2016年10月17日,德國慕尼黑訊——感應加熱電器通常采用諧振拓撲結構,需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開關頻率范圍內表現出最佳性能。英飛凌科技股份公司(FSE:
SVG是目前無功功率控制領域內的最佳方案。相對于傳統(tǒng)的調相機、電容器電抗器、以晶閘管控制電抗器TCR為主要代表的傳統(tǒng)SVC等方式,SVG有著無可比擬的優(yōu)勢。
Littelfuse, Inc宣布其已達成最終協(xié)議,將向ON Semiconductor Corporation收購用于汽車點火應用的瞬態(tài)電壓抑制(“TVS”)二極管、開關晶閘管和絕緣柵雙極晶體管(
TDK 集團推出新型愛普科斯 (EPCOS) 直流支撐電容器。該元件專為英飛凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模塊而設計,采用多觸點結構,具備尺寸大小與IGBT模塊精確匹配的六個母線端子。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能兩方面的優(yōu)點
隨著大功率電源設備的普及率越來越高,IGBT在大功率電源設備中的作用也越來越重要,因此對IGBT知識進行全方面的了解是非常有必要的。隨著使用頻率的升高,IGBT在使用過程中
先來看幾個電動/混動汽車(EV/HEV)由于過熱問題被召回的真實案例。2016年1月,美國汽車制造商召回五千多萬的汽車;2014年9月,福特公司由于電子混合系統(tǒng)過熱問題召回7400輛汽車;2014年1月,特斯拉為了防止過熱召回290
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品,其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD
Mentor Graphics公司(納斯達克代碼:MENT)今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品,其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。
由于IGBT類電源的特殊性,于一般的電源相比其中很多器件都會有相應的改動。濾波電容就是其中一個變動較大的器件。為了為大功率電源進行不間斷的供電,濾波電容需要擁有較大
IGBT作為電壓控制型開關器件,IGBT的開關由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高,IGBT導通,柵極電壓低,IGBT關斷。但是使用的時候還是很容易忽略柵極導通電壓的高低對
在綠色能源快速發(fā)展的當下,太陽能發(fā)電對于人們來說已經不是什么新鮮事物。在太陽能逆變電源的角度來說,想要獲得更多的效率,IGBT就是必不可少的重要器件。使用IGBT能夠為太陽能逆變器帶來更大的收益。
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用公司專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120F
熟悉IGBT的朋友都知道,IGBT的內部主要是MOS結構。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感,在使用過程中稍有不當就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時,需要設計者注意哪些問題
IGBT技術大多應用在大功率電源場合,要在這些場合應用,首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應、過載一類的不良反應。因此在隔離驅動IGBT功率器件的設計上就需要相應的設計技巧
隨著市場對大功率供電設備需求日益激增,IGBT不間斷電源開始發(fā)揮越來越重要的作用。IGBT設備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來說,較為成熟的IGBT設計出現損
隨著大功率與特種電源逐漸在市場上盛行,IGBT技術也隨著時間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能,因此人們總是想通過各種方法來提高IGBT的效
東芝公司(TOKYO:6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TB9150FNG”,這是一款具有各種增強型保護功能的光電隔離型IGBT[1]柵極預驅動IC,適用于電動和混合動力汽車的車載逆變器。樣品發(fā)貨即
隨著現代電科技設備的日趨復雜,原有的電源已經無法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應運而生,而其中較為重要的,就是IGBT技術。如果想要全面穩(wěn)妥的提高IGBT的可靠性,
隨著不間斷電源等特殊電源的興起,IGBT在電子電路設計領域地位變得越來越重要,在之前的文章中小編為大家介紹有關IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度的問題,在本文中,小