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GaN基紫外LED封裝技術：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導體照明與光電器件領域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨特的優(yōu)勢，如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領域的研究熱點。然而，在實際應用中，GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術的制約，其中熱管理和出光效率是兩個關鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對于推動其產(chǎn)業(yè)化進程具有重要意義。
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
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亞馬遜一年助力兩百萬人提升人工智能技能的關鍵洞察
亞馬遜云科技全球拓展賦能副總裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才對企業(yè)而言不再是奢侈資源，而是必需資源。然而，巨大的技能缺口成為諸多企業(yè)應用人工智能技術的一大障礙。根據(jù)亞馬遜云科技與全球領先的科技咨詢公司Acce...
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強歐洲市場推廣
…… 德國最大的功率半導體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術的最新進展 韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當?shù)貢r間5月6...
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型
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CGD 官宣突破100kW以上技術，推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
2025年3月11日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領域的發(fā)展。
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安全為本：亞馬遜云科技進一步擴展多因素驗證 強化統(tǒng)一安全管理
北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技從一開始就將安全為本的原則融入進其服務的構建中，包括為客戶設置高標準的默認安全功能。在賬戶安全的眾多要素中，強大的身份驗證是賬戶安全的基礎組成部分。多因素驗證（MFA）是防止未經(jīng)授權人員訪問系統(tǒng)或數(shù)據(jù)的最簡單且有效的方法之一...
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垂直GAN晶體管技術發(fā)展的進步
氮化鎵(GAN)電源設備正在看到在一系列低至中型應用程序中的使用量增加，包括移動設備電源適配器，數(shù)據(jù)中心電源和電子示波器。通常使用側向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設備的應用范圍擴展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結日本大阪大學的一組對GAN基板和垂直設備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。
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Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首個基于GAN的OBC
Changan Automobile介紹了它聲稱是世界上第一個基于硝酸鹽(GAN)的商業(yè)鍍鍍金(GAN)的機載充電器(OBC)技術平臺，該平臺集成到新推出的Qiyuan E07電動汽車中。該國最古老的汽車制造商之一已經(jīng)實施了Navitas半導體的高功率GAN設備，以提高車輛充電系統(tǒng)的功率密度和效率。
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2025年企業(yè)領導者必知的生成式AI技能與教育趨勢
亞馬遜云科技培訓與認證副總裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成為科技領域的焦點。各界人士紛紛熱議，試圖理清生成式AI對業(yè)務的影響。展望2025年，隨著生成式AI逐漸從概念驗證步入生產(chǎn)階段，更多企業(yè)正試用生成...
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邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響
過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。
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使用雙向 GaN 開關實現(xiàn)單級功率轉換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術，代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現(xiàn)單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應用中越來越多地從硅轉向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導體在許多電力應用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風光無限，其應用的可靠性一直非常高?，F(xiàn)在，有必要驗證這兩種新型半導體從長遠來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設計人員來說是可靠的。
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書 探討基于GaN的電力電子器件的優(yōu)勢
2024年12月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
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德州儀器擴大氮化鎵半導體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
德州儀器采用當前先進的 GaN 制造技術，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導體全系列產(chǎn)品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應用，從電機驅動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關的應用可能性示例。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術因其在許多高功率領域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開關頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨特的設計和應用問題，工程師在將這些技術用于設計時需要解決這些問題。
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常見 ACDC 電源拓撲中低功率 GaN 的優(yōu)勢
消費者需要為其日常攜帶的各種電子設備提供便攜式、快速且高效的充電器。隨著越來越多的電子產(chǎn)品轉向USB Type-C?充電器，對可用于為任何設備充電的緊湊型電源適配器的需求正在迅速增加。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
在工業(yè)電機驅動功率轉換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應用中，降低轉換損耗是實現(xiàn)凈零碳足跡以應對氣候變化的關鍵部分，因為電機驅動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。
