硬件設(shè)計(jì)知識掌握牢固，成為設(shè)計(jì)成功與失敗的關(guān)鍵

硬件電路是電路系統(tǒng)的重要組成部分，硬件電路設(shè)計(jì)是否合理直接影響電路系統(tǒng)的性能。硬件電路設(shè)計(jì)的一般分為設(shè)計(jì)需求分析、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、工藝文件處理等幾個(gè)階段，設(shè)計(jì)過程中的每一個(gè)細(xì)節(jié)都可能成為導(dǎo)致設(shè)計(jì)成功與失敗的關(guān)鍵。

臺積電的6nm制程是在玩“數(shù)字游戲”嗎？

5月2日，在本周的季度收益電話會議上，臺積電CEO 兼副董事長魏哲家披露，預(yù)計(jì)其大部分7nm工藝客戶將轉(zhuǎn)型至6nm工藝節(jié)點(diǎn)，6nm節(jié)點(diǎn)使用率和產(chǎn)能都會迅速擴(kuò)大，卻引發(fā)了很多網(wǎng)友“數(shù)字游戲”的質(zhì)疑。盡管我們不能否認(rèn)臺積電在半導(dǎo)體制程工藝上的飛速進(jìn)步，但是業(yè)界不乏一些質(zhì)疑的聲音。

無毒提金新工藝中控制反應(yīng)液ＰＨ值的智能復(fù)合控制算法

突破現(xiàn)有CMOS工藝限制的晶體管技術(shù)(圖)

Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅柵CMOS工藝

ST推出0.15微米CMOS EEPROM工藝的新模塊

網(wǎng)絡(luò)與混合信號半導(dǎo)體工藝推進(jìn)汽車電子的集成

IBM已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM芯片

Altera將啟用臺積電28nm制程工藝生產(chǎn)其FPGA芯片產(chǎn)品

XFAB 0.18um高壓工藝支持嵌入式閃存方案

用0.13微米工藝實(shí)現(xiàn)低成本多處理器平臺

PoP裝配SMT工藝的的控制

（1）元器件翹曲變形對裝配良率的影響至為關(guān)鍵元器件翹曲變形導(dǎo)致在裝配之后焊點(diǎn)開路，其翹曲變形既有來自元件在封裝過程中的變形，也有因?yàn)榛亓?焊接過程中的高溫引起的熱變形。由于堆疊裝配的元件很薄，底部元件甚

封裝工藝概述

在裝配過程的下一步是注模。模子被夾在leadframe的周圍，加熱的塑料樹脂從底下被注入模子。塑料在die周圍涌出，lifting the wires away from it in gentle loops。從邊上或頂上注入通常會對著集成電路沖壞連線，因此

PCB線路板電鍍銅工藝簡析

一．電鍍工藝的分類：酸性光亮銅電鍍電鍍鎳/金電鍍錫二．工藝流程：浸酸→全板電鍍銅→圖形轉(zhuǎn)移→酸性除油→二級逆流漂洗→微蝕→二級→浸酸→鍍錫→二級逆流漂洗逆流漂洗→浸酸→圖形電鍍銅→二級逆流漂洗→鍍鎳→二

去除PCBA板工藝邊的方法

基于單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用

PCB外層電路的蝕刻工藝

一.概述 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

晶圓級CSP貼裝工藝的控制

晶圓級CSP的裝配對貼裝壓力控制、貼裝精度及穩(wěn)定性、照相機(jī)和影像處理技術(shù)、吸嘴的選擇、助焊劑應(yīng) 用單元和供料器，以及板支撐及定位系統(tǒng)的要求類似倒裝晶片對設(shè)備的要求。WLCSP貼裝工藝的控制可以參 考倒裝晶片的貼

0201元件不同的裝配工藝中不同裝配缺陷的分布

在3種不同的裝配工藝過程中，“立碑”（焊點(diǎn)開路）和焊點(diǎn)橋連是主要裝配缺陷。使用水溶性焊膏在空氣中回流焊接所產(chǎn)生的焊點(diǎn)橋連缺陷比例最低，為7.0％；其次是使用免洗型錫膏在氮?dú)庵谢亓骱附拥墓に?，焊點(diǎn)橋連缺陷比