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自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄，不放出那匹脫韁野馬，這樣就不會有人從我假意的冷淡里，拎出些滾燙的秘密。by 陳大力自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄，不放出那匹脫韁野馬，這樣就不會有人從我假意的冷淡里，拎出些滾燙的秘密。by 陳大力

提及IGBT應該每一個電子工程師都不會陌生，IGBT是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場效應晶體管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十至幾百伏量級、電流幾十至幾百安量級的強電上的。而且IGBT支持軟開關，配合一種控制器就能夠很好的對電路進行開關。

東芝半導體在IGBT分立元器件上有著極大的提升，在保證高耐壓環(huán)境中正常工作之外，進一步對器件結構進行優(yōu)化改善，極大的降低了開關時產(chǎn)生的功率損耗和電磁干擾，為市場在IGBT領域上帶來了利好革新。

形雖簡但至強

接下來介紹的是GT30J110SRA，隸屬于東芝半導體IGBT分立元器件族群，屬于第6.5代更新分立元器件，繼承了前幾代優(yōu)良的品性并且在此基礎上有了極大的提升。例如它的Vce等級達到了1100V，適用于絕大多數(shù)家用電器的升壓電路；它的功耗進一步的被降低，可以完美的節(jié)約能源成本；它的電磁輻射被有效的優(yōu)化調節(jié)，能夠很好的改善電磁干擾影響電路系統(tǒng)工作中正常運作。

為了證明上述講得所言非虛，下面引用IGBT在電路中的測試數(shù)據(jù)來給大家做一個詮釋。

圖上半部分可以看到在進行開關切換的時候GT30J110SRA還是需要△T＝ton－tr的時間來對電平進行高低切換的，因此做PWM精度控制的時候就需要將loss的時間考慮進來，不然就會產(chǎn)生控制精度誤差。圖下半部分可以看出在對電源進行開關的時候GT30J110SRA切換電平產(chǎn)生的功耗損失，跟Vce、Ic成正比，滿足對時間的積分關系，但是△T＝t2－t1足夠小所以產(chǎn)生的損耗也是微乎其微的。而且芯片結構也被進行了優(yōu)化提升，實現(xiàn)了較低的電磁輻射。并且在電磁輻射水平最強的30MHz左右時，輻射發(fā)射量僅為35.8dBμV/m，達到了十分優(yōu)秀的水平！

好品質助家電

目前GT30J110SR在家電產(chǎn)品中的電壓-諧振逆變器開關、軟開關領域都有不俗的應用，諸如在電磁爐、微波爐產(chǎn)品中都能夠大放異彩。未來，它將為家電產(chǎn)品提供更多更好的功能服務。

東芝半導體在IGBT研發(fā)設計方面積累了多年的寶貴經(jīng)驗，并持續(xù)致力于創(chuàng)新和提升芯片的功能屬性和穩(wěn)定特性，能夠幫助用戶在參考設計和應用部署上解決難題和困惑。

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這樣的IGBT就沒不喜歡的