dǎo)體上的資本支出約百億美元，繼續(xù)開發(fā)先進(jìn)工藝，其余廠商逐漸放棄對先進(jìn)工藝的追逐，聯(lián)電就是其中之一。
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從政策看“雄心”，中國各地區(qū)集成電路都定了什么目標(biāo)？（上）
先進(jìn)設(shè)計(jì)能力進(jìn)入16/14納米及以下，量產(chǎn)工藝達(dá)到16/14納米；特色工藝進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分領(lǐng)域達(dá)到國際領(lǐng)先水平；產(chǎn)業(yè)配套：國產(chǎn)主要專用裝備和材料在大生產(chǎn)線上占有率超過30％和40%，關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國際采購體系；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，設(shè)計(jì)制造的比重顯著提升，設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)、裝備材料業(yè)占比分別為4:3:2:1；龍頭企業(yè)：培育出一批設(shè)計(jì)、制造、裝備的龍頭企業(yè)，設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)進(jìn)入世界先進(jìn)行列?！?/p>
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明年繼續(xù)是3nm的高光時(shí)代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)
如今的半導(dǎo)體芯片工藝制程越來越先進(jìn)了，今年三星量產(chǎn)了3nm工藝，臺(tái)積電的3nm也蓄勢待發(fā)，明年就會(huì)是3nm的高光時(shí)代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)。
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你對10nm工藝愛答不理，如今的10nm已經(jīng)高攀不起了？
12 月 10 日消息，半導(dǎo)體分析師 Dylan Patel 稱意法半導(dǎo)體未來將進(jìn)軍 10nm 工藝，不過考慮到提到的晶圓廠直到 2026 年才能滿負(fù)荷生產(chǎn) 18nm 工藝，實(shí)現(xiàn) 10nm 工藝的具體時(shí)間可能較晚。
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未來三年內(nèi)投資 1000 億美元擴(kuò)大其芯片制造能力，并計(jì)劃在 2025 年生產(chǎn) 2nm芯片
1nm芯片指的是采用1nm制程的芯片。芯片采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，放在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上。
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1納米單位到底有多??？XX nm制造工藝是什么概念？
在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會(huì)開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。
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中國半導(dǎo)體破局之路
十年一個(gè)周期，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融資額已經(jīng)登上萬億臺(tái)階，繁榮背后泡沫也是肉眼可見。并且國際局勢風(fēng)云變幻和地緣政治問題明顯，卡脖子問題也日益突出。
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2納米工藝技術(shù)展開全球競爭，2納米工藝最快2025年量產(chǎn)
臺(tái)積電宣布，首次推出N2(2納米)工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。這也是臺(tái)積電首次使用納米片晶體管結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士表示，工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)越小，往往芯片性能越高。但極高的技術(shù)門檻和資金門檻讓眾多半導(dǎo)體企業(yè)望而卻步。三星電子和英特爾是臺(tái)積電最為有力的競爭者。
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傳動(dòng)軸材料及工藝選用思考
摘要:傳動(dòng)連接軸在機(jī)械行業(yè)應(yīng)用廣泛,在傳動(dòng)軸的制造過程中,由于其會(huì)受到交變力的作用,且在傳動(dòng)過程中傳動(dòng)件和執(zhí)行動(dòng)作的零件表面會(huì)多次摩擦受力,一般要求軸零件不僅要有較強(qiáng)的表面硬度和強(qiáng)度,同時(shí)還要有較好的韌性。一般軸類的設(shè)計(jì),綜合考慮經(jīng)濟(jì)性和加工難度,選用中碳鋼調(diào)質(zhì)到30~45HRC的加工方式,以達(dá)到表面較硬、芯部強(qiáng)度較好和韌性良好的要求。但在一個(gè)彈簧操作機(jī)構(gòu)傳動(dòng)軸的設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)采用中碳鋼加上調(diào)質(zhì)的模式無法實(shí)現(xiàn)有效傳動(dòng),會(huì)出現(xiàn)零件失效?，F(xiàn)對此零件三次設(shè)計(jì)選用的材料和加工工藝基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對比分析,希望可以拋磚引玉,給大家提供一個(gè)針對軸類零件設(shè)計(jì)的新思路。
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大幅提速降功，臺(tái)積電將于2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)！
據(jù)悉，臺(tái)積電相關(guān)人員稱在相關(guān)先進(jìn)工藝方面的未來規(guī)劃，預(yù)計(jì)于2025年實(shí)現(xiàn)批量制造生產(chǎn)N2(2nm)芯片，將采用納米片晶體管架構(gòu)，支持Chiplet等技術(shù)。
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刻蝕是什么？刻蝕最簡單最常用分類
刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。
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4納米工藝？國內(nèi)不少手機(jī)廠商開始爭搶新款驍龍8+的首批產(chǎn)品
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預(yù)告了這種可能性，表示其下一個(gè)Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
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美國準(zhǔn)備復(fù)活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍
在先進(jìn)芯片工藝上，美國廠商也落后于臺(tái)積電、三星了，這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先，然而美國還有更多的計(jì)劃，并不一定要在先進(jìn)工藝上超越它們，甚至準(zhǔn)備逆行，復(fù)活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。
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4納米工藝加持？高通智能表處理器性能和功耗能否兼得 ？
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預(yù)告了這種可能性，表示其下一個(gè)Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
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驍龍8Gen2芯片將依舊采用臺(tái)積電4nm：超大核可能是ARMCortexX系列
這兩天小米12S系列的上市，意味著打開了驍龍8+市場的大門，換用臺(tái)積電4nm的驍龍8+使得小米12S綜合能力得到不少增強(qiáng)，不僅性能上升級，更重要是帶來了功耗的大幅降低。
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為滿足射頻集成電路設(shè)計(jì)需求：射頻性能、頻譜、波長和帶寬等參數(shù)計(jì)算工具應(yīng)運(yùn)而生！
6月26日消息，新思科技(Synopsys)近日推出面向臺(tái)積公司N6RF工藝的全新射頻設(shè)計(jì)流程，以滿足日益復(fù)雜的射頻集成電路設(shè)計(jì)需求。
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密度僅僅提升10%！摩爾定律工藝在晶體管密度上開啟擠牙膏之旅
摩爾定律表明：每隔 18~24 個(gè)月，封裝在微芯片上的晶體管數(shù)量便會(huì)增加一倍，芯片的性能也會(huì)隨之翻一番。當(dāng)FinFET結(jié)構(gòu)走到了無法突破物理極限的時(shí)候，對新的晶體管技術(shù)提出了需求。
