安森美半導體和格芯合作轉(zhuǎn)讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權(quán)

安森美半導體公司(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達成最終協(xié)議。此次收購總代價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面運營控制權(quán)，該廠的員工將轉(zhuǎn)為安森美半導體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機構(gòu)的批準及其它慣例成交

安森美半導體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動器

安森美半導體，在德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。

意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應用性能

中國，2019年4月30日——意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合

用超快速IGBT可取代100KHz變換器中的MOSFET

意法半導體的先進IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計 可提高家電感應加熱效率

意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅強屏障

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應用中的總體系統(tǒng)效率

繼續(xù)快速成長，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預估，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

開關(guān)電源IGBT的可靠性能解析

　　一、IGBT的簡單介紹　　絕緣柵雙極型晶體管(簡稱“IGBT”)是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)

基于IGBT的電壓型逆變器輔助開關(guān)電源的設(shè)計

電壓型逆變電源的輔助開關(guān)電源其雙管反激式開關(guān)電源能高效地提供多路直流輸出，電路元件全部由分立式元件構(gòu)成，抗干擾能力強，工作穩(wěn)定可靠，因而能滿足電壓型逆變器等對電

IGBT保護電路設(shè)計總結(jié)

　　本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關(guān)問題，并從實際應用中總結(jié)出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設(shè)計必備知識。　　IGBT（

不間斷電源中的IGBT應用總結(jié)

　　1. 引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通

太陽能逆變器中IGBT和MOSFET技術(shù)解析

　　發(fā)展逆變器技術(shù)是太陽能應用提出的要求，本文介紹了太陽能逆變器的原理及架構(gòu)，著重介紹了IGBT和MOSFET技術(shù)，實現(xiàn)智能控制是發(fā)展太陽能逆變器技術(shù)的關(guān)鍵?！　∫?、太陽

IGBT助變頻器實現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。　　·三菱電機在功率半導體領(lǐng)域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶?！　∪毡緩纳鲜兰o80年代開始使用工業(yè)用的

不間斷電源(UPS)中IGBT的應用

　　1.引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓

IGBT軟開關(guān)在應用中的損耗

　　IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念（也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”）降低晶圓n襯底的厚度?！?/p>

IGBT初露鋒芒，王傳福的技術(shù)魚池里還有哪些“奇珍異獸”？

“比亞迪有技術(shù)‘魚池’，里面有各種各樣的技術(shù)，市場需要時，我們就撈一條出來，電動車、軌道交通都是‘魚池’里的大魚?！蓖鮽鞲Ｔ啻卧诠_場合介紹比亞迪的技術(shù)積累。日前，比亞迪董事長王傳福在接受媒體采訪時

以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計

全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅(qū)動在工業(yè)應用領(lǐng)域不斷增長，甚至還擴展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應的產(chǎn)量一直在持續(xù)增

IGBT電動中國芯！比亞迪：好電動車就靠它了

提起如今迅速崛起的新能源汽車，尤其是對于純電動車，大部分對它的關(guān)注點都集中在電池及續(xù)航里程上，但他們卻不知道，電動車上還有個指甲大小的部件與電池同樣重要。今晚，比亞迪在寧波舉辦的“核心技術(shù)解析會之IG

比亞迪不僅做車，還做芯片！比亞迪發(fā)布IGBT 4.0：打造電動中國芯

比亞迪于寧波威斯汀酒店舉辦比亞迪核心技術(shù)解析會之IGBT電動中國芯，發(fā)布全新一代車規(guī)級IGBT標桿性產(chǎn)品—;—;比亞迪IGBT 4.0。IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran

比亞迪推出第四代IGBT，核心技術(shù)告別卡脖時代

不過，國外早在上世紀80年代便開啟了對IGBT的研究生產(chǎn)，要在產(chǎn)品上追上國外先進水平，顯然需要更多時間。因此，中途比亞迪的IGBT芯片又歷經(jīng)8年，多次迭代，其間，比亞迪還與上海先進半導體在2015年達