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工藝

我要報(bào)錯(cuò)

  • 通孔焊接相對于標(biāo)貼焊接而言對虛焊問題解決優(yōu)勢在哪里啊

    在電子焊接領(lǐng)域，虛焊是一個(gè)常見且棘手的問題，它猶如潛藏在電子設(shè)備中的定時(shí)炸彈，隨時(shí)可能引發(fā)設(shè)備故障，影響其性能與可靠性。通孔焊接和標(biāo)貼焊接作為兩種主流的焊接方式，在應(yīng)對虛焊問題上各有特點(diǎn)，而通孔焊接憑借其獨(dú)特的工藝特性，在解決虛焊問題方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。

  • 回流焊工藝流程介紹

    回流焊是一種用于將電子元件焊接到PCB板上的工藝技術(shù)，因其加熱方式類似于河流回流而得名。該工藝主要通過熱傳導(dǎo)方式將熱量傳遞給焊料，使焊料熔化并與元件引腳和PCB板上的銅箔進(jìn)行冶金結(jié)合，實(shí)現(xiàn)元件與PCB板的可靠連接?；亓骱腹に嚲哂凶詣?dòng)化程度高、焊接質(zhì)量穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子制造領(lǐng)域。本文將對回流焊的工藝流程進(jìn)行詳細(xì)介紹。

  • 美國豁免后三星升級西安半導(dǎo)體工廠設(shè)備工藝

    業(yè)內(nèi)消息，近日三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國芯片設(shè)備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。

  • 在PCB設(shè)計(jì)工藝中對DFM技術(shù)會(huì)有哪些要求？

    隨著電子產(chǎn)品向小型化、輕量化、高性能化方向發(fā)展，PCB 設(shè)計(jì)工藝中的 DFM 技術(shù)越來越受到業(yè)界的重視。本文從 DFM 技術(shù)的定義、要求以及應(yīng)用等方面進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，以期為 PCB 設(shè)計(jì)人員提供有益的參考。

  • 集成電路產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)及發(fā)展方向是什么？

    自改革開放以來，隨著市場化力量的不斷增強(qiáng)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)也在不斷地蓬勃發(fā)展。目前，我國已成為全球第一大集成電路制造國，但還不是強(qiáng)國。中國集成電路產(chǎn)業(yè)在新時(shí)代面臨著難得的發(fā)展機(jī)遇，但同時(shí)也面臨著一系列重大的挑戰(zhàn)和考驗(yàn)。當(dāng)前，在全球價(jià)值鏈重構(gòu)背景下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展期，并已形成一定規(guī)模，具備較強(qiáng)競爭力。發(fā)展的有利條件和機(jī)遇，源于市場優(yōu)勢的快速擴(kuò)張和多元化，產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)系統(tǒng)的不斷演化，以及國內(nèi)企業(yè)創(chuàng)新能力的持續(xù)積累;在國內(nèi)市場競爭日益國際化的背景下，資金投入的持續(xù)高強(qiáng)度和高素質(zhì)人才的供應(yīng)不足，以及國際合作環(huán)境的惡化等問題，都是擺在我們面前的巨大挑戰(zhàn)。當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)正處在轉(zhuǎn)型升級關(guān)鍵期，亟需從政策導(dǎo)向、制度體系、技術(shù)創(chuàng)新和人才培養(yǎng)等方面著力解決存在的突出問題，以加快實(shí)現(xiàn)向全球價(jià)值鏈中高端攀升。

  • 預(yù)計(jì)到了 2028 年，這個(gè) 1nm 工廠的耗電量就相當(dāng)于全臺 2.3% 的用電量了

    臺積電1nm全球旗艦工廠將落地竹科龍?zhí)秷@區(qū)，目前該項(xiàng)目已經(jīng)啟動(dòng)并進(jìn)行項(xiàng)目審批，一切進(jìn)展順利。

    模擬
    2023-01-28
    電流 1nm 工藝

  • 碳化硅功率器件與模塊雙驅(qū)發(fā)力，上海瀚薪加速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級

    瀚薪擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及專利的器件設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)的能力，并另外開啟了碳化硅模塊賽道，這離不開其前期構(gòu)建的技術(shù)基石和豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。

  • 為什么電子膠黏劑越來越需要定制化？

    “在中國，你可以輕易找到絕大部分世界上知名原材料供應(yīng)商和設(shè)備供應(yīng)商的產(chǎn)品，開發(fā)定制化產(chǎn)品所需的工業(yè)支撐要素在國內(nèi)非常齊全，所以我們中國膠水廠家的反應(yīng)速度和時(shí)效性都很快?！?上海漢司實(shí)業(yè)有限公司副總經(jīng)理吳海平告訴探索科技（techsugar）

  • 英特爾的三道坎

    當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)確實(shí)不是帕特·基辛格離開英特爾時(shí)一超多強(qiáng)的格局，新業(yè)務(wù)拓展乏力以及在制造工藝上不斷跳票，損害了英特爾的業(yè)界聲譽(yù)，雖然銷售額上看英特爾仍高居榜首，但遠(yuǎn)沒有前些年的一呼百應(yīng)，帕特·基辛格的路子很正，但能否帶領(lǐng)英特爾走向更輝煌，還有三道坎要邁過。

  • 從漢高創(chuàng)新方案看電子材料粘合劑如何適應(yīng)性發(fā)展？

    電子產(chǎn)品不斷趨于微型化、輕量化，電子元器件不斷集成化，元器件的組裝和后續(xù)的生產(chǎn)工藝更加精密，自然而然地也對電子材料粘合劑（膠水）提出了更高的適應(yīng)性要求。

  • 半導(dǎo)體工藝變局在即｜3nm以下工藝舉步維艱，納米片浮出水面

    沒有一種技術(shù)能夠滿足所有的需求。FinFET幾乎走到了盡頭，接棒的GAA-FET在制造方面的挑戰(zhàn)屢見不鮮，而且成本太高，有多少代工廠能負(fù)擔(dān)得起尚不可知。不過，幸運(yùn)的是，這并不是唯一的選擇。圍點(diǎn)打援似乎也是可以接受的選擇：納米片、先進(jìn)封裝和新的器件架構(gòu)，可以肯定都將有助于行業(yè)趕上摩爾定律的腳步

  • 歐盟欲拉攏三星、臺積電，“去美化”潮歐洲或許還趕不上

    據(jù)麥肯錫分析，歐洲若想在處理器和存儲(chǔ)芯片方面追趕上東亞和美國，至少要10年到15年的時(shí)間，而目前看不到任何可能追趕上的跡象。在制造工藝方面，歐盟想從后趕上臺積電和三星談何容易？以各種激勵(lì)措施吸引臺積電和三星到歐洲興建晶圓廠，確實(shí)是一種更實(shí)際的做法。

  • GPU“核戰(zhàn)”升級

    在工藝受限的前提下，中央處理器（CPU）單核性能提升空間被壓縮，在多年前已經(jīng)開始多核架構(gòu)，如今多核已經(jīng)成為CPU主流配置。相對而言，圖形處理器（GPU）在多核發(fā)展上，并不是很主流，尤其在移動(dòng)端設(shè)備，通常還是單核主打，現(xiàn)如今這一局面將會(huì)改變。

  • 天線內(nèi)置毫米波雷達(dá)極具成本、尺寸與性能優(yōu)勢，或降維打擊超聲波和紅外方案

    隨著集成度的提高，雷達(dá)模塊成本不斷下降，相比砷化鎵工藝?yán)走_(dá)，硅鍺工藝?yán)走_(dá)成本能下降一半，而加特蘭全球最早量產(chǎn)的天線內(nèi)置多通道毫米波雷達(dá)SoC，基于CMOS工藝（即硅工藝），可以把成本降低到砷化鎵工藝的五分之一。

  • 1nm工藝正在一步步逼近，摩爾定律是否就此將“失效”了呢？

    眾所周知，芯片工藝每進(jìn)階1nm，投入就是幾何級增長，3nm、5nm工廠的建設(shè)資金大約是200億美元，1nm工藝的投資計(jì)劃高達(dá)320億美元，輕松超過2000億元，成本要比前面的工藝高多了。

  • 預(yù)計(jì)到2028年，1nm工廠的耗電量就相當(dāng)于所有代工2.3%的用電量

    眾所周知，芯片工藝每進(jìn)階1nm，投入就是幾何級增長，3nm、5nm工廠的建設(shè)資金大約是200億美元，1nm工藝的投資計(jì)劃高達(dá)320億美元，輕松超過2000億元，成本要比前面的工藝高多了。

  • SoC開發(fā)為何需要從原子到系統(tǒng)一貫式設(shè)計(jì)流程？

    芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度不斷提升，而芯片開發(fā)的時(shí)間窗口并未延長。這意味著，一方面，芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì)需要信任成熟技術(shù)，大量復(fù)用IP；另一方面，新技術(shù)引入前需要更全面的分析仿真，以確保引入的新技術(shù)與工藝及成熟技術(shù)兼容。

  • “特色工藝”會(huì)是中國集成電路發(fā)展的機(jī)會(huì)嗎？

    非尺寸依賴的特色工藝是否可以成為中國集成電路發(fā)展的機(jī)遇所在？“1965年，戈登·摩爾受電子學(xué)雜志邀請，根據(jù)自己產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及貝爾實(shí)驗(yàn)室晶體管技術(shù)寫了篇文章，推算出了摩爾定律——預(yù)測芯片中的晶體管數(shù)量每年會(huì)翻番。10年后的IEDM會(huì)議上，戈登·摩爾在報(bào)告中將每年改為了每兩年。而這條摩爾定律，指導(dǎo)了整個(gè)集成電路的發(fā)展?！?/p>

  • Brewer Science：半導(dǎo)體工藝進(jìn)步引領(lǐng)材料科技發(fā)展新方向，先進(jìn)封裝市場增長快

    接近物理極限之后，半導(dǎo)體工藝的每一點(diǎn)進(jìn)步，都會(huì)影響到半導(dǎo)體各個(gè)分支領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。7納米制造工藝引入EUV（極紫外光設(shè)備）設(shè)備，必須要為EUV制造工藝匹配相應(yīng)的光刻膠?！肮饪套钪匾木褪侨猓垂饪虣C(jī)、光源和光刻膠，這三光都做好，光刻就沒有什么特別的地方，”Brewer Science亞洲營運(yùn)總監(jiān)汪士偉（Stanley Wong）告訴探索科技（TechSugar）， 光刻過程中的“三光”做好并不容易，以光刻膠反射涂層為例，當(dāng)光源照射在襯底上的時(shí)候如果發(fā)生發(fā)光，會(huì)造成駐波，從而導(dǎo)致刻蝕時(shí)線做不直，“在0.5微米工藝時(shí)代，有反光還能接受，但到0.25微米、0.18微米或90納米工藝以后，如果反光控制不好，就無法完成光刻工藝?！?/p>

  • 科天（KLA-Tencor）：制程管控這門生意

    如今工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮，從90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、10nm、7nm，再到5nm、3nm、1nm，晶體管數(shù)量越來越多，單顆芯片中晶體管數(shù)量超過數(shù)十億個(gè)。不僅如此，工藝步驟也在增多，制造工藝可能包括1000個(gè)以上的工藝步驟，外加上超過1英里長的電路布線，這些所有的品質(zhì)都集中體現(xiàn)在一顆小小的晶圓上，而其中任意一個(gè)步驟出現(xiàn)問題，整個(gè)芯片就會(huì)報(bào)廢。

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