“世界日趨復雜,技術向前發(fā)展遇到了越來越多的問題,要更好地應對挑戰(zhàn),就需要差異化解決方案?!痹诘诹鶎蒙虾D-SOI論壇上,格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,F(xiàn)D-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
“FinFET之后,所謂的14nm、10nm、7nm、5nm工藝只是一個數(shù)字,其實它根本不是半導體的線寬。所以我們的發(fā)展還沒有到半導體行業(yè)的極限值?!闭f這話的是海思平臺與關鍵技術開發(fā)部部長夏禹女士。
根據(jù)市場調研機構IC Insights的數(shù)據(jù),2017年全球晶圓代工市場規(guī)模為623億美元,其中臺積電一家公司占比過半。先進晶圓制造工藝研發(fā)、產(chǎn)線建設成本越來越高,全球半導體行業(yè)只有三星、英特爾與臺積電才有實力每年在半導體上的資本支出約百億美元,繼續(xù)開發(fā)先進工藝,其余廠商逐漸放棄對先進工藝的追逐,聯(lián)電就是其中之一。
先進設計能力進入16/14納米及以下,量產(chǎn)工藝達到16/14納米;特色工藝進入世界先進行列,部分領域達到國際領先水平;產(chǎn)業(yè)配套:國產(chǎn)主要專用裝備和材料在大生產(chǎn)線上占有率超過30%和40%,關鍵裝備和材料進入國際采購體系;產(chǎn)業(yè)結構:結構更加優(yōu)化,設計制造的比重顯著提升,設計業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)、裝備材料業(yè)占比分別為4:3:2:1;龍頭企業(yè):培育出一批設計、制造、裝備的龍頭企業(yè),設計和制造領域的龍頭企業(yè)進入世界先進行列?!?/p>
如今的半導體芯片工藝制程越來越先進了,今年三星量產(chǎn)了3nm工藝,臺積電的3nm也蓄勢待發(fā),明年就會是3nm的高光時代,2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)。
12 月 10 日消息,半導體分析師 Dylan Patel 稱意法半導體未來將進軍 10nm 工藝,不過考慮到提到的晶圓廠直到 2026 年才能滿負荷生產(chǎn) 18nm 工藝,實現(xiàn) 10nm 工藝的具體時間可能較晚。
1nm芯片指的是采用1nm制程的芯片。芯片采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,放在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上。
在先進工藝上,臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝,2025年則是量產(chǎn)2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術。
十年一個周期,中國半導體產(chǎn)業(yè)的融資額已經(jīng)登上萬億臺階,繁榮背后泡沫也是肉眼可見。并且國際局勢風云變幻和地緣政治問題明顯,卡脖子問題也日益突出。
臺積電宣布,首次推出N2(2納米)工藝技術,預計2025年量產(chǎn)。這也是臺積電首次使用納米片晶體管結構的工藝技術。業(yè)內人士表示,工藝技術節(jié)點越小,往往芯片性能越高。但極高的技術門檻和資金門檻讓眾多半導體企業(yè)望而卻步。三星電子和英特爾是臺積電最為有力的競爭者。
摘要:傳動連接軸在機械行業(yè)應用廣泛,在傳動軸的制造過程中,由于其會受到交變力的作用,且在傳動過程中傳動件和執(zhí)行動作的零件表面會多次摩擦受力,一般要求軸零件不僅要有較強的表面硬度和強度,同時還要有較好的韌性。一般軸類的設計,綜合考慮經(jīng)濟性和加工難度,選用中碳鋼調質到30~45HRC的加工方式,以達到表面較硬、芯部強度較好和韌性良好的要求。但在一個彈簧操作機構傳動軸的設計中發(fā)現(xiàn)采用中碳鋼加上調質的模式無法實現(xiàn)有效傳動,會出現(xiàn)零件失效。現(xiàn)對此零件三次設計選用的材料和加工工藝基于實驗結果進行對比分析,希望可以拋磚引玉,給大家提供一個針對軸類零件設計的新思路。
據(jù)悉,臺積電相關人員稱在相關先進工藝方面的未來規(guī)劃,預計于2025年實現(xiàn)批量制造生產(chǎn)N2(2nm)芯片,將采用納米片晶體管架構,支持Chiplet等技術。
刻蝕,英文為Etch,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預告了這種可能性,表示其下一個Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
在先進芯片工藝上,美國廠商也落后于臺積電、三星了,這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領先,然而美國還有更多的計劃,并不一定要在先進工藝上超越它們,甚至準備逆行,復活90nm工藝,制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。
Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級版芯片了(通過9to5Google)。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預告了這種可能性,表示其下一個Snapdragon智能手表芯片 “即將推出”。
這兩天小米12S系列的上市,意味著打開了驍龍8+市場的大門,換用臺積電4nm的驍龍8+使得小米12S綜合能力得到不少增強,不僅性能上升級,更重要是帶來了功耗的大幅降低。
6月26日消息,新思科技(Synopsys)近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設計流程,以滿足日益復雜的射頻集成電路設計需求。
摩爾定律表明:每隔 18~24 個月,封裝在微芯片上的晶體管數(shù)量便會增加一倍,芯片的性能也會隨之翻一番。當FinFET結構走到了無法突破物理極限的時候,對新的晶體管技術提出了需求。
蘋果今年下半年就要推出iPhone 14系列手機了,這一代的果機在處理器選擇上可能會分化,iPhone 14 mini及iPhone 14還會使用去年的A15處理器,iPhone 14 Pro及iPhone 14 Pro Max才會用上最新的A16處理器。