從工業(yè)數(shù)字化、到電動出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢。

英飛凌擁有硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的全面布局，并且在晶圓、封裝、模塊上實現(xiàn)了技術(shù)領(lǐng)先。通過協(xié)同其領(lǐng)先的MCU/MPU產(chǎn)品線，更是在一站式系統(tǒng)方案上具備其他功率半導體廠商所不具備的全棧能力。

（圖片來源于英飛凌官網(wǎng)）

領(lǐng)先地位源于其在功率半導體上的全鏈條整合能力：在晶圓層面，英飛凌推出的第二代SiC MOSFET溝槽柵工藝可實現(xiàn)業(yè)界極低的RDS(ON)，200mm碳化硅晶圓已經(jīng)進入規(guī)?；慨a(chǎn)；其GaN e-mode HEMT工藝支持MHz級高頻，且是首批實現(xiàn) 200 毫米 GaN 大批量生產(chǎn)的公司之一，并率先推出全球首款 300 mm GaN 功率晶圓。在封裝維度，Q-DPAK、LGA和HPD封裝結(jié)合銀燒結(jié)和擴散焊接技術(shù)，降低電感和熱阻，提升可靠性。在模塊層面，CoolSiC? 、CoolGaN? 和EconoPACK? 模塊通過低電感和高效散熱支持高功率密度；在方案維度，全棧解決方案整合AURIX?  MCU、PSoC?  MCU和傳感器，助力電動汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)效率提升和低碳轉(zhuǎn)型。這種多材料、多維度的技術(shù)協(xié)同使英飛凌在寬禁帶半導體市場占據(jù)優(yōu)勢，驅(qū)動全球功率電子向高效、可持續(xù)方向發(fā)展。

在近日的PCIM Asia上，我們參觀了英飛凌展臺，了解了英飛凌在功率半導體領(lǐng)域的主要展品和全新應用解決方案。

綠色出行：一站式系統(tǒng)方案+靈活分立器件、封裝特色

我國已經(jīng)成為新能源汽車產(chǎn)銷量位居全球第一的國家，對于功率半導體的市場需求旺盛。而英飛凌也持續(xù)關(guān)注和布局中國綠色出行賽道，這次更是帶來了諸多的新技術(shù)、新產(chǎn)品和解決方案。

主驅(qū)逆變器：一站式系統(tǒng)級方案

首先，英飛凌展示了其主驅(qū)逆變器一站式系統(tǒng)級方案，該800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)支持800V高壓直流工作電壓和750Arms電流輸出，采用Infineon HPD Gen2 1200V SiC MOSFET，可耐受最高200°C的結(jié)溫，具備優(yōu)異的高溫與高壓性能。系統(tǒng)主控基于AURIX? TC49X系列高性能單片機，集成PPU、CDSP及Hypervisor等模塊，實現(xiàn)高效控制與功能安全分區(qū)；配備專為逆變器設(shè)計的IPMIC電源管理芯片，支持ASIL D功能安全等級，集成安全邏輯與激勵信號管理；電流檢測采用XENSIV?系列無磁芯電流傳感器，避免磁飽和問題，具備高精度與高集成度，并滿足ASIL B功能安全要求；驅(qū)動部分支持原副邊安全信號輸入，符合高壓加強絕緣標準，整體系統(tǒng)在性能、效率與功能安全方面均達到電動汽車主驅(qū)系統(tǒng)先進水平。

800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)

據(jù)英飛凌現(xiàn)場展臺工程師介紹，因為其中用到了1200V的SiC MOSFET，因此可以提供高達750A的大電流能力，同時工作結(jié)溫還可以達到200度。該demo可以幫助客戶快速實現(xiàn)對于樣品引入的測試和系統(tǒng)驗證。

而在21ic看來，這款demo也很好地展示了英飛凌區(qū)別于其他功率半導體廠商的全棧技術(shù)能力。因為英飛凌有著性能最極致的SiC功率MOS管、也有全球領(lǐng)先的微控制器產(chǎn)品組合，同時還具備PMIC和Sensor的產(chǎn)品組合。其他功率半導體廠商在這幾方面的產(chǎn)品布局上或多或少存在一些短板。

嵌入式功率方案：最大化SiC利用率

英飛凌展示的CoolSiC? 嵌入式PCB方案采用了新一代G2p芯片技術(shù)。據(jù)現(xiàn)場英飛凌工程師介紹，該方案通過將芯片直接嵌入PCB板中，顯著降低了雜散電感，提升了工藝密度。這種低雜散電感設(shè)計（可低至2nH）使系統(tǒng)能夠支持更高的電壓等級，例如從800V提升至850V、900V甚至950V的電動車電壓平臺。

嵌入式碳化硅方案

與傳統(tǒng)設(shè)計相比，嵌入式SiC方案大幅減少了電壓紋波。例如，傳統(tǒng)設(shè)計的紋波可能高達一兩百伏，限制了1200V器件的使用范圍。而CoolSiC嵌入式PCB的紋波可控制在30V至50V的水平，使1200V器件能夠支持高達1000V的系統(tǒng)電壓。換言之，傳統(tǒng)的1200V功率方案只能支持800V的電車架構(gòu)使用，而此方案的1200V就可以支持1000V的電車架構(gòu)使用。這種特性不僅降低了系統(tǒng)成本，還最大化了SiC器件的利用效率，同時提供了靈活的PCB設(shè)計，滿足不同功率和尺寸需求，展現(xiàn)出顯著的系統(tǒng)級優(yōu)勢。

SSC模塊：集成CoolSiC? Gen3技術(shù)

新一代塑封半橋模塊SSC也是此次展出的重點之一，該模塊具有750V和1200V兩個電壓等級，并覆蓋了從350Arms到750Arms的電流范圍。模塊設(shè)計顯著降低了雜散電感至小于5nH，并集成了CoolSiC? Gen3技術(shù)，同時也支持GaN的拓展應用。此外，該模塊還能兼容不同的散熱系統(tǒng)設(shè)計。

SSC模塊

據(jù)現(xiàn)場的英飛凌工程師介紹，此次在PCIM Asia上展示的這款SSC模塊是一種單面水冷模塊。目前，該產(chǎn)品主要基于SiC技術(shù)，其功率密度較高。當前展示的樣品長度較長，但實際量產(chǎn)版本的長度將進一步縮小，大約只有60-66mm，寬度約為30-40mm。與相同功率密度的傳統(tǒng)IGBT方案相比，該模塊的整體體積大幅減小。目前，它可以提供四五百安培的電流能力，能夠滿足主流市場需求。此外，英飛凌還會在該系列下推出更多產(chǎn)品來覆蓋更高的電流需求。

針對電動重卡：HybridPACK? HD模塊

針對電動重卡，英飛凌也有HybridPACK? HD模塊展示。該模塊具備高可靠性與長使用壽命，設(shè)計使用壽命不低于120萬公里，累計運行時間可達60,000小時以上。支持高達600 kW的功率輸出，可適配高速電機應用，并采用緊湊化設(shè)計，具備優(yōu)異的抗振性能，適用于高度集成的電驅(qū)系統(tǒng)。該模塊當前支持800V CCS充電標準，據(jù)英飛凌現(xiàn)場展臺工程師介紹，它也能支持1400V乃至1500V電壓等級，因此同時具備向1250V乃至1500V的兆瓦級充電系統(tǒng)（MCS）兼容的擴展能力。

HybridPACK? HD模塊

空調(diào)壓縮機：智能功率模塊（IPM）

英飛凌的e-compressor，即車用空調(diào)壓縮機，是一款功率模塊產(chǎn)品，額定電壓為1200V，功率范圍在3000至6000W之間。這款產(chǎn)品可以選擇不集成驅(qū)動功能，僅作為功率模塊使用；也可以集成驅(qū)動功能，并包含一些保護功能，但此時功率可能會相對較小。展示的空調(diào)壓縮機demo中，紅色部分代表熱氣，藍色部分代表冷氣，通過壓縮過程實現(xiàn)從冷氣到熱氣的轉(zhuǎn)換。該demo使用的核心組件為IPM（智能功率模塊）的產(chǎn)品，功率同樣在3至6000W范圍內(nèi)。

AI數(shù)據(jù)中心：從電網(wǎng)到AI芯片全套供電方案

英飛凌在現(xiàn)場展示了針對AI服務器的從“電網(wǎng)到核心”的完整架構(gòu)及其每一級對應的解決方案。當前整個AI數(shù)據(jù)中心的電力架構(gòu)轉(zhuǎn)換可以分為大致三級，從220V-48V-12V（8V、6V）-1V（0.8V）。而英飛凌提供的主要方案包括PSU、BBU、熱插拔保護、DCDC轉(zhuǎn)換（IBC）和最后一級的AI芯片DC垂直供電方案。

首先，電源供應單元（PSU）是整個電力系統(tǒng)的入口，負責將交流電轉(zhuǎn)換為48V直流電，作為數(shù)據(jù)中心內(nèi)部統(tǒng)一的中間母線電壓；電池備份單元（BBU）負責在交流電出問題的時候提供備份的48V穩(wěn)壓輸出；熱插拔保護模塊則放在加速卡上，負責穩(wěn)定加速卡插入拔出時的沖擊電流。接下來，通過高效的DC-DC轉(zhuǎn)換技術(shù)，將48V直流電進一步降壓至適合AI芯片（CPU/GPU/AI ASIC）工作的低電壓等級。

現(xiàn)場，英飛凌展臺工程師針對新的技術(shù)趨勢進行了詳細的講解。

賦能AI：從電網(wǎng)到核心

PSU：從12V母線升級48V母線

傳統(tǒng)服務器通常使用12V直流供電，但隨著服務器功率的提升，電流會變得非常大，導致傳輸損耗顯著增加。在大型服務器中，從機架電源到板卡之間存在一定距離，通常使用銅排進行電力傳輸。盡管銅排導電性好，但距離較長時仍會產(chǎn)生損耗。為了減少損耗，一種方法是加粗銅排，但銅材價格昂貴，成本較高。

為了解決這個問題，現(xiàn)代高功率服務器開始采用48V總線電壓。相比12V，48V電壓下，相同功率所需的電流僅為原來的四分之一，顯著降低了傳輸損耗。對于AI算力中心等大規(guī)模系統(tǒng)，功率可能達到兆瓦級別，傳輸損耗的優(yōu)化尤為重要。據(jù)了解，此類系統(tǒng)中使用的銅材可能重達數(shù)百公斤，成本高昂。通過提高電壓，不僅可以減少銅材用量，節(jié)約成本，還能顯著提升系統(tǒng)效率。因此，48V總線電壓的應用成為當前高功率服務器設(shè)計中的重要趨勢。

BBU：電流反饋型差分功率轉(zhuǎn)換

在AI數(shù)據(jù)中心中，系統(tǒng)從交流電轉(zhuǎn)換得到48V直流輸出后，會接入BBU。該BBU的作用是，在交流電出現(xiàn)故障或輸出中斷時，利用連接的電池（額定電壓為48V）為后續(xù)系統(tǒng)組件（如AI加速卡等板卡）提供臨時供電，確保系統(tǒng)在一段時間內(nèi)正常運行。BBU的一端連接交流電，另一端連接電池；當交流電供應中斷時，電池會立即接管供電。然而，電池在使用一段時間后，其電壓可能會變得不穩(wěn)定（如從48V降至46V或42V），從而影響后端負載的正常工作。

為了解決這一問題，需要通過專用電路來調(diào)節(jié)電池輸出電壓，使其穩(wěn)定在48V。傳統(tǒng)方法是通過一個DC-DC轉(zhuǎn)換器直接將電池的變動電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的48V。這種方法邏輯簡單且易于理解，但轉(zhuǎn)換功率較大——例如，如果整個負載為10kW，則轉(zhuǎn)換器需要處理相當于10kW的功率。

作為創(chuàng)新方案，英飛凌開發(fā)了一個4kW的BBU方案，采用了創(chuàng)新的“電流反饋型差分功率轉(zhuǎn)換”的技術(shù)思路，主要器件包括40V和80V OptiMOS?、EiceDRIVE?柵極驅(qū)動器和PSOC? C3 MCU。具體而言，當電池電壓下降（如降至42V，與目標48V相差6V）時，該電路僅轉(zhuǎn)換生成所需的差值電壓（即6V），然后將此電壓與電池本身的42V進行串聯(lián)，從而輸出穩(wěn)定的48V。這樣一來，轉(zhuǎn)換的功率部分顯著減小，轉(zhuǎn)換損耗降低，整體效率得到提升。該方案被稱為電流反饋型差分功率轉(zhuǎn)換器，其核心在于僅處理功率和電壓的差值部分。

熱插拔保護：寬輸入電壓+可編程控制

BBU輸出48V電壓至服務器系統(tǒng)的背板。該背板用于連接多個板卡，這些板卡插入背板后，一方面接入48V電源，另一方面?zhèn)鬏敻鞣N信號至背板。

在板卡插入時，如果直接接入48V電源，由于板卡內(nèi)部存在大量電容，這些電容在初始狀態(tài)下電壓為零，突然施加48V電壓會導致電容瞬間充電，產(chǎn)生極大的沖擊電流（inrush current）。這種沖擊電流不僅可能拉低總線電壓，還會干擾其他已連接板卡的運行。

為了限制插入板卡的沖擊電流，需要在每個加速板卡上添加一個熱插拔電路。該電路包括一個控制器芯片（現(xiàn)場展示的型號為XDP710-002），來控制MOS管作為開關(guān)。簡單來說，這個熱插拔控制器通過緩慢開啟MOS管來控制48V電源接入板卡的速度，從而減小沖擊電流。具體實現(xiàn)上：該控制器可以根據(jù)客戶需求，通過軟件設(shè)定開關(guān)的速度和電流大小。在沖擊電流工作條件下，MOS管工作在線性區(qū)，如果電流過大，會影響其壽命。因此，控制器芯片會限制MOS管的電流，使其緩慢上升，而不是瞬間沖高。通過控制驅(qū)動電壓逐步抬升，MOS管的電流能力隨之逐步增強，從而使系統(tǒng)板卡感受到的沖擊電流保持在較小水平。

48V DCDC到AI芯片：固定變比IBC和垂直供電

從48V母線電壓開始到AI芯片的供電，還需要經(jīng)過兩級的DCDC轉(zhuǎn)換。48V要逐步轉(zhuǎn)換為中間電壓（如12V、8V或6V），這一階段稱為IBC（中間母線轉(zhuǎn)換器），然后從中間母線電壓最終輸出到AI芯片所需的低電壓（如1V或0.8V）。傳統(tǒng)上，48V首先轉(zhuǎn)換為12V，使用標準功率模塊尺寸，如全磚、半磚、1/4磚或1/8磚。這些模塊過去主要以穩(wěn)定12V輸出為主，但現(xiàn)在輸出電壓和尺寸有所變化。

中間母線電壓的轉(zhuǎn)換方式分為穩(wěn)定輸出和固定變比兩種。固定變比（如4:1）意味著輸出電壓隨輸入變化而變化，例如輸入48V輸出12V，輸入54V則輸出更高電壓，但比例不變。這種方式適用于前端電壓較穩(wěn)定的場景，后級可以再進行穩(wěn)壓。固定變比還能采用新型拓撲，如開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器，以實現(xiàn)更高效率。

近年來，大部分客戶通過評估不同變比（如5:1、6:1、8:1、10:1或11:1）發(fā)現(xiàn)，8:1變比在整體系統(tǒng)效率上表現(xiàn)更優(yōu)。因為前端轉(zhuǎn)換（如48V轉(zhuǎn)6V/8V）后，還有后級從中間電壓轉(zhuǎn)到1V或0.8V，兩級效率綜合考慮，48V先轉(zhuǎn)6V往往更好（相比48V轉(zhuǎn)12V）。具體分析：6V轉(zhuǎn)1V模塊內(nèi)部集成MOS管和電感，使用15V MOS管（相比12V輸入需用25V MOS管），性能更好、開關(guān)損耗更低，從而顯著提升效率。前級48V轉(zhuǎn)12V與轉(zhuǎn)6V的效率差異不大，但后級從25V MOS管換成15V MOS管，能帶來明顯效率提升。即使0.1%-0.3%的改進，在行業(yè)內(nèi)也被視為重大，因為產(chǎn)品已趨于極致，效率優(yōu)化難度很高。

因此，許多客戶設(shè)計了8:1固定變比模塊，例如一個750W模塊，兩個并聯(lián)可達1500W，生成6V中間母線供電給后級，后級再為CPU或GPU提供電源輸入。

在AI芯片的最終一級供電上，英飛凌創(chuàng)新地提出了垂直供電的架構(gòu)。在傳統(tǒng)供電設(shè)計中，DCDC模塊（如12V轉(zhuǎn)1V）只能放置在CPU/GPU芯片的旁邊。但隨著AI服務器對算力的需求增加，AI芯片電流從過去的幾十安或一兩百安，上升到如今的三四百安甚至七八百安。這種低電壓大電流傳輸，傳輸距離會造成顯著損耗。垂直供電則將DCDC置于CPU/GPU正下方背面，AI芯片和DCDC直接穿過板子連接進行控制，這大大縮短了傳輸距離，極大降低損耗和熱量。

英飛凌現(xiàn)場展示的垂直供電方案的供電電流可達1000A，使用16個Tiber模塊，共32相（每個模塊含兩相），每相額定電流約60A。

光儲和工業(yè)應用提效：第二代SiC技術(shù)性能出色

在英飛凌展臺，其工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務展示了針對光儲新能源應用的先進產(chǎn)品和參考設(shè)計，彰顯了其技術(shù)實力和市場洞察力。

據(jù)現(xiàn)場工程師介紹，英飛凌推出了包括第七代IGBT7和1200V及1400V CoolSiC? MOSFET在內(nèi)的新款單管系列產(chǎn)品，依托先進的晶圓技術(shù)，為高要求的光伏儲能系統(tǒng)提供卓越性能。特別值得一提的是創(chuàng)新的Q-DPAK頂部散熱封裝，該封裝設(shè)計緊湊、超薄，通過高效散熱顯著提升功率密度，支持最新的碳化硅和硅技術(shù)，并提供多種拓撲選擇。此外，DTO封裝通過將傳統(tǒng)兩個管子的功能集成到一個單元中，簡化了系統(tǒng)設(shè)計流程，提高了效率和便利性。

英飛凌還展示了從小型Easy系列到大型Econo系列的模塊解決方案，整合了最新IGBT和碳化硅技術(shù)，覆蓋從戶用光伏到工商業(yè)組串式光伏及大型電站的全功率段需求，確保高效和可靠的性能。據(jù)介紹，英飛凌在中國光儲市場占據(jù)較高份額，表現(xiàn)優(yōu)異，通過針對不同應用場景優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計，包括定制化功率等級，滿足多樣化需求。這些產(chǎn)品和解決方案展現(xiàn)了英飛凌在光儲新能源領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先性和競爭力，為行業(yè)發(fā)展提供了高效、靈活的支持。

除了光儲的相關(guān)方案外，英飛凌還針對工業(yè)領(lǐng)域展示了全新的技術(shù)方案。

高度集成的單片輔助電源解決——CoolSET? SiP

CoolSET? SiP是英飛凌在今年上半年最新推出的、一款高度集成的單片輔助電源解決方案。其最大特點是高度集成，盡管這款I(lǐng)C體積小巧，卻功能完備，堪稱“麻雀雖小，五臟俱全”。它集成了源邊控制、源邊主開關(guān)、副邊同步整流控制以及源副邊隔離反饋等功能，真正實現(xiàn)了一站式的單片電源解決方案。

對于應用工程師而言，這款I(lǐng)C使用起來極為方便。只需搭配少量的外圍元器件，就能實現(xiàn)簡單、緊湊的電路布局設(shè)計。目前，這款產(chǎn)品主要針對輔助電源應用領(lǐng)域，廣泛應用于家電類產(chǎn)品，如空調(diào)、冰箱、洗衣機等設(shè)備的輔助電源部分。同時，它也適用于傳統(tǒng)開關(guān)電源以及當前熱門的AI服務器電源等多種場景。

CoolSET? SiP系列IC的功率支持范圍廣泛，最高可達百W級別。本次展會上展示的產(chǎn)品主要覆蓋45W至60W的常見功率段，這些功率需求均可輕松實現(xiàn)。未來，隨著技術(shù)的進一步發(fā)展，該系列IC的功率甚至有望突破100W。

特別值得一提的是，目前展示的版本采用800V硅基開關(guān)管，而英飛凌正在規(guī)劃推出SiC版本。碳化硅版本將具有更低的導通阻抗、更高的開關(guān)頻率以及更優(yōu)的溫升控制，從而顯著提升性能和效率。相比Si基版本，SiC版本在短路能力和可靠性方面表現(xiàn)更為出色，尤其適合對功率和可靠性要求更高的電源應用場景。

英飛凌采取Si IGBT和SiC“兩條腿走路”的策略，同時提供IGBT和SiC版本，以滿足不同市場需求。碳化硅版本的功率范圍預計在80至100W，內(nèi)部將搭載800V SiC開關(guān)管，進一步提升開關(guān)頻率和可靠性。

第二代SiC技術(shù)——CoolSiC? MOSFET 750 V G2

CoolSiC? MOSFET 750 V G2則是英飛凌推出的是一款基于第二代碳化硅技術(shù)的功率器件，專為提升汽車和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計。該產(chǎn)品提供多樣化的產(chǎn)品組合，典型導通電阻（RDS(on)）在25℃時范圍覆蓋4 mΩ至60 mΩ，適用于車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車輔助設(shè)備（xEV）、充電樁、太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、電信以及開關(guān)電源（SMPS）等工業(yè)應用。

與上一代相比，CoolSiC? MOSFET 750 V G2 在性能上實現(xiàn)了顯著提升，導通電阻（RDS(on)）低至業(yè)界領(lǐng)先的4 mΩ，性能參數(shù)和品質(zhì)因數(shù)（FOM）提升了30%至40%，顯著降低了開關(guān)損耗并提高了系統(tǒng)效率。這一優(yōu)勢使其在高效率要求的場景中表現(xiàn)尤為出色。

該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的 Q-DPAK 頂部散熱封裝，厚度僅為2.3毫米，設(shè)計緊湊且散熱性能優(yōu)異。由于內(nèi)部并聯(lián)了多個小單元以實現(xiàn)超低導通電阻，Q-DPAK封裝的占板面積相對較大，但其薄型設(shè)計非常適合對尺寸敏感的應用場景。例如，在家用固態(tài)斷路器（空開）中，Q-DPAK封裝能夠完美適配其狹長、薄型的空間需求。傳統(tǒng)機械觸點空開在交流電關(guān)斷時容易產(chǎn)生拉弧，影響可靠性，而CoolSiC? MOSFET 750 V G2 通過背靠背串聯(lián)兩個器件的方式，構(gòu)建高效的交流功率回路。其超低的導通電阻（4 mΩ）在長時間導通時能大幅降低損耗，同時緊湊的尺寸便于集成控制電路和驅(qū)動電路，特別適合固態(tài)斷路器、充電樁、車載充電器及服務器電源等應用。

結(jié)語

從去年的數(shù)據(jù)來看，英飛凌在功率半導體市場表現(xiàn)卓越，特別是在功率分立器件和模塊市場份額位居第一。中國是全球最大的新能源汽車（EV）市場，英飛凌的高性能MCU和功率半導體將直接支持中國EV產(chǎn)業(yè)鏈的快速發(fā)展。在光伏儲能領(lǐng)域，其SiC和GaN技術(shù)助力高效能源管理，契合中國可再生能源擴張需求。在工業(yè)自動化中，英飛凌的功率模塊和MCU、傳感器技術(shù)相結(jié)合賦能中國制造升級。而在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英飛凌從電網(wǎng)到核心的一站式方案，將會為低碳化數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施提供有力支持。

此次英飛凌參展PCIM Asia，不僅是對于功率半導體的極致演繹，也是其落實“在中國為中國”戰(zhàn)略的再次印證。未來，預期英飛凌還將持續(xù)通過本地化生產(chǎn)和生態(tài)合作，顯著提升了市場響應速度和成本競爭力，助力中國客戶在新能源和智能化浪潮中占據(jù)領(lǐng)先地位。