在中國的軌道交通與電網中的英飛凌的IGBT

在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。在能源、軌道交通、工業(yè)電子與汽車電子中，功率半導體扮演著關鍵角色，這些領域對于可靠性要求非常高。以軌道交通應用為例，軌道交通會采用IGBT做牽引變流器，這些牽引變流器的性能將決定軌交列車跑得快不快、速度是否均勻、剎車是否可靠，軌道交通的快速發(fā)展，對于IGBT技術的發(fā)展起到了極大的促進作用。

國產芯片真金質!基本半導體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。 國產芯片真金質，不懼火煉過樓蘭。

將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。

IGBT功率半導體項目投資7.5億美元，落戶嘉善

7月16日，浙江嘉善舉行了IGBT功率半導體項目及IGBT技術研發(fā)中心簽約儀式。IGBT功率半導體項目注冊資金2.5億美元，總投資7.5億美元，主要從事高端絕緣柵雙極型晶體管的自主研發(fā)和制造，一期達產

意法半導體推出600V三相智能關斷柵極驅動器，提高工業(yè)應用性能和安全性

中國，2019年7月17日——意法半導體的STDRIVE601三相柵極驅動器用于驅動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內最先進水平，可耐受低至-100V的負尖峰電壓，邏輯輸入響應速度在85ns以內，處于同級產品一流水平。

什么是IGBT呢？詳細講解IGBT作用及其選型要求

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT最不為人知的神秘損壞原因！

尤其在使用單相交流電源的電磁爐電路中，千篇一律的采用大同小異的電源電路結構，如圖中所示，R1與C1+C2之和的乘積——放電時間常數(shù)，遠遠大于交流電半周期的時間（10毫秒），因此，每個半周期所充的電壓都

安森美半導體和格芯合作轉讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權

安森美半導體公司(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達成最終協(xié)議。此次收購總代價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面運營控制權，該廠的員工將轉為安森美半導體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機構的批準及其它慣例成交

安森美半導體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅動器

安森美半導體，在德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器隔離型大電流IGBT門極驅動器。

意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能

中國，2019年4月30日——意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合

用超快速IGBT可取代100KHz變換器中的MOSFET

意法半導體的先進IGBT專為軟開關優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率

意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產品能夠在軟開關電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內的能效。

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅動器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構筑堅強屏障

新型TI柵極驅動器提供先進的監(jiān)控和保護功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應用中的總體系統(tǒng)效率

繼續(xù)快速成長，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預估，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

開關電源IGBT的可靠性能解析

　　一、IGBT的簡單介紹　　絕緣柵雙極型晶體管(簡稱“IGBT”)是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)

基于IGBT的電壓型逆變器輔助開關電源的設計

電壓型逆變電源的輔助開關電源其雙管反激式開關電源能高效地提供多路直流輸出，電路元件全部由分立式元件構成，抗干擾能力強，工作穩(wěn)定可靠，因而能滿足電壓型逆變器等對電

IGBT保護電路設計總結

　　本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識?！　GBT（

不間斷電源中的IGBT應用總結

　　1. 引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通

太陽能逆變器中IGBT和MOSFET技術解析

　　發(fā)展逆變器技術是太陽能應用提出的要求，本文介紹了太陽能逆變器的原理及架構，著重介紹了IGBT和MOSFET技術，實現(xiàn)智能控制是發(fā)展太陽能逆變器技術的關鍵。　　一、太陽

IGBT助變頻器實現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。　　·三菱電機在功率半導體領域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶。　　日本從上世紀80年代開始使用工業(yè)用的