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用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第二部分，GaN 技術(shù)發(fā)展趨勢
下一代功率器件必須采用滿足性能、效率和價值要求的技術(shù)。正如您所提到的，GaN 已成為主要組件。然而，在評估 GaN 解決方案時，出現(xiàn)了一個問題，即什么是該應用的最佳解決方案。例如，GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在這種情況下，我們談論的是垂直 GaN。GaN的默認襯底是硅或-碳化硅，對于碳化硅，在射頻領域有很多應用，如你所知。在 GaN-on-GaN 中，我發(fā)現(xiàn)與其他產(chǎn)品相比，碳化硅的導熱性比 GaN 高得多。你怎么看?技術(shù)在這方面的挑戰(zhàn)和方向是什么?
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KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應用GaN技術(shù)
KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴大合作，開展下一代電動汽車應用GaN技術(shù)開發(fā) 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022年10月27日 /美通社/ -- 結(jié)合KYOCERA AVX在分立和模塊封裝方面...
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GaN 晶體管的性能測試，器件GS61008T
GaN晶體管是新功率應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
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Dieter Liesabeths擔任VisIC Technologies公司高級副總裁
汽車應用氮化鎵（GaN）解決方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔任產(chǎn)品高級副總裁。在過去的10年里，他在Wolfspeed GmbH擔任高級總監(jiān)，并建立了汽車部門。(能動Nengdong)...
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氮化鎵技術(shù)討論，第一部分
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率。GaN 很有吸引力，因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動下一步的改進。
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GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器
在過去的幾年里，我們道路上的電動汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加，給設計人員帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎設施和縮短充電時間。
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GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)
從智能設備充電器等低功率、低成本應用一直到高功率汽車應用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因為 GaN FET 的平滑開關(guān)特性導致注入放大器的可聽噪聲更少。
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Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品
Nexperia 是基本半導體領域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應用的需求
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GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽K11全新門店正式啟幕
"襯"出新我，再續(xù)傳奇 沈陽2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈陽K11全新門店正式啟幕。此次GANT以新店開幕為契機，回顧品牌標志性襯衫單品的誕生與歷史，并演繹經(jīng)歷沉淀后的迭代蛻變，擁抱全新襯衫型格，"襯"出新我。...
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電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN
基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長期以來一直主導著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢，碳化硅(SiC)近年來在市場上獲得了很大的空間。隨著新材料的應用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動態(tài)電氣特性得到了顯著改善。
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用于下一代射頻應用的氮化鎵 (GaN) 概述
近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導體技術(shù)已被曝光，預示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應用。
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ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓
新 EcoGaN? 系列的第一個系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領先的 8V - 非常適用于工業(yè)設備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設備。
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第五部分
我的最后一個問題是關(guān)于展望未來：您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此，這些天來，我們也在談論電動汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價值?我們期望在哪里看到下一波增長?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第四部分
現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面，而寬帶隙半導體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設備設計到系統(tǒng)中時，設計人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第三部分
最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量與驅(qū)動程序和控制器連接，并且還可以節(jié)省成本，因此不需要額外的組件。因此，我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動器的原因是什么嗎?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第二部分
目前有幾個 GaN 器件概念。那么，大家能告訴我從設計的角度來看，哪些是主要的，哪些是我們的發(fā)展方向?，關(guān)于GaN的十件事，有沒有你更關(guān)注的點?
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用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分
在半導體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會增加成本。此外，不良的材料界面會導致更高的器件通道電阻，從而導致更多的能量在運行過程中被浪費，從而降低芯片的能效。
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PFC 圖騰柱架構(gòu)和 GaN 相結(jié)合，實現(xiàn)高功率和高效率
開放計算項目 (OCP) 由 Facebook 發(fā)起，旨在通過在感興趣的公司之間公開共享數(shù)據(jù)中心解決方案和構(gòu)建模塊來減少超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 開始以來一直提供符合 OCP 的電源解決方案。
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大數(shù)據(jù)中心電源和能量使用的情況討論，第四部分
我與 Vicor 的產(chǎn)品營銷和技術(shù)資源公司副總裁 Robert Gendron 就他們的數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)略進行了交談。我首先詢問了在他們的架構(gòu)中使用 GaN 的情況;Vicor 已與其他 FET 一起評估了該技術(shù)。
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Transphorm GaN 系統(tǒng)級電源轉(zhuǎn)換解決方案實現(xiàn)了新的性能
最近，我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認證的產(chǎn)品。
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