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GaN微型顯示器可以徹底改變神經(jīng)外科手術(shù)
一種基于在 Qromis 的 QST 基板上生長(zhǎng)的氮化鎵的新設(shè)備已被設(shè)計(jì)出來(lái)，旨在為神經(jīng)外科醫(yī)生提供關(guān)鍵的術(shù)中數(shù)據(jù)，以改善決策。這種先進(jìn)的薄膜將電極網(wǎng)格與發(fā)光二極管 (LED) 結(jié)合在一起，以在手術(shù)過(guò)程中實(shí)時(shí)顯示和跟蹤大腦活動(dòng)。這對(duì)于確保安全切除腫瘤和癲癇組織等腦部缺陷非常重要。
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基于 GaN 的 PFC可以提高 HVAC 熱泵效率
許多國(guó)家/地區(qū)都普遍使用燃?xì)夂腿加湾仩t以及熔爐來(lái)為住宅和商業(yè)室內(nèi)空間提供空間和水加熱?？梢蕴娲@些基于化石燃料的系統(tǒng)的電熱泵被視為空間和水加熱應(yīng)用中脫碳的關(guān)鍵要素。在本文中，我們將總結(jié)一個(gè)可用于為熱泵供電的功率校正因子 (PFC) 級(jí)參考設(shè)計(jì)示例。德州儀器 (TI) 的這個(gè)參考設(shè)計(jì)使用基于氮化鎵 (GaN) 的 PFC來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換效率，并提供了一個(gè)如何使用寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體的示例例如碳化硅(SiC)和GaN可以進(jìn)一步激勵(lì)日常能源需求的電氣化。
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集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過(guò)壓穩(wěn)定性
功率轉(zhuǎn)換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢(shì)，包括更高的效率、功率密度和高頻開(kāi)關(guān)。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的市場(chǎng)增長(zhǎng)。這種本質(zhì)上為耗盡模式的器件的柵極驅(qū)動(dòng)具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)健的增強(qiáng)模式操作。
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寬帶隙半導(dǎo)體組裝和測(cè)試解決方案
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)包括分立元件、模塊和集成電路，服務(wù)于汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。為了利用電氣化趨勢(shì)，Carsem 密切關(guān)注日益增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(EV) 和可再生能源產(chǎn)品領(lǐng)域。
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SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴(kuò)大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進(jìn)入生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)
正在持續(xù)擴(kuò)建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價(jià)值約 50 億歐元的設(shè)計(jì)訂單，并且收到了來(lái)自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。值得一提的是，這些設(shè)計(jì)訂單來(lái)自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴(kuò)大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢(shì)，提升產(chǎn)能效益，同時(shí)將寬禁帶功率器件帶入到一個(gè)更為廣闊且多元的應(yīng)用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來(lái)邁進(jìn)。
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英飛凌實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡(jiǎn)化雙向開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)GaN
受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動(dòng)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在飛速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到262億美元市場(chǎng)規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應(yīng)用中會(huì)有所增長(zhǎng)，但在其他市場(chǎng)正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)產(chǎn)品所取代。氮化鎵（GaN）預(yù)計(jì)會(huì)快速增長(zhǎng)，目前主要應(yīng)用在消費(fèi)電子領(lǐng)域，但將逐步進(jìn)入工業(yè)和汽車領(lǐng)域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車和工業(yè)應(yīng)用中保持增長(zhǎng)并擴(kuò)大滲透率。具體市場(chǎng)估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場(chǎng)規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場(chǎng)規(guī)模約為30億美元。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學(xué)術(shù)語(yǔ)，GaN 是一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有發(fā)射藍(lán)光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點(diǎn)，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導(dǎo)體材料之一。
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GaN智能功率模塊（IPM），讓家電走向超靜音和能效新高度
在系統(tǒng)成本不增加的前提下，讓家電變得更加靜音和高效，是設(shè)計(jì)工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。而GaN器件憑借著更高的開(kāi)關(guān)頻率和更好的能效表現(xiàn)，開(kāi)始逐漸進(jìn)入家電設(shè)計(jì)者的視野。
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柵極驅(qū)動(dòng)器及其關(guān)鍵作用
碳化硅和氮化鎵開(kāi)關(guān)器件是電源電路中的主要元件。雖然這些器件在運(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面表現(xiàn)出更高的性能，但設(shè)計(jì)人員往往只關(guān)注這些器件，而經(jīng)常忽略相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸...
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
· 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 · 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應(yīng)用，氮化鎵前景可期
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門(mén)的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開(kāi)始占據(jù)自己所“擅長(zhǎng)”的市場(chǎng)領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進(jìn)展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。
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CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)
評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流/永磁同步電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導(dǎo)體供應(yīng)商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長(zhǎng)近44%，約占全球市場(chǎng)的29%，首次拿下全球汽車MCU市場(chǎng)份額第1。
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性
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CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開(kāi)發(fā)功率密度超過(guò)30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器
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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來(lái)各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢(shì)必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來(lái)自散熱、EMI等因素帶來(lái)的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡(jiǎn)單，而是需要來(lái)自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來(lái)自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內(nèi)消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應(yīng)商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導(dǎo)體）突然終止業(yè)務(wù)并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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英飛凌：增強(qiáng)功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破創(chuàng)新，賦能各類新興應(yīng)用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級(jí)副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來(lái)的成績(jī)，以及對(duì)于明年的市場(chǎng)趨勢(shì)展望。
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