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GaN基紫外LED封裝技術(shù)：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導(dǎo)體照明與光電器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢，如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約，其中熱管理和出光效率是兩個(gè)關(guān)鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對于推動其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有重要意義。
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
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亞馬遜一年助力兩百萬人提升人工智能技能的關(guān)鍵洞察
亞馬遜云科技全球拓展賦能副總裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才對企業(yè)而言不再是奢侈資源，而是必需資源。然而，巨大的技能缺口成為諸多企業(yè)應(yīng)用人工智能技術(shù)的一大障礙。根據(jù)亞馬遜云科技與全球領(lǐng)先的科技咨詢公司Acce...
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強(qiáng)歐洲市場推廣
…… 德國最大的功率半導(dǎo)體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術(shù)的最新進(jìn)展 韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月6...
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型
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CGD 官宣突破100kW以上技術(shù)，推動GaN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場
2025年3月11日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報(bào)告》：GaN將在多個(gè)行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn)，進(jìn)一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。
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安全為本：亞馬遜云科技進(jìn)一步擴(kuò)展多因素驗(yàn)證 強(qiáng)化統(tǒng)一安全管理
北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技從一開始就將安全為本的原則融入進(jìn)其服務(wù)的構(gòu)建中，包括為客戶設(shè)置高標(biāo)準(zhǔn)的默認(rèn)安全功能。在賬戶安全的眾多要素中，強(qiáng)大的身份驗(yàn)證是賬戶安全的基礎(chǔ)組成部分。多因素驗(yàn)證（MFA）是防止未經(jīng)授權(quán)人員訪問系統(tǒng)或數(shù)據(jù)的最簡單且有效的方法之一...
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垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進(jìn)步
氮化鎵(GAN)電源設(shè)備正在看到在一系列低至中型應(yīng)用程序中的使用量增加，包括移動設(shè)備電源適配器，數(shù)據(jù)中心電源和電子示波器。通常使用側(cè)向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設(shè)備的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結(jié)日本大阪大學(xué)的一組對GAN基板和垂直設(shè)備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。
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Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首個(gè)基于GAN的OBC
Changan Automobile介紹了它聲稱是世界上第一個(gè)基于硝酸鹽(GAN)的商業(yè)鍍鍍金(GAN)的機(jī)載充電器(OBC)技術(shù)平臺，該平臺集成到新推出的Qiyuan E07電動汽車中。該國最古老的汽車制造商之一已經(jīng)實(shí)施了Navitas半導(dǎo)體的高功率GAN設(shè)備，以提高車輛充電系統(tǒng)的功率密度和效率。
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2025年企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者必知的生成式AI技能與教育趨勢
亞馬遜云科技培訓(xùn)與認(rèn)證副總裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成為科技領(lǐng)域的焦點(diǎn)。各界人士紛紛熱議，試圖理清生成式AI對業(yè)務(wù)的影響。展望2025年，隨著生成式AI逐漸從概念驗(yàn)證步入生產(chǎn)階段，更多企業(yè)正試用生成...
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邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計(jì)這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。
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使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應(yīng)用中越來越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無疑為電氣化和強(qiáng)勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高。現(xiàn)在，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體從長遠(yuǎn)來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設(shè)計(jì)人員來說是可靠的。
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書 探討基于GaN的電力電子器件的優(yōu)勢
2024年12月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的 GaN 制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品 新聞亮點(diǎn)： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個(gè)工廠的 GaN 半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應(yīng)用，從電機(jī)驅(qū)動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設(shè)備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關(guān)的應(yīng)用可能性示例。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)因其在許多高功率領(lǐng)域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開關(guān)頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨(dú)特的設(shè)計(jì)和應(yīng)用問題，工程師在將這些技術(shù)用于設(shè)計(jì)時(shí)需要解決這些問題。
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常見 ACDC 電源拓?fù)渲械凸β?GaN 的優(yōu)勢
消費(fèi)者需要為其日常攜帶的各種電子設(shè)備提供便攜式、快速且高效的充電器。隨著越來越多的電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向USB Type-C?充電器，對可用于為任何設(shè)備充電的緊湊型電源適配器的需求正在迅速增加。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時(shí)間
在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應(yīng)用中，降低轉(zhuǎn)換損耗是實(shí)現(xiàn)凈零碳足跡以應(yīng)對氣候變化的關(guān)鍵部分，因?yàn)殡姍C(jī)驅(qū)動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
