對于很多電源新手來說,在使用示波器測試波形的時候,都遇到過炸管的問題,是什么原因?qū)е抡ü??又該如何解決呢?下面就來看看這位仁兄的情況。 如圖1,黃線為示波器探頭直接接在上臂IGBT的驅(qū)動Vge兩端。
引言 IGBT驅(qū)動電路的關(guān)鍵是驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計,良好的驅(qū)動電路必須保證IGBT的開關(guān)損耗量盡可能小。在IGBT承受短路電流時,如能實現(xiàn)可靠關(guān)斷,則可以保護(hù)IGBT。 由于大功率的IGBT模塊在開通關(guān)斷時,需要瞬間大電流。本
由于MOSFET受工控及車用電子需求提升,國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用,外商逐漸退出低功率MOSFET市場,包括:意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空,加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺,形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。
新型電力電子器件IGBT 作為功率變換器的核心器件,其驅(qū)動和保護(hù)電路對變換器的可靠運行至關(guān)重要。集成驅(qū)動是一個具有完整功能的獨立驅(qū)動板,具有安裝方便、驅(qū)動高效、保護(hù)
近年來,世界各國政府為了因應(yīng)全球氣候變暖,紛紛制定更嚴(yán)格的高能效法規(guī)與標(biāo)準(zhǔn),提升電源能效,降低能耗,以期減輕對環(huán)境的壓力。安森美半導(dǎo)體身為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商
全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動
全橋結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計當(dāng)中有著相當(dāng)廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負(fù)電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺,展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外,英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文,并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流。
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力,關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備,這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高。
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價,預(yù)計7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價格15~20%,高單價客戶及高售價產(chǎn)品優(yōu)先投片,6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求,重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價格。
1、 判斷極性 首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )。其余兩極再用萬用
IGBT有三個電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)。 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別 ?。?)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根
功率模塊的好壞判斷主要是對功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極 管的判斷.對于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測:將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1 e1、c2 e
自2017年以來,以存儲芯片、被動元件、功率器件為主的缺貨漲價潮給電子產(chǎn)業(yè)帶來了超乎以往的影響。目前市場上有的低壓MOSFET的交期超過40周,而IGBT的最長交期達(dá)50周。而第二季度又是半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈的旺季,各產(chǎn)品需求旺盛,缺貨也更加惡化。
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進(jìn)一步深入了解。
意法半導(dǎo)體新ACEPACK™ (Adaptable Compact Easier PACKage)模塊為包括工業(yè)電機驅(qū)動、空調(diào)、太陽能發(fā)電、焊機、充電器、不間斷電源控制器和電動汽車在內(nèi)的3-30 kW 應(yīng)用提供高成本效益的高集成度的功率轉(zhuǎn)換功能。
IGBT約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,而電機驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
HL402 驅(qū)動模塊具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重保護(hù)功能,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關(guān)斷斜率均可通過外接電容器進(jìn)行整定,因而能適應(yīng)不同飽和壓降IGBT的驅(qū)動和保護(hù)。1.引腳排列及功能HL402的外形尺寸及引腳排
本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點。可以說,IGBT是一個非通即斷的開關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是