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GaN器件在AC-DC中的應用，高頻化帶來的磁元件小型化與損耗分析
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的代表，憑借其寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿場強等特性，正在重塑AC-DC轉換器的技術格局。在高頻化趨勢下，GaN器件不僅推動了磁元件的小型化，還深刻改變了損耗分布與優(yōu)化策略，為消費電子、數據中心、通信基站等領域的高效電源設計提供了關鍵支撐。
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PoE硬件創(chuàng)新趨勢，氮化鎵（GaN）器件在高效供電中的應用前景
在PoE(以太網供電)技術硬件創(chuàng)新已成為突破效率瓶頸、縮小設備體積的核心驅動力。其中，氮化鎵(GaN)器件憑借其高頻、高效、高耐壓的特性，正逐步替代傳統硅基器件，成為PoE供電模塊升級的關鍵方向。本文結合實際案例與測試數據，系統解析GaN器件在PoE高效供電中的應用前景。
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上下管開關對稱性的系統方法
摘要：半橋功率級是電力電子系統中的基本開關單元，應用于電源轉換器、電機驅動器和D類功率放大器等電路設計中。本文介紹了一種系統方法，該方法利用預充電驅動電源方案和欠壓鎖定（UVLO）機制的控制策略，確保半橋電路中高邊和低邊開關的同步性。傳統的基于自舉電源的半橋驅動存在固有局限性，包括高邊和低邊驅動器之間電源的不對稱性，這會破壞開關的同步性和開關管的工作特性。本文通過詳細的電路設計和SPICE仿真驗證了該方法在改善開關同步性和可靠性方面的有效性，特別是對于GaN和SiC晶體管這種對驅動電壓范圍要求比較高的驅動更有應用意義。
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GaN基紫外LED封裝技術：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導體照明與光電器件領域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨特的優(yōu)勢，如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領域的研究熱點。然而，在實際應用中，GaN基紫外LED的性能表現仍受到封裝技術的制約，其中熱管理和出光效率是兩個關鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對于推動其產業(yè)化進程具有重要意義。
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產品系列
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
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亞馬遜一年助力兩百萬人提升人工智能技能的關鍵洞察
亞馬遜云科技全球拓展賦能副總裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才對企業(yè)而言不再是奢侈資源，而是必需資源。然而，巨大的技能缺口成為諸多企業(yè)應用人工智能技術的一大障礙。根據亞馬遜云科技與全球領先的科技咨詢公司Acce...
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強歐洲市場推廣
…… 德國最大的功率半導體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術的最新進展 韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當地時間5月6...
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Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
新增產品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內廣泛的GaN FET產品類型
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CGD 官宣突破100kW以上技術，推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
2025年3月11日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數字化領域的發(fā)展。
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安全為本：亞馬遜云科技進一步擴展多因素驗證 強化統一安全管理
北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技從一開始就將安全為本的原則融入進其服務的構建中，包括為客戶設置高標準的默認安全功能。在賬戶安全的眾多要素中，強大的身份驗證是賬戶安全的基礎組成部分。多因素驗證（MFA）是防止未經授權人員訪問系統或數據的最簡單且有效的方法之一...
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垂直GAN晶體管技術發(fā)展的進步
氮化鎵(GAN)電源設備正在看到在一系列低至中型應用程序中的使用量增加，包括移動設備電源適配器，數據中心電源和電子示波器。通常使用側向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設備的應用范圍擴展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結日本大阪大學的一組對GAN基板和垂直設備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。
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Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首個基于GAN的OBC
Changan Automobile介紹了它聲稱是世界上第一個基于硝酸鹽(GAN)的商業(yè)鍍鍍金(GAN)的機載充電器(OBC)技術平臺，該平臺集成到新推出的Qiyuan E07電動汽車中。該國最古老的汽車制造商之一已經實施了Navitas半導體的高功率GAN設備，以提高車輛充電系統的功率密度和效率。
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2025年企業(yè)領導者必知的生成式AI技能與教育趨勢
亞馬遜云科技培訓與認證副總裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成為科技領域的焦點。各界人士紛紛熱議，試圖理清生成式AI對業(yè)務的影響。展望2025年，隨著生成式AI逐漸從概念驗證步入生產階段，更多企業(yè)正試用生成...
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邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響
過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。
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使用雙向 GaN 開關實現單級功率轉換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術，代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器，與傳統兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應用中越來越多地從硅轉向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導體在許多電力應用中正在逐步取代傳統的硅基器件。硅現在已經風光無限，其應用的可靠性一直非常高?，F在，有必要驗證這兩種新型半導體從長遠來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設計人員來說是可靠的。
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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發(fā)布全新電子書 探討基于GaN的電力電子器件的優(yōu)勢
2024年12月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
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德州儀器擴大氮化鎵半導體自有制造規(guī)模，產能提升至原來的四倍
德州儀器采用當前先進的 GaN 制造技術，現啟用兩家工廠生產 GaN 功率半導體全系列產品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導體自有制造產能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導體現已投產上市。 憑借德州儀器品類齊...
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應用，從電機驅動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關的應用可能性示例。
