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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。

功率器件
2022-04-15

SiC GaN
使用單個 PWM 信號控制 GaN 半橋功率級

分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對更用戶友好界面的需求，同時也提高了效率。半橋 GaN 功率級（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨驅(qū)動輸入。兩個輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因為我們可以調(diào)整每個 FET 開啟和關(guān)閉的確切點。

功率器件
2022-04-12

半橋驅(qū)動 GaN
如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？

ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。

劉巖軒
2022-03-02

ST SiC GaN
使用GaN增加電源的功率，并且能夠較小電源的體積優(yōu)勢

隨著在晶體管制造中引入新的寬帶隙材料，例如氮化鎵 (GaN)，顯著的品質(zhì)因數(shù)改進(jìn)轉(zhuǎn)化為電源的潛在改進(jìn)。使用比硅基半導(dǎo)體具有更高帶隙的新型材料可以減小芯片尺寸，同時保持相同的阻斷電壓。

功率器件
2022-02-14

電源功率電源體積 GaN
電源提示：GaN 器件如何提高諧振轉(zhuǎn)換器效率

近年來，諸如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 之類的寬帶隙功率器件已開始商用。與高壓 (≥600V) 硅 FET 相比，GaN 和 SiC FET 通常具有更低的導(dǎo)通電阻 (R ds(on) )、更低的輸出電容 (C oss ) 和更少/沒有反向恢復(fù)電荷 (Q rr )。由于其較低的開關(guān)損耗，我們可以大大提高具有寬帶隙功率器件的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率。

功率器件
2022-02-12

電源 GaN
四方扁平無引線 (QFN) 封裝的單通道 GaN 功率級產(chǎn)品

所有功率級設(shè)計人員都喜歡在開關(guān)節(jié)點看到完美的方波?？焖偕仙?下降沿可降低開關(guān)損耗，而低過沖和振鈴可最大限度地減少功率 FET 上的電壓應(yīng)力。

功率器件
2022-02-09

電源 GaN
使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性

氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提高了轉(zhuǎn)換器效率，與具有相同額定電壓的硅 FET 相比，具有更低的柵極電荷、更低的輸出電荷和更低的導(dǎo)通電阻。在總線電壓大于 380V 的高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，耗盡型（d 型）GaN HEMT 比增強(qiáng)型（e 型）GaN HEMT 更受歡迎。

電源電路
2022-01-12

電源 GaN
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。

Power Integrations
2021-12-13

器件電源氮化鎵 GAN
第三代半導(dǎo)體潮起，我國GaN射頻市場迎何機(jī)遇？

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

通信模塊
2021-12-10

半導(dǎo)體射頻 GAN SIC
半導(dǎo)體發(fā)展及應(yīng)用

以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。

基礎(chǔ)知識科普站
2021-12-06

半導(dǎo)體光通信 GaN
半導(dǎo)體發(fā)展

半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)實際上可以追溯到很久以前。1833年，英國科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。

基礎(chǔ)知識科普站
2021-12-02

半導(dǎo)體 LED GaN
釋放GaN全部潛力，GaNSense進(jìn)一步提高GaN功率芯片集成度

隨著蘋果新一代的140W氮化鎵（GaN）快充面世，GaN進(jìn)一步走進(jìn)了大眾視線。GaN具備超過硅20倍的開關(guān)速度，3倍的禁帶寬度。天然的優(yōu)勢可以讓整體的電源設(shè)計功率密度更高，讓整體電源方案體積和重量更小。但GaN作為一種新材料器件，要發(fā)揮其真正的優(yōu)勢，仍需要很多的新的技術(shù)積累來支撐...

劉巖軒
2021-12-02

功率芯片納微半導(dǎo)體 GaN
GaN管芯射頻功率放大器的研究

摘要：給出了一種基于GaN管芯的C波段射頻功率放大器的設(shè)計方法。該方法采用CREE公司的CGH60120D芯片，并利用ADS軟件對管芯模型進(jìn)行負(fù)載牽引，以得到管芯的最佳阻抗值，然后設(shè)計管芯的負(fù)載匹配電路和直流偏置電路。最后對整個電路系統(tǒng)進(jìn)行仿真，使其達(dá)到預(yù)期的功率值。

《物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)》雜志
2021-11-18

功率放大器射頻負(fù)載牽引管芯 GaN
三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

意法半導(dǎo)體
2021-10-25

Master GaN
GaN FET 成為下一代工業(yè)電源的優(yōu)先選擇

傳統(tǒng)的電源主力——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)——只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的情況下才能提高功率密度。

功率器件
2021-10-21

開關(guān)電源 GaN
TI 推出全新 GaN 技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達(dá)（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

德州儀器
2021-10-11

電源供應(yīng)器 GaN
車載 GaN FET 可實現(xiàn) HEVEV 的高頻和穩(wěn)健性設(shè)計

為了解決消費者對電動汽車 (EV) 普及的里程、充電時間和價格等問題，世界各地的汽車制造商都在增加電池容量而不增加尺寸、重量或組件成本。我正在尋找一種加快速度的方法充電。

功率器件
2021-10-11

SiC GaN
TI?推出全新?GaN?技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達(dá)（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

德州儀器
2021-09-24

電源供應(yīng)器 GaN
TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州儀器（TI）（納斯達(dá)克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達(dá)（DeltaElectronics）長期耕...

產(chǎn)業(yè)動態(tài)
2021-09-24

電源供應(yīng)器 GaN
德州儀器推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達(dá)（Delta Electronics）長期耕耘之

美通社全球TMT
2021-09-24

電源供應(yīng)器 GaN

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GAN

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

使用單個 PWM 信號控制 GaN 半橋功率級

如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？

使用GaN增加電源的功率，并且能夠較小電源的體積優(yōu)勢

電源提示：GaN 器件如何提高諧振轉(zhuǎn)換器效率

四方扁平無引線 (QFN) 封裝的單通道 GaN 功率級產(chǎn)品

使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性

使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

第三代半導(dǎo)體潮起，我國GaN射頻市場迎何機(jī)遇？

半導(dǎo)體發(fā)展及應(yīng)用

半導(dǎo)體發(fā)展

釋放GaN全部潛力，GaNSense進(jìn)一步提高GaN功率芯片集成度

GaN管芯射頻功率放大器的研究

三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

GaN FET 成為下一代工業(yè)電源的優(yōu)先選擇

TI 推出全新 GaN 技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

車載 GaN FET 可實現(xiàn) HEVEV 的高頻和穩(wěn)健性設(shè)計

TI?推出全新?GaN?技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

德州儀器推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

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