1.引言 在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓
IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度?!?/p>
“比亞迪有技術(shù)‘魚(yú)池’,里面有各種各樣的技術(shù),市場(chǎng)需要時(shí),我們就撈一條出來(lái),電動(dòng)車(chē)、軌道交通都是‘魚(yú)池’里的大魚(yú)?!蓖鮽鞲T啻卧诠_(kāi)場(chǎng)合介紹比亞迪的技術(shù)積累。日前,比亞迪董事長(zhǎng)王傳福在接受媒體采訪時(shí)
全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長(zhǎng),甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車(chē)領(lǐng)域。因此在過(guò)去幾年,市場(chǎng)對(duì)變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增
提起如今迅速崛起的新能源汽車(chē),尤其是對(duì)于純電動(dòng)車(chē),大部分對(duì)它的關(guān)注點(diǎn)都集中在電池及續(xù)航里程上,但他們卻不知道,電動(dòng)車(chē)上還有個(gè)指甲大小的部件與電池同樣重要。今晚,比亞迪在寧波舉辦的“核心技術(shù)解析會(huì)之IG
比亞迪于寧波威斯汀酒店舉辦比亞迪核心技術(shù)解析會(huì)之IGBT電動(dòng)中國(guó)芯,發(fā)布全新一代車(chē)規(guī)級(jí)IGBT標(biāo)桿性產(chǎn)品—;—;比亞迪IGBT 4.0。IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran
不過(guò),國(guó)外早在上世紀(jì)80年代便開(kāi)啟了對(duì)IGBT的研究生產(chǎn),要在產(chǎn)品上追上國(guó)外先進(jìn)水平,顯然需要更多時(shí)間。因此,中途比亞迪的IGBT芯片又歷經(jīng)8年,多次迭代,其間,比亞迪還與上海先進(jìn)半導(dǎo)體在2015年達(dá)
汽油機(jī)缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車(chē)汽油噴射中的前沿技術(shù),多點(diǎn)順序汽油噴射將各個(gè)點(diǎn)火線圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中,使各缸混合氣分配較均勻,因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油
一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,并
在通信企業(yè)中,電源是通信系統(tǒng)的“心臟”, 是全程全網(wǎng)暢通的根本保障。供電系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性和供電質(zhì)量,直接影響到通信網(wǎng)絡(luò)能否穩(wěn)定的運(yùn)行。應(yīng)急、備用通信
1 引言 本文根據(jù)我們多年從事直流系統(tǒng)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)及現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),試圖對(duì)后備蓄電池組的充電方式進(jìn)行一些探討,,希望能起到拋磚引玉的作用,研究出一種更加合理的蓄電池
前言 在現(xiàn)代工業(yè)的金屬熔煉、彎管,熱鍛,焊接和表面熱處理等行業(yè)中,感應(yīng)加熱技術(shù)被廣泛應(yīng)用。感應(yīng)加熱是根據(jù)電磁感應(yīng)原理,利用工件中渦流產(chǎn)生的熱量對(duì)工件進(jìn)行加熱的
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用
基礎(chǔ)理論IGBT系統(tǒng)的介紹 就IGBT的定義、工作原理、等效電路、特性參數(shù)、設(shè)計(jì)技巧等作全面介紹…… 設(shè)計(jì)技巧IGBT的驅(qū)動(dòng)和過(guò)流保護(hù)電路的研究IGBT目前被廣泛使
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱(chēng),故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這
1 引言絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor,IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件,因此,它既具有MOSFET的工作速度快、開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻