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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來自散熱、EMI等因素帶來的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡單，而是需要來自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內(nèi)消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應(yīng)商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導(dǎo)體）突然終止業(yè)務(wù)并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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英飛凌：增強(qiáng)功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破創(chuàng)新，賦能各類新興應(yīng)用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級(jí)副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來的成績，以及對(duì)于明年的市場趨勢展望。
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瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容
增強(qiáng)瑞薩寬禁帶專業(yè)知識(shí)和產(chǎn)品路線圖發(fā)展，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、人工智能電源，以及可再生能源快速增長的市場機(jī)遇。
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案
大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案，旨在利用先進(jìn)的GaN器件助力服務(wù)器電源實(shí)現(xiàn)更出色的能效。
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占板面積減半！Allegro Power-Thru技術(shù)帶來GaN隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新選擇
從電流感應(yīng)、磁傳感器和電源的結(jié)合，Allegro Microsystems在汽車和工業(yè)市場贏得了成功。而今通過對(duì)于Power-Thur技術(shù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的成功發(fā)布，Allegro繼續(xù)擴(kuò)大優(yōu)勢，強(qiáng)勢布局寬禁帶器件功率市場，為客戶應(yīng)用帶來更好的選擇。
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意法半導(dǎo)體和法國空客將聯(lián)合開發(fā)功率半導(dǎo)體
21ic 近日獲悉，意法半導(dǎo)體(ST)和法國空客公司將聯(lián)合研發(fā)功率半導(dǎo)體，雙方表示開發(fā)的新型電力電子設(shè)備更高效，將用于混合動(dòng)力飛機(jī)和全電動(dòng)城市飛行器。
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ST的半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長期雙贏
對(duì)于ST而言，芯片設(shè)計(jì)和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實(shí)施，將會(huì)幫助其實(shí)現(xiàn)200億美元營收和2027碳中和兩大目標(biāo)。
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通過最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們在汽車行業(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們在 GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無法比擬的優(yōu)勢。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異
垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯(cuò)密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉?，因?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場從表面移到半導(dǎo)體中)。
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垂直 GaN 技術(shù)：在哪些領(lǐng)域會(huì)有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會(huì)？
垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?
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垂直 GaN 技術(shù)：為什么我們需要垂直的氮化鎵？
為什么我們需要垂直的氮化鎵?因此，由于輸出電容較小，應(yīng)用中的開關(guān)損耗非常小，與橫向氮化鎵設(shè)備相比，保持這些通過均勻材料的最佳傳輸，而沒有額外的層定向到封裝，并將框架從設(shè)備的頂部和底部離開。
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GaN在能源和電力市場已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用
到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場數(shù)十年，我們的目標(biāo)確實(shí)是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能應(yīng)用的客戶提供支持，例如交通運(yùn)輸、可再生能源、重型工業(yè)機(jī)械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對(duì)更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導(dǎo)體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術(shù)的前沿。
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?SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)
SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)，以解決能源問題，尤其是在電動(dòng)汽車方面。那么等待我們的未來是什么?但特別是，從長遠(yuǎn)來看，您認(rèn)為基于 SiC 的功率器件應(yīng)該如何發(fā)展才能滿足下一個(gè)更嚴(yán)格的行業(yè)要求?
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進(jìn)一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務(wù)的市場
電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導(dǎo)著市場，但很快，這些設(shè)備的出現(xiàn)將引導(dǎo)技術(shù)走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計(jì)，到 2025 年來自 SiC 器件的收入將占市場的 10% 以上，而來自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過 2% 的市場。一些主導(dǎo)市場的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個(gè)領(lǐng)域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。
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Transphorm在深圳設(shè)立GaN場效應(yīng)晶體管實(shí)驗(yàn)室
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，TransphormInc已經(jīng)在深圳設(shè)立GaN場效應(yīng)晶體管實(shí)驗(yàn)室，并且已經(jīng)全面投入運(yùn)營，并為中國的客戶提供產(chǎn)品及服務(wù)。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢得以保留，并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
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高清晰小尺寸，日本開發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日日本京都京瓷公司開發(fā)了一種新的薄膜工藝技術(shù)，用于制造基于GaN的微光源(即邊長
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如何應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備熱管理的幾個(gè)方面考量
應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備溫度，第一個(gè)考量就是加強(qiáng)散熱。首先要采取的預(yù)防措施是采用并實(shí)施一種策略來分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關(guān)。它測量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關(guān)方直接接觸。
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亞虹醫(yī)藥APL-1401治療中度至重度活動(dòng)性潰瘍性結(jié)腸炎的新藥臨床研究申請(qǐng)獲美國FDA許可
上海2022年11月10日 /美通社/ -- 全球化創(chuàng)新藥公司亞虹醫(yī)藥（股票代碼：688176.SH）今日宣布，其口服藥APL-1401治療中度至重度活動(dòng)性潰瘍性結(jié)腸炎的新藥臨床研究申請(qǐng)（IND）獲美國食品藥品監(jiān)督管理局（FDA）許可。公司將盡快在美國啟動(dòng)臨床入組，并于近期向中國...
