TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本

GaN 打破壁壘——射頻功率放大器變得更寬更高級(jí)

意法半導(dǎo)體單片 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器加速工業(yè)和家庭自動(dòng)化并提高靈活性和集成度

中國(guó)，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開(kāi)關(guān)。

三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450?mΩ

點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

厚積薄發(fā)，ST和Exagan開(kāi)啟GaN發(fā)展新篇章

??點(diǎn)擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”，關(guān)注我們????????氮化鎵(GaN)是???一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更...

宏光照明子公司認(rèn)購(gòu)VisIC，進(jìn)入GaN相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)

8月24日，宏光照明發(fā)布公告稱，公司的全資附屬公司FastSemiHoldingLtd.已投資VisICTechnologiesLimited。根據(jù)購(gòu)股協(xié)議，F(xiàn)astSemi同意認(rèn)購(gòu)VisIC1,749,961股股份，約占VisIC經(jīng)擴(kuò)大已發(fā)行股本的21.86%，作價(jià)約25百萬(wàn)美...

利用C2000? 實(shí)時(shí)MCU 提高GaN 數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性， TI 來(lái)幫您！

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！與碳化硅(SiC)FET和硅基FET相比，氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。電力電子行業(yè)的設(shè)計(jì)人員需要采用新的技術(shù)和方法來(lái)提高GaN系統(tǒng)的性能...

PowiGaN讓消費(fèi)電子小而強(qiáng)悍

PI的PowiGaN能夠提供更高的效率，幫助完成體積小/重量輕的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，已批量應(yīng)用于眾多領(lǐng)域的產(chǎn)品，包括工業(yè)、消費(fèi)、照明和商用等。

意法半導(dǎo)體發(fā)布高性能車規(guī)級(jí)GaN產(chǎn)品系列

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布了STi2GaN系列智能集成氮化鎵(GaN)解決方案。

安世快訊 | Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布與國(guó)內(nèi)汽車行業(yè)主要供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(簡(jiǎn)稱UAES)在功率半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)領(lǐng)域展開(kāi)深度合作，旨在滿足未來(lái)對(duì)新能源汽車電源系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求，并共同致力于推動(dòng)GaN工藝技術(shù)在中國(guó)汽車市場(chǎng)的研發(fā)和應(yīng)用。

科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達(dá)加速發(fā)展

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均為GaN MMIC器件，具備小型化、高效率等優(yōu)勢(shì)。

ST亮相2021慕尼黑上海電子展：GaN提升電源能效，Teseo提升駕駛效率

ST參加了于2021年4月14-16日舉辦的2021慕尼黑上海電子展。

迎接氮化鎵的新浪潮

ST在接受EE-Times采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)了這個(gè)新平臺(tái)如何通過(guò)提供更輕的方案，3倍充電時(shí)間以及80%的系統(tǒng)體積縮小。

針對(duì)電動(dòng)汽車應(yīng)用，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)有哪些

為了解決諸如行駛距離，充電時(shí)間和價(jià)格等消費(fèi)者關(guān)注的問(wèn)題，以加速電動(dòng)汽車(EV)的采用，全球的汽車制造商都要求增加電池容量和更快的充電能力，而尺寸，重量或組件成本卻不能增加。

小米11：免費(fèi)送GaN充電器，霸氣性能背后技術(shù)揭秘

12月28日晚間，經(jīng)歷多次預(yù)告的小米11終于揭開(kāi)了“面紗”，其中最為讓網(wǎng)友關(guān)注的幾個(gè)問(wèn)題也被逐一披露。

值得了解的Texas Instruments （TI） 的LMG341xR050氮化鎵 （GaN） 功率級(jí)

人類社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成，比如氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。

隨著器件功耗的增加，氮化鎵技術(shù)正走向成熟

隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)功率的需求也在增加。氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料逐漸彰顯其作為新一代功率半導(dǎo)體骨干材料的潛力。這類材料功耗更低，性能卻優(yōu)于那些已趨成熟的硅器件。

Ampleon第一代GaN產(chǎn)品的授權(quán)可持續(xù)供貨渠道

羅徹斯特電子攜手全球領(lǐng)先的射頻功率芯片供應(yīng)商——埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)，共同深化業(yè)務(wù)合作，拓寬合作產(chǎn)品范圍。

為什么選擇GaN晶體管?MASTERGAN1告訴你答案

ST發(fā)布了市場(chǎng)首個(gè)也是唯一的單封裝集成600 V柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)加強(qiáng)版氮化鎵(GaN)晶體管的MASTERGAN1。

意法半導(dǎo)體推出世界首款驅(qū)動(dòng)芯片與GaN晶體管的集成化解決方案

意法半導(dǎo)體(ST) 近日推出世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對(duì)氮化鎵(GaN)晶體管的 MasterGaN? 產(chǎn)品平臺(tái)，對(duì)于400W以下輕便節(jié)能的消費(fèi)電子、工業(yè)充電器以及電源適配器而言，意法半導(dǎo)體提出的這個(gè)集成化方案有助于加快開(kāi)發(fā)速度。