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用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第二部分，GaN 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

下一代功率器件必須采用滿足性能、效率和價(jià)值要求的技術(shù)。正如您所提到的，GaN 已成為主要組件。然而，在評(píng)估 GaN 解決方案時(shí)，出現(xiàn)了一個(gè)問題，即什么是該應(yīng)用的最佳解決方案。例如，GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在這種情況下，我們談?wù)摰氖谴怪?GaN。GaN的默認(rèn)襯底是硅或-碳化硅，對(duì)于碳化硅，在射頻領(lǐng)域有很多應(yīng)用，如你所知。在 GaN-on-GaN 中，我發(fā)現(xiàn)與其他產(chǎn)品相比，碳化硅的導(dǎo)熱性比 GaN 高得多。你怎么看?技術(shù)在這方面的挑戰(zhàn)和方向是什么?

功率器件
2022-11-04

功率轉(zhuǎn)換 GaN
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)

KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴(kuò)大合作，開展下一代電動(dòng)汽車應(yīng)用GaN技術(shù)開發(fā) 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022年10月27日 /美通社/ -- 結(jié)合KYOCERA AVX在分立和模塊封裝方面...

產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)
2022-10-27

GAN VI TECHNOLOGIES SIC
GaN 晶體管的性能測(cè)試，器件GS61008T

GaN晶體管是新功率應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

功率器件
2022-10-23

性能測(cè)試 GaN
Dieter Liesabeths擔(dān)任VisIC Technologies公司高級(jí)副總裁

汽車應(yīng)用氮化鎵（GaN）解決方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔(dān)任產(chǎn)品高級(jí)副總裁。在過去的10年里，他在Wolfspeed GmbH擔(dān)任高級(jí)總監(jiān)，并建立了汽車部門。(能動(dòng)Nengdong)...

快訊
2022-10-20

GAN VI TECHNOLOGIES SIC
氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力，因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄?、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動(dòng)下一步的改進(jìn)。

功率器件
2022-10-09

功率器件 GaN
GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

在過去的幾年里，我們道路上的電動(dòng)汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加，給設(shè)計(jì)人員帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎(chǔ)設(shè)施和縮短充電時(shí)間。

功率器件
2022-10-05

電動(dòng)汽車 (EV) GaN
GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。

功率器件
2022-09-28

功率器件 GaN
Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅(jiān)固耐用的組件有助于滿足智能和電動(dòng)汽車中下一代應(yīng)用的需求

功率器件
2022-09-21

Nexperia GaN
GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽K11全新門店正式啟幕

"襯"出新我，再續(xù)傳奇沈陽2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈陽K11全新門店正式啟幕。此次GANT以新店開幕為契機(jī)，回顧品牌標(biāo)志性襯衫單品的誕生與歷史，并演繹經(jīng)歷沉淀后的迭代蛻變，擁抱全新襯衫型格，"襯"出新我。...

產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)
2022-09-08

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 進(jìn)程微信 GAN
電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長(zhǎng)期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢(shì)，碳化硅(SiC)近年來在市場(chǎng)上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

電源電路
2022-09-07

電力電子碳化硅 GaN
用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進(jìn)入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

功率器件
2022-09-07

射頻應(yīng)用 GaN
ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

新 EcoGaN? 系列的第一個(gè)系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實(shí)現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V - 非常適用于工業(yè)設(shè)備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設(shè)備。

功率器件
2022-09-01

ROHM GaN
一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第五部分

我的最后一個(gè)問題是關(guān)于展望未來：您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價(jià)值?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?

功率器件
2022-08-30

功率器件 GaN
一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第四部分

現(xiàn)在討論的一個(gè)主題是器件的熱管理方面，而寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設(shè)備設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中時(shí)，設(shè)計(jì)人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對(duì)工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?

功率器件
2022-08-30

功率器件 GaN
一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第三部分

最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量與驅(qū)動(dòng)程序和控制器連接，并且還可以節(jié)省成本，因此不需要額外的組件。因此，我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動(dòng)。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動(dòng)器的原因是什么嗎?

功率器件
2022-08-30

功率器件 GaN
一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第二部分

目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么，大家能告訴我從設(shè)計(jì)的角度來看，哪些是主要的，哪些是我們的發(fā)展方向?，關(guān)于GaN的十件事，有沒有你更關(guān)注的點(diǎn)?

功率器件
2022-08-30

功率器件 GaN
用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分

在半導(dǎo)體外延材料制造過程中，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)，即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會(huì)增加成本。此外，不良的材料界面會(huì)導(dǎo)致更高的器件通道電阻，從而導(dǎo)致更多的能量在運(yùn)行過程中被浪費(fèi)，從而降低芯片的能效。

功率器件
2022-08-16

功率器件 GaN
PFC 圖騰柱架構(gòu)和 GaN 相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)高功率和高效率

開放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 由 Facebook 發(fā)起，旨在通過在感興趣的公司之間公開共享數(shù)據(jù)中心解決方案和構(gòu)建模塊來減少超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 開始以來一直提供符合 OCP 的電源解決方案。

新基建
2022-08-07

PFC 圖騰柱架構(gòu) GaN
大數(shù)據(jù)中心電源和能量使用的情況討論，第四部分

我與 Vicor 的產(chǎn)品營銷和技術(shù)資源公司副總裁 Robert Gendron 就他們的數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)略進(jìn)行了交談。我首先詢問了在他們的架構(gòu)中使用 GaN 的情況;Vicor 已與其他 FET 一起評(píng)估了該技術(shù)。

新基建
2022-08-06

電源大數(shù)據(jù)中心 GaN
Transphorm GaN 系統(tǒng)級(jí)電源轉(zhuǎn)換解決方案實(shí)現(xiàn)了新的性能

最近，我會(huì)見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強(qiáng)調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。

功率器件
2022-08-01

功率器件 GaN

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GAN

用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第二部分，GaN 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)

GaN 晶體管的性能測(cè)試，器件GS61008T

Dieter Liesabeths擔(dān)任VisIC Technologies公司高級(jí)副總裁

氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽K11全新門店正式啟幕

電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第五部分

一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第四部分

一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第三部分

一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第二部分

用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分

PFC 圖騰柱架構(gòu)和 GaN 相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)高功率和高效率

大數(shù)據(jù)中心電源和能量使用的情況討論，第四部分

Transphorm GaN 系統(tǒng)級(jí)電源轉(zhuǎn)換解決方案實(shí)現(xiàn)了新的性能

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