【2021年9月17日，德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關電容中間總線轉換器(IBC)，可為數據中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。
作為一家開發(fā)SiC技術的領先廠商，英飛凌認識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標準，以保證碳化硅器件達到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側重于碳化硅可靠性的三個特定領域。
【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中國上海訊——9月27日，為期三天的深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開幕。
【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產品組合推出新的額定電流。
關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國慕尼黑訊】在電力電子和半導體市場，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢頭越來越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導體技術價值、產業(yè)發(fā)展和技術趨勢進行了深入解讀。
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
youryanglin
默渝
Huangpaul0755
14737662131
eyic16888
昨天
陽陽陽ly
WKY99
IFX-AllenQian
liqinglong1023
