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[導(dǎo)讀]臺積電宣布,首次推出N2(2納米)工藝技術(shù),預(yù)計2025年量產(chǎn)。這也是臺積電首次使用納米片晶體管結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士表示,工藝技術(shù)節(jié)點越小,往往芯片性能越高。但極高的技術(shù)門檻和資金門檻讓眾多半導(dǎo)體企業(yè)望而卻步。三星電子和英特爾是臺積電最為有力的競爭者。

臺積電宣布,首次推出N2(2納米)工藝技術(shù),預(yù)計2025年量產(chǎn)。這也是臺積電首次使用納米片晶體管結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士表示,工藝技術(shù)節(jié)點越小,往往芯片性能越高。但極高的技術(shù)門檻和資金門檻讓眾多半導(dǎo)體企業(yè)望而卻步。三星電子和英特爾是臺積電最為有力的競爭者。

2納米工藝技術(shù)展開全球競爭在臺積電2022年北美技術(shù)研討會上,多項最新技術(shù)成果吸引全球目光。先進(jìn)邏輯技術(shù)方面,臺積電首次推出2納米工藝技術(shù)。N2技術(shù)(2納米)在N3技術(shù)基礎(chǔ)上有明顯進(jìn)步,在相同功率下速度可提高10%-15%,或在相同速度下功耗降低25%-30%。臺積電N2技術(shù)采用納米片晶體管架構(gòu),在性能和功率效率方面提供全節(jié)點改進(jìn),幫助客戶實現(xiàn)下一代產(chǎn)品創(chuàng)新。

研討會上,臺積電表示,將在未來幾年推出四種N3增強(qiáng)版工藝技術(shù)——N3E、N3P、N3S和N3X,旨在為超高性能應(yīng)用提供改進(jìn)的工藝窗口、更高的性能。

值得注意的是,臺積電為計劃今年晚些時候量產(chǎn)的N3技術(shù)加了一把火,在此次研討會上推出獨特的TSMC FINFLE技術(shù),將其“三納米家族”技術(shù)的效能、功率效率以及密度進(jìn)一步提升。

另外,臺積電表示,正在開發(fā)N6e技術(shù)。N6e建立在7納米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上,將作為臺積電超低功耗平臺的一部分。在全球2納米工藝技術(shù)競爭中,臺積電走在前列。中國證券報記者近日從臺積電方面獲悉,其首個2納米工廠計劃于今年三季度動工,預(yù)計2024年試產(chǎn),2025年量產(chǎn)。蘋果有望成為臺積電2納米技術(shù)首家客戶。

全球范圍內(nèi)有能力開發(fā)3納米甚至2納米工藝技術(shù)的芯片制造企業(yè)屈指可數(shù)。據(jù)了解,三星電子將跳過4納米,由5納米升至3納米。2021年10月,三星電子宣布3納米產(chǎn)品成功流片;預(yù)計2納米產(chǎn)品于2025年量產(chǎn)。在2022年投資者大會上,英特爾公布了最新工藝節(jié)點進(jìn)度:Intel 4將采用極紫外光刻(EUV)技術(shù),預(yù)計2022年下半年投產(chǎn);Intel 3性能提升約18%,預(yù)計2023年下半年投產(chǎn)。

可能對于很多朋友來說,你那臺采用14納米工藝的電腦CPU還在工作著,但現(xiàn)在芯片已經(jīng)開始邁向2納米。

在芯片的制造工藝上,似乎芯片制造商并沒有選擇停下腳步,近日臺積電方面就表示,其2納米工藝將會在2024年實現(xiàn)試產(chǎn),在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

但了解芯片發(fā)展的朋友都知悉,現(xiàn)在所謂的2納米,包括3納米、5納米、7納米等,都只是一個“文字游戲”,即該數(shù)字已經(jīng)不再代表特征尺寸,僅是一個工藝代號。

具體來說,從10納米開始,這種工藝代號形式的制造工藝就已經(jīng)在業(yè)內(nèi)出現(xiàn),ASML方面也承認(rèn)了這種現(xiàn)象。

所以我們看到,雖然臺積電號稱2025年量產(chǎn)2納米工藝芯片,但是在密度方面,僅比3納米提升了10%,這已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律的要求。

而芯片密度的大幅降低,就直接影響到芯片的性能,所以臺積電也表示,其2納米工藝的芯片,性能只能提升10%,最多也就是15%。

了解超頻的愛好者應(yīng)該知道,與其如此,其實還不如超頻來的直接,因為10%的性能提升,對于超頻來說要顯得更容易,而且?guī)缀趿愠杀尽?

所以臺積電在2025年量產(chǎn)的2納米,并不像其數(shù)字所顯示的那樣令人興奮,然而幾乎同時,中科院方面也傳出了新消息。

中科院微電子所方面官方宣布,其實現(xiàn)了性能優(yōu)異的雙柵a-IGZO短溝道晶體管。

相信很多朋友對此不是很理解,這樣的技術(shù)具備什么樣的作用呢?

簡單來說,當(dāng)下芯片制造技術(shù)的推進(jìn),終極目的就是為了提升晶體管的集成度,也就是密度,但是因為短溝道效應(yīng),所以一直難以推進(jìn)。

而a-IGZO材料是三維集成的最佳候選溝道材料之一,三維集成技術(shù)的本質(zhì),就是為提高晶體管在芯片上的集成密度。

所以中科院此次的技術(shù)進(jìn)展,實際上相當(dāng)于在一定程度上,解決了高密度集成的問題。

記得在12年左右,智能手機(jī)剛剛在我國普及,那時候的人們選擇手機(jī)主要是按照價格來選,能打電話、能聽歌、能拍照就足夠了,什么性能根本不在意也不清楚,因為那時候智能手機(jī)也就是屏幕大點,功能多點上網(wǎng)還快一點,也沒什么大型手游,所以對手機(jī)使用芯片沒什么太大概念。

可以說,手機(jī)芯片是手機(jī)中最重要的,也是手機(jī)中的“心臟”,手機(jī)芯片能力越強(qiáng),手機(jī)的性能也越強(qiáng)。手機(jī)芯片在手機(jī)中承擔(dān)著手機(jī)的運算和存儲的功能,目前在手機(jī)中搭載的主流芯片是蘋果的A系列芯片和華為的麒麟芯片,以及高通的驍龍芯片和聯(lián)發(fā)科的天璣芯片。由此可見,設(shè)計研發(fā)芯片的難度非常大。

首先說,手機(jī)芯片與納米工藝有密不可分的關(guān)系。納米其實就是毫米,是一種長度單位,國際單位的符號就是nm。通俗的來說,像大家熟知的蘋果A15仿生芯片是5納米,天璣9000和驍龍8芯片都是5納米的,不過目前最新的手機(jī)芯片制作工藝已經(jīng)來到了4納米,就是即將要在下半年和大家見面的,蘋果A16芯片、高通驍龍8+芯片和天璣9000+芯片。這樣直觀地看,應(yīng)該是納米數(shù)越小,芯片性能就越強(qiáng)。

手機(jī)芯片就是一種集成電路,將電阻、晶體管等元器件集成在一個小平板上,用連接線將這些電子元器件串聯(lián)起來。隨著科技的發(fā)展,通過光刻機(jī)可以將現(xiàn)在的上百億個晶體管都集成在這個小平板上,集成度越高,芯片的運算能力也就越強(qiáng),自然性能也就越強(qiáng)。

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