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[導(dǎo)讀]在半導(dǎo)體照明與光電器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)基紫外LED憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢,如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等,正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約,其中熱管理和出光效率是兩個關(guān)鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑,對于推動其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有重要意義。


引言

在半導(dǎo)體照明與光電器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)基紫外LED憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢,如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等,正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約,其中熱管理和出光效率是兩個關(guān)鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑,對于推動其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有重要意義。


熱管理優(yōu)化路徑

熱產(chǎn)生機(jī)制與影響

GaN基紫外LED在工作過程中,由于電子 - 空穴復(fù)合過程中的非輻射復(fù)合以及器件內(nèi)部的電阻損耗,會產(chǎn)生大量的熱量。這些熱量如果不能及時散發(fā)出去,會導(dǎo)致芯片結(jié)溫升高。而結(jié)溫的升高會引發(fā)一系列不良后果,如發(fā)光效率下降、波長紅移、器件壽命縮短等。研究表明,結(jié)溫每升高10℃,GaN基紫外LED的發(fā)光效率可能會下降5% - 10%,壽命也會大幅縮短。


封裝材料選擇

基板材料:基板是熱傳導(dǎo)的關(guān)鍵部件,選擇高熱導(dǎo)率的基板材料至關(guān)重要。傳統(tǒng)的鋁基板雖然具有一定的熱導(dǎo)率,但對于高功率的GaN基紫外LED來說,其散熱能力有限。近年來,陶瓷基板如氮化鋁(AlN)和碳化硅(SiC)因其優(yōu)異的高熱導(dǎo)率(AlN的熱導(dǎo)率可達(dá)170 - 230W/(m·K),SiC的熱導(dǎo)率可達(dá)370W/(m·K))和良好的絕緣性能,逐漸成為高功率GaN基紫外LED封裝的首選基板材料。

熱界面材料:熱界面材料用于填充芯片與基板之間的微小間隙,降低熱阻。常用的熱界面材料有導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱凝膠和相變材料等。導(dǎo)熱硅脂具有較好的流動性和填充性,但長期使用可能會出現(xiàn)干涸現(xiàn)象;導(dǎo)熱凝膠則具有更好的可靠性和耐久性;相變材料在達(dá)到相變溫度時會吸收大量熱量,進(jìn)一步提高散熱效率。

封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計

倒裝芯片結(jié)構(gòu):倒裝芯片結(jié)構(gòu)將芯片的發(fā)光面朝下,直接與基板相連,減少了熱傳導(dǎo)路徑,大大提高了散熱效率。同時,倒裝芯片結(jié)構(gòu)還可以避免正裝芯片中金線鍵合帶來的熱阻和可靠性問題。

微通道散熱結(jié)構(gòu):在基板或封裝外殼中設(shè)計微通道,通過循環(huán)流動的冷卻液來帶走熱量。這種散熱方式具有高效的散熱能力,尤其適用于高功率密度的GaN基紫外LED封裝。

出光效率提升路徑

光提取技術(shù)

表面粗化:GaN材料與空氣之間的折射率差異較大,會導(dǎo)致大量的光在芯片內(nèi)部發(fā)生全反射,從而降低出光效率。表面粗化技術(shù)通過在芯片表面制造微小的粗糙結(jié)構(gòu),破壞全反射條件,使更多的光能夠從芯片中逸出。常見的表面粗化方法有化學(xué)腐蝕、干法刻蝕等。

圖形化襯底:在生長GaN外延層之前,對襯底進(jìn)行圖形化處理,形成具有一定形狀和尺寸的圖形。圖形化襯底可以改變光的傳播路徑,減少光在襯底與外延層界面的反射和散射,提高光的提取效率。

光學(xué)元件設(shè)計

透鏡設(shè)計:在封裝過程中,添加合適的透鏡可以改變光的發(fā)散角度,使光更加集中地照射到目標(biāo)區(qū)域,提高光的利用率。根據(jù)不同的應(yīng)用需求,可以設(shè)計不同類型的透鏡,如凸透鏡、菲涅爾透鏡等。

熒光粉涂覆:對于需要產(chǎn)生特定波長紫外光的GaN基紫外LED,可以通過涂覆熒光粉來實(shí)現(xiàn)波長轉(zhuǎn)換。合理選擇熒光粉的種類和涂覆工藝,可以提高光的轉(zhuǎn)換效率和出光均勻性。

結(jié)論

GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升是相互關(guān)聯(lián)、相互影響的。通過合理選擇封裝材料、優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計以及采用先進(jìn)的光提取技術(shù)和光學(xué)元件設(shè)計,可以有效解決GaN基紫外LED在工作過程中面臨的熱管理和出光效率問題。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新,相信GaN紫外LED的性能將得到進(jìn)一步提升,在紫外殺菌、醫(yī)療、光固化等領(lǐng)域的應(yīng)用也將更加廣泛。

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