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GaNSiC功率器件應用，高頻高效電路設計與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場景，功率電子器件正經(jīng)歷一場由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對高頻電路設計與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
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功率半導體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢。
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GaN功率放大器測試全流程：負載牽引系統(tǒng)與熱阻抗的協(xié)同表征方法
在5G基站、衛(wèi)星通信及毫米波雷達等高頻應用場景中，氮化鎵(GaN)功率放大器憑借其高功率密度、高效率及寬頻帶特性成為核心器件。然而，其測試流程面臨雙重挑戰(zhàn)：一方面需通過負載牽引系統(tǒng)優(yōu)化大信號參數(shù)，另一方面需精準表征熱阻抗以避免器件失效。本文結(jié)合行業(yè)實踐案例，系統(tǒng)闡述負載牽引與熱阻抗協(xié)同測試的全流程方法。
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GaN器件驅(qū)動芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測試
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導通電阻和超快開關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，GaN器件的驅(qū)動電路設計面臨獨特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測試三個維度，結(jié)合典型應用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動芯片的選型方法。
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快充適配器設計，GaN器件在65W PD充電器中的高頻化與熱應力平衡
在移動設備續(xù)航需求與充電效率矛盾日益突出，氮化鎵(GaN)憑借其高頻特性與熱穩(wěn)定性優(yōu)勢，成為65W PD快充適配器的核心材料。通過高頻化設計提升功率密度，同時通過熱應力管理保障器件可靠性，GaN技術(shù)正在重新定義快充適配器的性能邊界。
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羅姆攜眾多先進解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國上海，2025年9月11日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會(以下簡稱PCIM Asia Shanghai)。屆時，羅姆將展示其在工業(yè)設備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。
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GaN器件在AC-DC中的應用，高頻化帶來的磁元件小型化與損耗分析
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的代表，憑借其寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿場強等特性，正在重塑AC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)格局。在高頻化趨勢下，GaN器件不僅推動了磁元件的小型化，還深刻改變了損耗分布與優(yōu)化策略，為消費電子、數(shù)據(jù)中心、通信基站等領(lǐng)域的高效電源設計提供了關(guān)鍵支撐。
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PoE硬件創(chuàng)新趨勢，氮化鎵（GaN）器件在高效供電中的應用前景
在PoE(以太網(wǎng)供電)技術(shù)硬件創(chuàng)新已成為突破效率瓶頸、縮小設備體積的核心驅(qū)動力。其中，氮化鎵(GaN)器件憑借其高頻、高效、高耐壓的特性，正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件，成為PoE供電模塊升級的關(guān)鍵方向。本文結(jié)合實際案例與測試數(shù)據(jù)，系統(tǒng)解析GaN器件在PoE高效供電中的應用前景。
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上下管開關(guān)對稱性的系統(tǒng)方法
摘要：半橋功率級是電力電子系統(tǒng)中的基本開關(guān)單元，應用于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和D類功率放大器等電路設計中。本文介紹了一種系統(tǒng)方法，該方法利用預充電驅(qū)動電源方案和欠壓鎖定（UVLO）機制的控制策略，確保半橋電路中高邊和低邊開關(guān)的同步性。傳統(tǒng)的基于自舉電源的半橋驅(qū)動存在固有局限性，包括高邊和低邊驅(qū)動器之間電源的不對稱性，這會破壞開關(guān)的同步性和開關(guān)管的工作特性。本文通過詳細的電路設計和SPICE仿真驗證了該方法在改善開關(guān)同步性和可靠性方面的有效性，特別是對于GaN和SiC晶體管這種對驅(qū)動電壓范圍要求比較高的驅(qū)動更有應用意義。
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GaN基紫外LED封裝技術(shù)：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導體照明與光電器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨特的優(yōu)勢，如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點。然而，在實際應用中，GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約，其中熱管理和出光效率是兩個關(guān)鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對于推動其產(chǎn)業(yè)化進程具有重要意義。
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
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亞馬遜一年助力兩百萬人提升人工智能技能的關(guān)鍵洞察
亞馬遜云科技全球拓展賦能副總裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才對企業(yè)而言不再是奢侈資源，而是必需資源。然而，巨大的技能缺口成為諸多企業(yè)應用人工智能技術(shù)的一大障礙。根據(jù)亞馬遜云科技與全球領(lǐng)先的科技咨詢公司Acce...
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強歐洲市場推廣
…… 德國最大的功率半導體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術(shù)的最新進展 韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當?shù)貢r間5月6...
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型
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CGD 官宣突破100kW以上技術(shù)，推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
2025年3月11日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。
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安全為本：亞馬遜云科技進一步擴展多因素驗證 強化統(tǒng)一安全管理
北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技從一開始就將安全為本的原則融入進其服務的構(gòu)建中，包括為客戶設置高標準的默認安全功能。在賬戶安全的眾多要素中，強大的身份驗證是賬戶安全的基礎組成部分。多因素驗證（MFA）是防止未經(jīng)授權(quán)人員訪問系統(tǒng)或數(shù)據(jù)的最簡單且有效的方法之一...
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垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進步
氮化鎵(GAN)電源設備正在看到在一系列低至中型應用程序中的使用量增加，包括移動設備電源適配器，數(shù)據(jù)中心電源和電子示波器。通常使用側(cè)向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設備的應用范圍擴展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結(jié)日本大阪大學的一組對GAN基板和垂直設備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。
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Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首個基于GAN的OBC
Changan Automobile介紹了它聲稱是世界上第一個基于硝酸鹽(GAN)的商業(yè)鍍鍍金(GAN)的機載充電器(OBC)技術(shù)平臺，該平臺集成到新推出的Qiyuan E07電動汽車中。該國最古老的汽車制造商之一已經(jīng)實施了Navitas半導體的高功率GAN設備，以提高車輛充電系統(tǒng)的功率密度和效率。
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2025年企業(yè)領(lǐng)導者必知的生成式AI技能與教育趨勢
亞馬遜云科技培訓與認證副總裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成為科技領(lǐng)域的焦點。各界人士紛紛熱議，試圖理清生成式AI對業(yè)務的影響。展望2025年，隨著生成式AI逐漸從概念驗證步入生產(chǎn)階段，更多企業(yè)正試用生成...
